Способ изготовления электролюминесцентных экранов

Авторы патента:

Способ изготовления электролюминесцентных экранов, включающий селективное эпитаксиальное выращивание p-n структур на полупроводниковой пластине, покрытие диэлектриком и изготовление контактных выводов, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения эффективности излучения экрана в полупроводниковой пластине вытравливают сквозные отверстия, на внутренней поверхности и которых выращивают p-n переходы, а оставшиеся отверстия заполняют контактным металлическим сплавом.

Способ получения эпитаксиальных структур // 776400

Способ получения p-n-переходов // 683399

Способ жидкостной эпитаксии варизонных структур // 669999

Способ получения полупроводниковой структуры // 668506

Способ получения р-п структур // 639358

Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных эпитаксиальных структур // 2102815

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Способ эпитаксиального наращивания ограниченно растворимого амфифильного вещества // 2137250

Изобретение относится к прикладной физике и микроэлектронике и может быть использовано при получении моно- и мультислойных структур низкомолекулярных и высокомолекулярных соединений, преимущественно ограниченно растворимого амфифильного вещества (ОРАФВ) из жидкой фазы

Способ изготовления полупроводниковой гетероструктуры на основе соединений a3b5 методом жидкофазной эпитаксии // 2297690

Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых структур из соединений А3В 5 методами эпитаксии

Способ локальной жидкостной эпитаксии // 2072584

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем

Гетероструктура на основе арсенида - антимонида - висмутида индия и способ ее получения // 2035799

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) двухслойных гетероструктур: арсенид-антимонид-висмутид индия/антимонид индия (InAs1-x-ySbxBiy/InAs1-x-ySbxBiy/InSb) для фотоприемных устройств ИК-диапазона, соответствующего ширине запрещенной зоны (Еg) эпитаксиального слоя (ЭС) менее 0,165 эВ при 77К (или положению края собственного оптического поглощения с>7,5 мкм при 77К)

Способ молекулярно-лучевой эпитаксии // 2038646

Способ получения полупроводниковых структур // 803747

Способ изготовления многослойных структур на основе соединений типа aiiibv // 826887

Способ эпитаксиального наращивания слоев фосфида галлия // 830961

Способ обработки пластин арсенида галлия // 865057