Способ дефектоскопии диэлектри-ческих слоев
Саюа Саветскик
Соцналистмчес ко
Ресвубинк
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
<>801153
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное и авт. саид-ву (22) За"вne o 040878 (21) 2652340/18-25 с присоединением заявки Ко (23) Приоритет
G N 27/24
Государствеиеюй комитет
СССР ио делам изобретений н открытий (53) УДК 821. З15. . 592 (088. 8) Опубликовано З001,81. Бюллетень Йх 4
Дата опубликования описания З00181 (72) Авторы изобретения
A.E.Êðàâöîâ и В.К.Клесов
Ф, (Опытное производство при Институте физики
AH Украинской ССР (71) Заявитель (54) СПОСОБ ДЕФЕКТОСКОПИИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ
СЛОЕВ
Изобретение относится к электронной технике, в частности к производ ству полупроводниковых приборов.
При производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем предъявляются высокие требования к качеству маскирующих и функциональных диэлектрических слоев, так как макродефекты . этих слоев (поры, трещины, включения) оказывают значительное влияние на разброс параметров, надежность и вы.ход годных полупроводниковых приборов.
Известен способ контроля дефектности диэлектрических пленок на токо- 15 проводящих материалах, заключающийся в том, что диэлектрическую пленку на токопроводящей подложке приводят в контакт с раствором электролита, производят электролитическое осаждение 20 металла на дефектах диэлектической пленки, селективно травят ее и регистрируют по виду осажденного металла конфигурацию и распределение дефектов в пленке t1j.
Недостатком данного способа является большая продолжительность процесса дефектоскопии во времени и разрушение исследуемой пленки в процессе проведения дефектоскопии.
Известен способ дефектоскопии диэлектрических слоев на токопроводящей подложке, заключающийся в пропускании тока через систему подложка — диэлектрический слой — фотоматериал, помещенные в электролит с последующим получением изображения дефектов в диэлектрическом слое на фотоматериале, При проведении процесса на подложку подают отрицательный потенциал, а в качестве электролита используют воду. При прохождении тока через систему, ионы серебра в фотоматериале восстанавливаются над порами и другими электропроводящими дефектами (2 )и 3, Недостатком способа является необходимость проведения процесса в темном помещении при неактиничном освещении, с последующей фотохимической обработкой фоторегистрирующего слоя по стандартной технологии.
Цель изобретения — сокращение времени процесса дефектоскопии и возможность проведения его при актиничном освещении.
Поставленная цель, достигается тем, что в качестве электролита используют проявители фотоматериалов с величиной окислительно-восстановительного по801153
Формула изобретения до
Составитель Е. Косинов
Техред Н. Ковалева Корректор Н. Бабинец
Редактор E. Лушникова
Заказ 10445/73а Тираж 918 Подписное
ВНИИПИ Государственного эмитета СССР по делам изобртений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП "Патент",, г.ужгород, ул. Проектная, 4 тенциала не б .ее О, ;--:, .: нс мене-0,2 В по отношению к пор .альном, водородному электроду.
Из электрохнмической теории проявления следует, что проявление светочувствительных материалов тем медле-. нее, чем выше окислительно-восстановительный потенциал системы Е
Окислительно-восстановительный потен- иал системы тем выше, чем меньше значение рН раствора проявителя, поэтому уменьшая рН раствора исключением из состава ускоряющих сеществ (буры„ соды поташа, едкого натрия и др.), либо добавлением кислоты, можно увелиЕ бдох РаствоРа, сУЩественно уменьшив скорость проявления, В случае использов" íèÿ проявителя с -0,2 МЕ,, 6 0,2 В, при пропускании электрического тока =-ерез ячейку, рН проявителя в местах про- хождения тока через поры, трещины, 20 проводящие включения, значительно повышается, что вызывает восстановление серебра в этих местах на фотобумаге и позволяет непосредственно получать изображение макродефектов диэлектрического слоя. После 5-7 секундного опбласкивания фотобумаги в 5,- .растворе уксусной кислоты полученное на ней изображение можно использовать для исследования плотности и распределения макродефектов в диэлектрическом слое.
Пример 1 . Составы и инградиенты компонентов электролитов ,которые могут быть применены в способе, в г
Электролит Р 1 (на основе проявителя ПВ-4)
Метол 0,25
Гидрохинон 0,25
Сульфит натрия безводный 25
Калий бромистый 60
Вода 1000
При Toi>s Epee<< = +0,02+0, 01 по отношению к нормальному электродному потенциалу.
Электролит Р 2 (на основе проявителя Р 1 по ГОСТ 2817-50 и 10691-63)
Метол 1
Гидрохинон 5
Сульфит натрия безводный 26
Калий бромистый 1,0
Вода до 1000
Нормальный потенциал электролита
Е à =0+0 01 В
Электролит РЗ
Фенидон 0,5
Аскорбиновая килслота 3. рилон Б 20
Вода до 1000
Нормальный потенциал электролита
ПРес1о, -= +0,19+0,01 В, Данныи способ ускоряет и упрощает процесс выявления. дефектов,не оказы-вает разрушающего воздействия на исследуемую систему, что открывает возможности его широкого использования в различных отраслях народного хозяйства,например,B микроэлектронике как для выборочного, так и для полного пооперационного контроля качества диэлектрических покрытий в технологии производства различных пролупроводниковых приборов и интегральных схем с целью повышения процента выпуска годной продукции и ее надежности.
Способ дефектоскопии диэлектрических слоев на токопроводящей подложке, 3 акГ ю = а.Ощийся в pîïóñкании тока рез систему подложка — диэлектрический слой — фотоматериал, помещенные в электролите с последующим получением изображения дефектов в диэлектричес :о..: слое на фотоматериале, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью сокращения времени процесса дефектоскопин и возможности проведения его при актиничном освещении, в качестве электролита используют проявители фотоматериалов с величиной окислительно †восстановительно потенциала не более 0,2 В и не менее -0,2 В по от-:ошению к нормальному водород— ному электроду.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Авторское свидетельство СССР
Р 391455, кл, G 0 . 27/00, 25.07.73.
2. Анторское свидетельство СССР
Р 324570, кл. G 01 N 27/24, 23.12.71 (прототип).
3."Журнал научной и прикладной фотографии и кинематографии"
Т. 22, вып.1,1977, с. 17-18.
