Способ определения времени излучательной рекомбинации светодиода

Авторы патента:

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

Способ определения времени излучательной рекомбинации светодиода с одновременным измерением интенсивности излучения, включающий возбуждение светодиода и проекцию выбранного участка излучающей поверхности на фотоприемник, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона в области малых времен релаксации, световой поток, идущий от светодиода, перекрывают и измеряют высокочастотный ток, проходящий через светодиод, затем, постепенно увеличивая световой поток, измеряют минимальное значение этого тока и по отношению минимального тока к первоначальному току светодиода находят время излучательной рекомбинации светодиода по формуле arctg2 = arcsinN, где - частота возбуждения светодиода; N - отношение показаний измерительного прибора; - время излучательной рекомбинации светодиода.

Похожие патенты:

Зондовое устройство // 813330

Способ измерения параметровглубоких центров b полупроводниках // 813329

Способ определения температуры // 812009

Устройство для измерения электри-ческих параметров матричных электрон-ных элементов // 811159

Устройство для измерения неквад-ратичности сверхвысокочастотныхдетекторов // 809005

Устройство для контроля и разбраковкирадиоэлементов // 805451

Способ контроля полупроводниковыхприборов ha вторичный пробой // 805214

Устройство для контроля параметрови разбраковки полупроводниковыхдиодов // 800913

Измеритель модуля параметров четырех-полюсников // 800912

Устройство для измерения параметровварикапов // 800911

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Устройство диагностирования тиристорного преобразователя // 2133042

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим