Патент ссср 826420

 

O ll И С А Н И E (i))826420

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскик

Социвлистическик

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 16.08.79 (21) 2808693/18-24 (51) М. Кл.з с присоединением заявки №вЂ”

G 11 С 11/14

Гееударетеенный комитет (23) Приоритет— (53) УДК 681.327..66 (088. 8) Опубликовано 30.04.81. Бюллетень № 16

Дата опубликования описания 05.05.81

IIo делам нзооретеннй и открытий (72) Авторы изобретения.Л. С. Ломов, Ю. К. Миляев, А. В. Антонов и А. И. Юдичев. (71) Заявитель (54) КАНАЛ,ДЛЯ ПРОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ

МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть" использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) .

Известен канал для продвижения ЦМД, построенный на пластине магнитоодноосного материала с локальным рельефом поверхности, функционирующий в переменном магнитном поле, перпендикулярном плоскости пластины. Изготовление такого канала связано с локальным травлением доменосодержащего материала по размерам порядка диаметра домена, причем глубина травления различных участков канала разная (1).

Изготовление таких каналов нетехнологично. Кроме того, для ЦМД малых диаметров ((2 мкм) такие каналы неприменимы из-за малой толщины доменосодержащего слоя.

Наиболее близким техническим, решением к предлагаемому является канал для продвижения ЦМД, содержащий эпитаксиальную магнитоодноосную пленку, в которой выполнены примыкающие друг к другу не-. имплантированные области. Такой канал про движения функционирует во вращающемся в плоскости материала магнитном поле. Движение ЦМД вызывается перемещением под действием поля в плоскости заряженной стенки, образованной обтекающим неимплантированные области магнитным потоком (2) .

Недостатком такого канала является необходимость проведения ионной имплантации через маску, что усложняет технологию изготовления канала.

Цель изобретения — упрощение и повышение технологичности изготовления канала для продвижения ЦМД.

10 Поставленная цель достигается тем, что в канале для продвижения ЦМД, содержащем эпитаксиальную магнитоодноосную пленку, на которой расположен магнитный слой с легкой плоскостью намагниченности, расположенной параллельно поверхности эпитаксиальной магнитоодноосной пленки, в магнитном слое выполнены примыкающие друг к другу отверстия, причем эпитаксиальная магнитоодноосная пленка и магнитный слой могут быть выполнены с различными ао постоянными кристаллической решетки.

На фиг. 1 изображена конструкция кана ла для продвижения ЦМД, на фиг. 2 — принцип действия канала для продвижения ЦМД

826420

Предлагаемый канал для продвижения

ЦМД содержит выращенную на немагнитной подложке 1 граната эпитаксиальную магнитоодноосную пленку 2 (ось легкой намагниченности параллельна вектору магнитного поля смещения Й„„), на которую нанесен .магнитный слой 3 с плоскостью лег. кой намагниченности, перпендикулярной оси легкой намагниченности пленки 2. В слое 3 выполнены отверстия 4, например, в виде смежных дисков (фиг. 11, В пленке 2 при наличии поля смещения, могут существовать ЦМД 5, намагниченность которых направлена в противоположную сторону от век. тора с„, направление намагниченности остальной части пленки 2 совпадает с направлением вектора Н,, Канал находится во вр4щающемсд магнитном поле Н, перпен-, дикулярном Н

Работа канала основана на взаимодействии ЦМД с обтекающим отверстия 4 потоком намагниченности слоя 3, Это иллюстрируется для одиночного отверстия на фиг. 2 20

На одиночный ЦМД 5, находящийся вбли. зи границы между двухСлойной структурой пленок 2 и 3 и однослойной пленкой 2, действуют силы магнитостатического характера + F затягивающие ЦМД 5 в сторону участка двухслойной структуры и силы -F обменного характера, выталкивающие ЦМД

5 из-под двухслойной структуры (фиг. 2а).

Первые силы +F вызваны стремлением

ЦМД замкнуть свой поток рассеивания наиболее выгодным способом, т. е. через плос- 1о кость легкой промышленности, а вторые -F вызваны тем, что на границе раздела двух материалов возникают механические напряжения и, если магнитострикционный эффект имеет знак «-)>, а пленка 2 на границе со слоем 3 растянута, то область доменной границы ЦМД, находящаяся в области механических напряжений, обладает большей энергией по сравнению с областью доменной гра. ницы, находящейся в зоне без напряжений, т. е. в однослойной зоне ЦМД, стремясь за- 4О нять состояние с наименьшей собственной энергией, будет -выталкиваться этой силой . в область отверстия 4. Механические напряжения возникают при эпитаксиальиом выращивании пленок в случае, когда постоянные решеток имеют небольшое разли- 45 чие. Параметры материалов слоев подбираются таким образом, чтобы F „+ Fo —— 0 в зоне, когда ЦМД 5 находится на границе отверстия 4. Фиксировать положение

ЦМД относительно различных точек отверстия возможно с помощью магнитного поля в плоскости пленок. Такое поле вызывает обтекание намагниченностью отверстий 4i в слое 3 с. легкой плоскостью и образует участки с различной напряженностью (фиг. 2б). На участках отверстия, ближай4 ших к полюсам, созданным распределением. намагниченности слоя, образуются области: сходящегося и расходящегося магнитных потоков, которые, но аналогии с механизмом продвижения ЦМД в ионоимплантированной структуре можно интерпретировать как образование заряженной стенки, притягивающей ЦМД 5. При повороте вектора Й», область заряженной стенки сместится, вслед за ней смесится ЦМД 5 (фиг. 2в).

Канал работает следующим образом.

Пусть в начальный момент времени ЦМД

5 и 5 находятся в позициях 1 и I соответственно по положению вектора Н>, (фиг. За). Г!ри повороте вектора Н> в положение (фиг. Зб) ЦМД 5 и 5 займут позиции II и 11 соответственно, причем для

ЦМД 5 "позиции I и II" совпадают. При дальнейшем вращении вектора Н ЦМД 5 и 5" перейдут в позиции Ill и III" (фиг. Зв), затем в IV и IV (фиг. Зг), и когда. вектор

Н вернется в исходное положение, совершйв полный оборот, в позиции V u V ((иг. Зд). Позиции II, lll u IV для ЦМД

5 совпадают,. также совпадают позиции IV и V . За один полный оборот ЦМД 5 и 5" совершают перекод с одного отверстия на соседнее в идентичные позиции, причем

ЦМД 5 и 5 движутся в противоположные стороны. Цри смене направления вращения вектора » ЦМД меняют направление движения.

Использование предлагаемомго канала для продвижения ЦМД позволит исключить операции ионной имплантации при изготовлении устройств на ЦМД, упростить его конструкцию, что повысит надежность работы ,канала. Сокращение числа технологических операций повысит технологичность изготовления устройств.

Формула изобретения

1. Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменоэ, содержащий эпитаксиальную магнитоодиоосную пленку, на кото рой .расположен магнитный слой с легкой плоскостью намагниченности, расположенной:параллельно поверхности эпитаксиальной магнитоодноосиой пленки, отличающийгя тем, что, с целью упрощения и повышения технологичности изготовления канала для продвижения цилиндрических магнитных доменов, в магнитном слое выполнены примыкающие друг к другу отверстия.

2. Канал по п. 1, отличающийся тем, что, эпитаксиальная магиитоодноосная пленка

И магнитный слой выполнены с различными постоянными кристаллической решетки.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Боярчеиков М. А. и др. Магнитные доменные логические и запоминающие устройства. М., «Энергия», 1974;

2. Патент США № 3828329, кл, 340-174, опублик. 197? (прототип).

О

Й си г"

52

Составитель Ю. Розенталь

Редактор Е. Кинив Техред А. Бойкас Корректор Ю.Макаренко

Заказ 2342/25 Тираж 645 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП <Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4