Способ подготовки образцов кристалловгалогенидов одновалентного таллия дляактивационного анализа

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТЬРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. сеид-ву— (22) Заявлено 240979 (21) 2821743/23-26 (51)М. Кл

С 01 G 15/00

G 01 и 1/28

G 01 N 23/00 с присоединением заявки ¹â€”

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий (23) ПриоритетОпубликовано 30!05.81. Бюллетень Но 20 (53) УДК 546.683. .1.543.056 (088.8) Дата опубликования описания 300581

Т.И. Дарвойд, Е.Т. Хохрина, Г.И. Кучмистая . .. <. ;,, :;",„ Я и Л.A. )(укова

f1r» ),4 1 - = т.

Государственный ордена Октябрьской Революции- ййучйо, - -, исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПОДГОТОВКИ ОБРАЗЦОВ КРИСТАЛЛОВ

ГАЛОГЕНИДОВ ОДНОВАЛЕНТНОГО ТАЛЛИЯ

ДЛЯ АКТИВАЦИОННОГО АНАЛИЗА

Изобретение относится к аналитической химии, а именно к активационным методам анализа галогенидов таллия.

Требования, предъявляемые к изделиям из кристаллов галогенидов одновалентного таллия, жестко регламентируют содержание примесей. Одной из наиболее трудных проблем при акти- 1О вационном анализе материалов с низким содержанием примесей является учет вклада поверхностного загряз-. нения в общее содержание примесей.

Одним из способов удаления поверхностного загрязнения является травление образца после облучения. Продолжительность этой операции обычно лимитируется малым периодом иолураспада изотопа исследуемой примеси.

Поэтому необходимо выбирать эффек- 20 тивный травитель, который.позволял . бы стравливать слой 100 мкм эа несколько секунд. Кристаллы галогенидов таллия имеют сравнительно небольшую твердость. При изготовлении образца (резке) возникает нарушенный поверхностный поликристаллический слой (толщиной 100 мкм), который значительно легче (в силу его мелкодисперсного состояния), чем монокристал- ЗО лическая поверхность, загрязняется примесями из атмосферы (например кислород, кислородсодержащие примеси и т.д.)„ материалом инструмента при резке .и т.д.

Известен способ подготовки образцов магния к активационному анализу, включающий обработку образцов раствором соляной кислоты (11.

Однако этот способ является неприемлемым для кристаллов галогенидов одновалентного таллия, поскольку галогениды. таллия не растворимы в растворе соляной кислоты без окисления.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности и достигаемому результату является способ подготовки образцов кристаллов бромидаиодида таллня для активационного анализа определения кислорода, включающий обработку поверхности концентрированной азотной кислотой при нагревании (2), Однако этого способ неприемлем для кристаллов других галогенидов одновалентного таллия (Т)С1-Т1 Вr, T)Сl и т.д.),, так как растворение кристаллов хлорнда и хлорида-бромида таллия в азотной кислоте идет

833529

15

20 М., "Металлургия", 1974, с. 75-79. ль Т. Жукова

Составите

Техред 3

Редактор С. Шевченко

Фанта

Корректор В. Синицкая

Тираж 505 Подписное

ВНИЯПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Заказ 3907/18

Филиал ППП Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4 медленно и при малом периоде полураспада изотопа исследуемой .примеси делает невозможным использование самого активационного метода.

Цель изобретения — повышение точности - определения примесей в кристаллах галогенидов одновалентного таллия.

Поставленная цель достигается тем, что и способе подготовки образцов кристаллов галогенидов одновалент ного таллия, вклвчающем обработку поверхности образца после его облучения минеральной кислотой при нагревании, образец обрабатывают серной кислотой в присутствии перекиси водорода, затем последовательно промывают его в перекиси водорода, бромистоводородной кислоте и абсолютированном этиловом спирте.

Нри этом для обработки берут 9395%-ную серную кислоту в присутствии

30-32%-ной -перекиси водорода при ,соотношении (20-25) (7-10).

Для промывки используют 30-32%-ную перекись водорода и 42-43%-ную бромистоводородную кислоту.

Использование серной кислоты в присутствии перекиси водорода создает условия для образования мононадсерной кислоты H2SOg, которая является сильным окислителем, что ведет к быстрому взаимодействию образовавшейся кислотЫ с материалом и удалению поверхностного слоя. Затем образец обрабатывают раствором

30-32%-ной перекиси водорода для удаления осадков с поверхности об" разца, промывают в 42»43%»ной бромистоводородной кислоте и в абсолютированном спирте.

При концентрации серной кислоты менее 93% и более 95%, концентрации перекиси водорода менее 30% и более

32% и соотношении менее 25г 10 недостаточно точно стравливается нарушенный слой на поверхности образца, так как мононадсерной кислоты недостаточно для окисления поверхности т.е. снижается точность активационного анализа.

При соотношении более 20:7 идет сильное раэрыхление поверхности и потеря определяемых примесей иэ объема, т.е. снижается точность анализа.

При концентрации Перекиси воДорода менее 30% при промывке не полностью растворяются остатки на поверхности образца.

При концентрации менее 42-43% броми С то водород ной к ислоты т а кже не полностьв удаляются остатки с поверхности образца.

Пример . В ванне облученный образец хлорида-бромида таллия обрабатывают смесью 95%-ной серной кислоты и 30%-ной перекиси водорода при соотношении 25:10, нагревают до кипения и выдерживают в ней 3-10 с (в зависимости от размера образца).

После чего образец последовательно обрабатывают в 30%-ной перекиси водорода, в 43%-ной бромистоводородной кислоте и в абсолвтированном этиловом спирте. Образец получавт с монокристаллической поверхностью.

Качество поверхности контролируется электронографическим методом.

Таким образом, предлагаемый способ подготовки поверхности дает возможность определения истинных количеств примесей в образце. При этом точность анализа повышается на 15%.

Формула изобретения

1. Способ подготовки образцов кристаллов галогенидов одновалентного таллия для активационного анализа, включающий обработку,поверхности образца после его облучения минеральной кислотой при нагревании, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения примесей, образец обрабатывают серной кислотой в присутствии переки« си водорода, затем последовательно промывают в перекиси водорода, бромистоводородной кислоте и абсолютированном этиловом спирте.

2. Способ по п.1, о т л и ч а юшийся тем, что образец обрабатывают 93-95%-ной серной кислотой в присутствии 30-32%-ной перекиси водорода при соотношении (20-25):(710).

3. Способ по п.1, о т л и ч а ю— шийся тем, что для промывки используют 30-32%-ную перекись водорода и 42"43%-ную бромистоводородную кислоту.

Источники информации, принятые во внимание . при экспертизе

Пронман И.М. Применение активационных методов определения газообразных примесей в технологии чистых металлов и полупроводниковых материалов. Докторская дис. М., 1974.

2. Научные труды Гиредмета, т. 60