Источник вращающегося магнитногополя для запоминающего устройствана цилиндрических магнитных доменах

 

84104З

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 25.06.79 (21) 2784974/18-24 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет 23.12.76 (51) М.К .

G 11 С 11/14

Государстеенный комитет

СССР

Опубликовано 23.06.81. Бюллетень № 23

Дата опубликования описания 25.06.81 (53) УДК 681.327. GG (088.8) по делам изобретений н открытнй (72) Авторы изобретения

А. Б. Акинфиев, В. М. Арсланов и IO.,×. Ушако, 1. ( (7l) Заявктель (54) ИСТОЧНИК ВРАЩЛ10ЩЕГОСЯ МЛГНИТНОГО ПОЛЯ

ДЛЯ ЗЛПОМИНА1О!ЦЕГО УСТРОГ1СТВА

НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств хранения дискретной информации на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Известен источник вращающегося магнитного поля для запоминающего устройства (ЗУ) на ЦМД, содержащий автоколебательный синус-косинусный генератор (1).

Основным недостатком такого источника является сложность осуществления стартстопного режима работы.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является источник вращающегося магнитного поля, содержащий первый накопительный элемент; например конденсатор, первый вывод которого соединен с первым выводом второго накопительного элемента, например соленоида, и с первым выводом первого ключа, второй вывод которого соединен с положительным полюсом первого источника напряжения, второй вы-. вод конденсатора соединен с шиной нулевого потенциала (2).

Величина напряженности магнитного поля в таком источнике уменьшается за период колебания по экспоненциальному закону с постоянной времени, определяемой добротностью соленоида. При малой величине добротности соленоида, что характерно для разработанного устройства, величина напряженности магнитного поля выходит

5 за пределы допуска, что приводит к сбоям н снижению надежности устройства.

Другими недостатками известного устройства является невозможность подключения к нему более одной системы соленоидов при реализации старт-стопного -режима ра. боты и потеря электрической энергии при замыкании второго ключа.

Цель изобретения — повышение надежности и расширение области применения источника вращающегося магнитного поля

1п за счет обеспечения старт-стопного режима.

Поставленная цель достигается тем, что известный источник вращающегося магнитного поля содержит второй источник напряжения и второй и третий ключи, первый вывод третьего ключа соединен с шиной нулевого потенциала, второй вывод третьего ключа соединен со вторым выводом соленоида, первый вывод которого соединен с первым выводом второго ключа, второй вывод

84!043 которого; соединен с отрицательным полюсомвторого источника напряжения.

При этом третий ключ выполнен на п-р-п и р-п -р транзисторах и двух диодах, эмиттеры транзисторов подключены к первому . выводу ключа, катод первого диода подключен к коллектору п-р-п транзистора, анод — ко второму выводу ключа и к катоду второго диода, анод которого соединен с коллектором р-п-р транзистора, а базы транзисторов подключены к управляющим выводам ключа.

На фиг. 1 представлена принципиальная схема источника вращающегося MafHHTéîãо поля для одного из ортогональных соленоидов, принципиальная схема для второго соленоида аналогична; на фиг. 2 — вариант исполнения третьего ключа; на фиг. 3 временная диаграмма работы источника.

Источник вращающегося магнитного по-. ля для ЗУ на ЦМД содержит первый источник 1 напря>кения, первый ключ 2, коле, бательный контур 3, образованный конденсатором 4 и соленоидом 5, второй источник 6 напрйжения, второй 7 и третий 8 ключи.

Третий ключ 8 состоит из п-р-п транзистора 9, р-и-р транзистора 10, первого l I u второго 12 диодов. Сигналы управления подаются на соответствующие входы 13 —. 16 управления.

В исходном состоянии все ключи закрыты, конденсатор 4 разряжен или заряжен до номинального значения положительного напряжения, и в соленоиде 5 отсутствует ра. бочий ток, создающий магнитное поле.

Работа устройства начинается включением первого ключа 2, что приводит к дозаряду конденсатора 4 до номинального значения положительного напряжения, одновременно открывается ключ 8, конденсатор 4 начинает разряжаться через соленоид 5, возникает колебательный режим контура 3 с соответствующей резонансной частотой. Через половину периода ток в соленоиде 5 становится равным нулю, а напряжение на конденсаторе 4 изменяет свою полярность на противоположную, но . не достигает первоначальной величины.

В этот момент импульс включения по шине открывает второй ключ 7 и конденсатор 4 подзаряжается от второго источника 6 на, пряжеиия до. первоначальной величины.

Затем опять конденсатор 4 разряжается через соленоид 5 и через. следующую половину периода напряжение на конденсаторе становится положительным, и через первый ключ 2 производится подзаряд конденсатора 4 до первоначальной величины. Колебательный процесс продолжается непрерывно при открытом третьем ключе 8, а магнитное поле имеет почти синусоидальную форму.

При необходимости выключения магнитного поля ключ 8 закрывается в момент равенства нулю тока, протекающего через соленоид. В этот момент возможен переход к другому соленоиду, который сразу же после этого начинает работать без потери электрической энергии, запасенной в конденсаторе 4, что невозможно в известном уст5 ройстве.

Таким образом, изобретение позволяет уменьшить нестабильность напряженности магнитного поля, тем самым повышая на.дежность работы всего устройства в целом, снижает потерю электрической энергии при выключении магнитного поля и расширяет область применения устройства обеспечивая относительно простой переход от одного соленоида к другому и возмо>кность выключения тока соленоида при различной полярности протекающего через него тока, что позволяет реализовать старт-стопный режим работы источника вращающегося магнитного поля.

Формула изобретения

1. Источник вращающегося магнитного поля для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах, содержащий первый накопительный элемент, над пример конденсатор, первый вывод которого соединен с первым выводом второго накопительного элемента, например соленоида, и с первым выводом первого ключа, второй вывод которого соединен с положи-. тельным полюсом первого источника напрязр жения, второй вывод конденсатора соединен с шиной нулевого потенциала, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности т и расширения области применения источника вращающегося магнитного поля за счет обеспечения старт-стопного режима, он содержит второй источник напряжения и второй и третий ключи, первый вывод третьего ключа соединен с шиной нулевого потенциала, а второй вывод третьего ключа соединен со вторым выводом соленоида, 40 первый вывод которэго соединен с первым выводом второго ключа, второй вывод которого соединен с отрицательным полюсом второго источника напряжения.

2. Источник по п, I, отличающийся тем, что третий ключ выполнен на и-р-п и р-п-р транзисторах и двух дйодах, эмиттеры транзисторов подключены к первому выводу ключа, катод первого диода подключен к коллектору п-р-п транзистора, анод — ко второму выводу ключа и к катоду второго 0 диода, анод которого соединен с коллектором р-п-р транзистора, а базы транзисторов подключены к управляющим выводам ключа.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

l. Патент США № 3866!45, кл. 340-1?4, Ы 1975.

2; IEEE Trans, Nagn., ч. MAG-10, 1974, р. 752 (прототип).

841043

Фоеальный случай пол

Спосоо

Оа/7РЯ на соле . Составитель Ю. Розенталь

Редактор Н. Лазаренко Техред А. Бойкас Корректор Н. Стен

Заказ 4778/79 Тираж 645 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по дела и Изобретений и открытий

1) 3035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная. 4

Источник вращающегося магнитногополя для запоминающего устройствана цилиндрических магнитных доменах Источник вращающегося магнитногополя для запоминающего устройствана цилиндрических магнитных доменах Источник вращающегося магнитногополя для запоминающего устройствана цилиндрических магнитных доменах Источник вращающегося магнитногополя для запоминающего устройствана цилиндрических магнитных доменах 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх