Способ изготовления запоминающихустройств ha цилиндрическихмагнитных доменах

 

ОПИСАпИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Соввтских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 03.08.79 (21) 2805442/18-24 (51)м с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет

11 C 11/14

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий

Опубликовано 150581 Бюллетень М 18

Дата опубликования описания 15. 05. 81 (53} УДК 6 81. 327. 66 (088.8) (72) Авторы изобретения

P.Ä. Иванов, Ю.К. Миляев, Д.Д. Сп

А.В. Сурина и Г.К. Чиркин (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОРСТВ

HA ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ

Изобретение относится к вычисли- тельной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств (ЗУ) на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Известен способ изготовления ЗУ на ЦМД, включайщий облучение ионами всей поверхности магнитоодноосной пленки с ЦМД и последующее формирование на поверхности пленки элементов управления потоками ЦМД. В известном способе изготовления устройств на ЦМД проводится облучение всей поверхности пленки с целью подавления твердых ЦМД, а элементы продвижения доменов формируются на поверхности пленки 31(.

Недостатком способа является то, что подавление твердых ЦМД и формирование элементов продвижения производится за две операции, что снижает технологичность производства.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является способ изготовления ЗУ на ЦМД, включающий формирование на поверхности магнитоодноосной пленки защитной маски из подслоя хрома толщиной

0,02 мкм и слоя золота толщиной

0,5 мкм, облучение ионами открытых участков поверхности пленки и последующее формирование на поверхности пленки управляющих токопроводящих элементов. Форма маскирующих .элементов выбрана таким образом, что облучение ионами немаскированных областей пленки приводит к созданию до-, менопродвигающей структуры непосредственно внутри пленки. После облуче— ния поверхности пленки ионами золотой слой маскирующего покрытия удаляют, а микрорельеф подслоя хрома используют для ориентации относительно доменопродвигающей структуры (облученных участков пленки) элементов управления ЦМД при их последующем формировании на поверхности пленки.

Данный способ включает формирование на поверхности магнитоодноосной пленки двухслойной защитной маски, облучение ионами открытых участков поверхности пленки, формирование микрорельефа на поверхности пленки путем удаления одного слоя защитной маски, нанесение изолирующего покрытия на оставшийся слой защитной маски, формирование элементов управления ЦМД на поверхности пленки 52j.

Однако наличие токопроводящего

30 подслоя хрома требует нанесения на

830571 поверхность пленки электроизолирующего покрытия в местах расположения управляющих токопроводящих элементов, что понижает надежность устройств из-за возможного электрического пробоя изолятора по подслою хрома и снижает процент выхода годных устройств.

Цель изобретения — повышение технологичности способа изготовления

ЗУ на ЦМД. (Q

Поставленная цель достигается путем того, что в способе изготовления

ЗУ на ЦМД, основанном на формировании на поверхности магнитсодноосной пленки защитной маски, облучении ионами открытых участков магнитоодноосной пленки, формировании микрорельефа на поверхности магнитоодноосной пленки, ориентированного относительно ее открытых участков, и формировании элементов управления, формиро- 2О вание микрорельефа на поверхности магнитоодноосной пленки осуществляют путем удаления приповерхностного слоя открытых участков магнитоодноосной пленки, а защитную маску удаляют. 75

При этом удаление приповерхностного слоя открытых участков магнитоодноосной пленки производят после облучения их ионами.

Удаление приповерхностного слоя облученных участков магнитоодноосной пленки и удаление защитной маски производят одновременно.

Предлагаемый способ включает формирование на поверхности магнитоодноосной пленки защитной маски, облучение ионами открытых участков поверхности пленки, формирование микрорельефа на поверхности пленки путем удаления приповерхностного слоя открытых участков пленки, пол- 40 нсе удаление защитной маски, формирование элементов управления ЦМД на поверхности пленки.

Тип используемого иона не имеет принципиального значения, так как целью облучения ионами является создание некоторой плотности точечных дефектов в приповерхностном слое пленки. Для заданного типа ионов их энергию выбирают так, чтобы толщина слоя составила около 1/4 толщины пленки, а дозу подбирают экспериментально по появлению доменогродвижения вдоль структуры.

Полное удаление металлического маскирующего покрытия устраняет необходимость последующей электроизоляции, что снижает возможность электрического пробоя. Функцию знаков совмещения, выполняемую в известном способе неудаленной частью маскирую- 60 щего покрытия. (под слоем хрома), выполняет непосредственно рельеф поверхности пленки. При этом глубина удаленного приповерхностного слоя облученных участков пленки определя- 65

20 r (калий бромистый)

5-7 мл (бром жидкий)

100 мл (вода дистиллированная) KBr

Br

Н и травителя для Сг-HCI (соляная кислота) при комнатной температуре, сопровождающееся одновременным травлением облучением слоя пленки, приводит к возникновению рельефа ее поверхности, остающегося при полном удалении маскирующего покрытия и позволяющего осуществить ориентацию управляющих элементов относительно доменопродвигающей структуры при дальнейшем их формировании методами стандартной фотолитографии., Формула изобретения

1. Способ изготовления запоминающих устройств на цилиндрических Магнитных доменах, основанный на формировании на поверхности магнитоодноосной пленки защитной маски, облучении ионами открытых участков магнитсодноосной пленки, формирова— нии микрорельефа на поверхности магнитоодноосной пленки, ориентированного относите. IbHo ее открытых участков, формировании элеь рнтов управления, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности способа изготовления запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах, формирование микрорельефа на поверхности магнитсодноосной пленки осуществляют путем удаления приповерхностного слоя открытых участков магнитоодноссной пленки, а защитную маску удаляют.

2. Способ по п.1, о т л и ч а ющ и и с я тем, что удаление приповерхностного слоя открытых участков магнитоодноосной пленки производят после облучения их ионами. ется разрешением установки сонмещения и составляет не менее 0,.1 мкм.

Изготовление ЗУ на ЦМД проводилось на эпитаксиальных ферритгранатовых пленках, содержащих ЦМД диаметром 2 мкм и обладающих отрицательными коэффициентами магнитострикции Х„„, На поверхности магнитоодноосной пленки стандартными методами фотолитографии формировались элементы маскирующего покрытия, состоящего из подслоя хрома толщиной — 0,02 мкм и слоя золота толщиной 0,5 м.см.

Облучение ионами H при энергии

100 КэВ до набора дозы 2,5- 10" ион/см немаскированных частей поверхности пленки приводит к созданию доменопродвигающей структуры. Химическое травление маскирующего покрытия в травителе для Аи состава

830571

Составитель Ю. Розенталь

Редактор М. Циткина Техред Е.Гаврилешко Корректор Н. Стец

Тираж 645 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж=35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 2897/32

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,4

3. Способ по пп.1 и 2, о т л ич а ю шийся тем, что удаление приповерхностного слоя облученных участков магнитоодноосной пленки и удаление защитной маски производят одновременно.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. IEEE Trans. Мадп., V. МЛО

12, р. 614, 1976.

2. IEEE TI ans . Мадп., V.ÌÀG

13, р. 1744, 1977 (прототип).