Устройство для измерения граничнойчастоты транзисторов

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИ ИТИЛЬСТВУ (n>842643

Ф

I т

/ г (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 070778 (21) 2639416/18-09 с присоединением заявки Йо (23) Приоритет

Опубликовано 30,06.81, Бюллетень Н9 24 (51)M. Кл 3

G 01 R 31/26

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий (53) ЮК 621.317 (088.8) Дата опубликования описания 3006.81 (72) Авторы изобретения

Ф.К.Вайтекунас и Ч.И.Павасарис!

Вильнюсский ордена Трудового Красного Энаме государственный университет им. В.Капсукаса (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ГРАНИЧНОЙ

ЧАСТОТЫ ТРАНЗИСТОРОВ

Изобретение относится к технике радиоиэмерений.

Известно устройство для измерения граничной частоты транзисторов, содержащее генератор, к выходу которого через тройник подсоединены опорный канал, состоящий иэ последовательно соединенных первого вентиля, первого аттенюатора, первой измерительной линии, второго аттенюатора и второго вентиля, и измерительный канал, состоящий иэ последовательно соединенных третьего вентиля, третьего аттенюатора, второй измерительной линии, а также клемм для подключения иссле- 1з дуемого транзистора (1) .

Однако известное устройство имеет сложный процесс измерений и большое время измерений.

Цель изобретения - упрощение про- 20 цесса измерений и сокращение времени измерений, Для достижения указанной цели в устройство для измерения граничной частоты транзисторов, содержащее генератор, к выходу которого через тройник подсоединены опорный канал, состоящий из последовательно соединенных первого вентиля, первого аттенюатора, первой измерительной линии,30 второго аттенюатора и второго вентиля и измерительный канал, состоящий из последовательно соединенных третьего вентиля, третьего аттенюатора, второй измерительной линии, а также клемм для подключения исследуемого транзистора, введен усилитель, вход которого подключен к коллекторной клемме, а его выход — к второму входу второго вентиля, при этом выход второй измерительной линии соединен с змиттерной клемой, а базовая клемма соединена с корпусом.

На чертеже приведена структурная схема устройства.

Устройство для измерения граничной частоты транзисторов содержит генератор 1, к выходу которого через тройник 2 подсоединены опорный канал

3, состоящий иэ последовательно соединенных вентиля 4, аттенюатора 5, измерительной линии 6, аттенюатора 7 и вентиля 8, и измерительный канал

9, состоящий из последовательно соединенных вентиля 10, аттенюатора 11, измерительной линии 12, а также клемм

13-15 для подключения, исследуемого транзистора 16, и усилитель 17, вход которого подключен, например, через конденсатор 18 к коллекторной клем842643 ме 13, а его выход — к второму входу вентиля 8, при этом выход измерительной линии 12 соединен с эмиттерной клеммой 14, а базовая клемма 15 соединена с корпусом. Коллекторная клемма 13 заземлена по переменной составляющей через конденсатор 18 и входное сопротивление усилителя 17 равно 0,1 — 5,0 Ом. устройство работает следующим образом.

Для подготовки устройства к рабо- 10 те в высокочастотную головку 19 вместо исследуемого транзистора 16 устанавливается перемычка 20. Сигнал от генератора 1 подается на тройник 2, который раэветвляет его на опорный и измерительный каналы 3 и 9. Сигнал опорным каналом 3 через вентиль 4, аттенюатор 5, измерительную линию б и аттенюатор 7 подается на выход вентиля 8, где он поглощается, а измерительным каналом 9 проходит через вентиль 10, аттенюатор 11, измерительную линию 12, высокочастотную головку 19, в которой вставлена короткоэамыкающая перемычка 20, конденсатор

18 и усилитель 17. При этом от входа усилителя 17 часть сигнала отражается, а часть его усиливается и передается через вентиль 8, аттенюатор 7„ измерительную линию б, аттенюатор 5 на вентиль 4, в котором поглощается. 30

В измерительной линии б возникает стоячая волна, исходное положение одного из узлов напряжения которой фикных третьего вентиля, третьего ат40 тенюатора, второй измерительной линии, а также клемм для подключения исследуемого транзистора, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью упрощения процесса измерений и сокращения времени измерений, введен усилитель, вход которого подключен к коллекторной клемме, а его выход — к второму. входу второго вентиля, при этом выход второй измерительной линии соединен с эмиттерной клеммой, а базовая клемма соединена с корпусом. формула изобретения где C — скорость света в вакууме, знак плюс — в случае смещения узла стоячей волны в сторону исследуемого транзистора„ а знак минус — в сторону генератора.

Предлагаемое устройство позволяет упростить процесс измерения и сократить время измерения.

Устройство для измерения граничной частоты транзисторов, содержащее генератор, к выходу которого через тройник подсоединены опорный канал, состоящий из последовательно ссединенных первого вентиля, первогс аттенюатора, первой измерительной линии, второго аттенюатора и второго вентиля, и измерительный канал, состоящий из последовательно соединенсируется зондом 21 измерительной линии 6. Стоячая волна возникает и в измерительной линии 12, где тоже фиксируется зондом 22 положение одного из узлов напряжения. Измерительной линией б или 12 измеряется расстояние Р между соседними узлами стоячей волны.

После подготовки устройства к ра.боте для определения граничной частоты f производится измерение параметров стоячей волны следующим образом.

B высокочастотную головку 19 включается исследуемый транзистор 16 по схеме с общей базой. Сигнал от генератора 1 проходит также, как во время подготовки устройства к работе и образует стоячие волны в измерительных линиях б и 12 На входе исследуемого транзистора 16 измерительной линией

12 измеряется смещение 0„ узла стоячей волны, амплитуда напряжения О,„;„ в узле и амплитуда напряжения U „ в пучности стоячей волны. Измеряется смещение 0 узла стоячей волны на выходе исследуемого транзистора 16 измерительной линией 6..

По измеренным эначениям 8, Р„, 0>, U и Um>> граничная частота f ис тип л ах следуемого транзистора 16 определяется по следующей формуле

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Гольдман Д.С. и др. Измерение

5-параметров СВЧ транзисторов на измерительных линиях. "Вопросы радиоэлектроники". Сер. 9 6, 1974, вып. 5, с. 25-31 (прототип).

842643

Составитель Ь. Кузнецов

Техред Н i Ковалева КорректорО. Билак

Редактор Л.Филь

Заказ 5089/52 Тираж 732 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ф-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Устройство для измерения граничнойчастоты транзисторов Устройство для измерения граничнойчастоты транзисторов Устройство для измерения граничнойчастоты транзисторов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной промышленности и может быть использовано для измерения обратных токов р n переходов диодов, транзисторов и интегральных схем, а также в составе автоматизированных измерительных систем при производстве полупроводниковых приборов

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх