Способ повышения радиационной стойкости кремния

Авторы патента:

H01L21/324 - термическая обработка для модификации характеристик полупроводниковых подложек, например отжиг или спекание (H01L 21/20-H01L 21/288 и H01L 21/302- H01L 21/322 имеют преимущество)

H01L21/263 - с высокой энергией (H01L 21/261 имеет преимущество)

Способ повышения радиационной стойкости кремния, включающий термическую обработку, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств кремния, термическую обработку проводят в интервале температур 500 - 600^oC в течение 100 - 800 ч в неактивной среде.

Способ термообработки кремниевых пластин // 743489

Способ изготовления полупровод-никовых приборов ha ochobe // 723990

Способ отжига дефектов в имплантированных слоях полупроводников // 623439

Состав и способ изготовления полупроводникового нагревательного элемента // 581893

Пьезокерамический материал // 348128

Патент 262861 // 262861

Патент 170122 // 170122

Способ обработки эпитаксиальных слоев кремния // 736219

Способ маркирования участка поверхности полупроводникового кристалла,соответствующего объемному микродефекту // 728183

Способ изготовления термочувствительныхполупроводниковых элементов // 679025

Способ создания в кремнии слоев @ -типа проводимости // 649270

Способ определения глубины нарушенного слоя полупроводниковой пластины // 599662

Способ изготовления полупроводниковых @ - @ -структур // 414925

Способ изготовления биполярных полупроводниковых приборов // 2100871

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Способ обработки лавинных диодов // 2100872

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Способ регулирования величины заряда обратного восстановления полупроводниковых приборов с заданной точностью // 2110113

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов

Способ легирования полупроводниковых пластин // 2111575

Изобретение относится к технике, связанной с процессами легирования и диффузии примесей в полупроводники и металлы, а именно к способам диффузионного перераспределения примеси с поверхности по глубине полупроводниковых пластин путем обработки в потоке электронного пучка, и может быть использовано в пространстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Способ формирования проводящей структуры // 2129320

Изобретение относится к технологии создания сложных проводящих структур с помощью потока заряженных частиц и может быть использовано в микроэлектронике для создания сверхминиатюрных приборов, интегральных схем, запоминающих устройств и оптических элементов

Способ получения кремниевых наноструктур // 2153208

Способ снижения концентрации радиационных дефектов в нейтронно-легированном кремнии при импульсном облучении // 2162256