Состав покрытия для цветных фотошаб-лонов

 

Союз Советских

Социалистических

Респу6лик

О П И С, Vii N E

ИЗОБРЕТЕНИЯ

II *а оРСИО М саи ЯП сп (61) Дополнительное к авт. саид-ву (51)М. Кл. (22) Заявлено 12.1079 (2 () 2830544/29-33 с присоединением заявки йо

С 04 В 41/06

С 23 С 15/00

Государственный коиитет

СССР

AG деааи изооретеиий и открытий (23) Приоритет

Оп у бликов аио 3 0 р 7 81 Бюллетень Но 2 8

Дата опубликования описания 300281 (53) - еЖ ббб. 3 (088.8) (72) Авторы изобретения

B.Ô. Пошивайло, F А. Забила и А.Н. Захаров (71) Заявитель

Особое конструкторско-технологическое бюро гибридных интегральных схем (54) СОСТАВ ПОКРЫТИЯ ДЛЯ ЦВЕТНЫХ ФОТОШАБЛОНОВ

Изобретение относится к производству фотошаблонов, в частноcòè, к составу маскирующего слоя цветных фотошаблонов, и может быть использовано в радиоэлектронной промышленности для изготовления твердотельных и гибридных микросхем.

Известно, что Маскирующий слой цветных фотошаблонов получают реактивным распылением мишеней из желе— за 11.

Наиболее близким к предлагаемому техническим решением является состав покрытия для цветных фотошаблонов,содержащий железо 25 вес.Ъ, 45 вес.% 15 ванадия и активную добавку P2). Предлагаемый состав покрытия голучают реактивным распылением мишени, изготовленной из сплава, указанного выше.

Маскирующее покрытие толщиной

180 нм, полученное реактивным распылением мишени этого состава, имеет практически нулевое пропускаиие света в области длин волн менее 435 нм.

Ванадий в предлагаемом составе использован в качестве материала, улучшающего оптические характеристики (расшнряет полосу поглощения до

435 нм) и параметры травления маскирующего слоя, нлпыленного на стекло, ко ке улучшает механическую прочность к истиранию.

Фотошаблоны, изготовляемые с использованием предлагаемого покрытия, выдерживают 100-125 контактных совмещений с подложкой при выполнении операции фотолитографии.

Однако, так как спектральная чувствительность всех выпускаемых в про,к,халенности фоторезисторов лежит в области длин волн до 520 нм,то использование маскирующих слоев цветных фотошаблонов, полученных по известной технологии, с применением мишени предлагаемого coñòàâà не позволяет использовать в процессе фотолитографии фоторезисторы,спектральная чувствительность которых лежит в области длин волн 435-520 нм.

Цель изобр тения — улучшение оптических характеристик и повышение механической про; ности .к истиранию покрытия.

Поставленная цель достигается тем, что состав покрытия для цветных фотошаблонов, содержащий железо, ванадий и добавку активного металла, в качестве добавки содержит цирконий при следующем соотношении компонентов >, вес.В:

Жез!езо

B.:-. н ад и и 20 25

Цирконий

ОСНОВ М11«ИТ В)-10<3КОй;: ie <ант«ЧЕСКОй ПРОЧП вЂ”, "-.:;; (О (- «ТТ(Н."! В.. ПH - <<«3 (»»». ал 1)от О

ПО !. Л ir (:-1ИЯ С 13 «-Т = HOB à! 111 II,HPE

СКИ(-,ЛЕ, .:,С«31!TIeQТВО Ч11РКОНЕЯ ОПРЕДЕЛЯ<3 т С с Н»-; (1 -. Н О В Е 7(a I, H Ûõ О П т И т Е С K A 1-.

П«(От 1- ОС т. И . .-;., че- Ге,:< показа Граф(«к зависик(осTH Очт)1ЧЕ.,

1 )<.(-)т-! " »д т Т1)и1 0»т 2 0 "" " 1..3 "ч(-" -)1 . "i

3 0 В(. С ° . . I(!3P!- ОНКЯ ° и-)3= -- в(3 пн тто 5 (0 («ьт оп =и(те»" кая и:(гзт(зс«.-т» а,.т*)(р < а (3 е)т)1чи! (.д= .к», 1тp y (чавЂ

I(He GêQç)0 0; (:5 1», ((ст01ззе!бл01-: !, ()Олучee (з1 1й;".3 (ОСНОВ-:=. Вт и,-::ОГО 1;"0 <РЫ3! «и f03н <- -: р а111113 (1)ото«1итс! 130 ай-I H ! o -,: к а ц и р „0 н и я 13:.< Ол(< =ч е с т: e (ie нее 30 =-,ec Ъ i: «3е«1ич(;в)ает продусхани"= с 13C ..- 1l Г) бла (," », Дл«(н волн 4 х 0 2 0 Т-1м

ДО . . и (?i ) - .В1!«аЕТ П1)зочтНССТЬ 1< ИСТИ" (° (! -",„-He (-. 3е ". в Об -) ° —.т",. д;(H лн !

-д .- П; .; »»»» В .) тт I-,«)I

ВЕ (!!»301» ;"<) з(0ЩУ1)(т., (3TIQe Ti ll "!»Е 1 = . - (Н)К )!»< «311)абзлсi((ie (5ото::. а(бзпсв На ССНС)ВЕ:з(а С«<иру)((((3ГС

< о;-.; ив —,- Q (i )(; =) )e!(i!Q Г -,< а т (0)ä Ei(37!«(: а; (- ы (* ч, т-. (< !. T д(тт)i! ВОС; ато(тт»((«)0 ттпя Пр0

9jl ()!

Железо

1зан алий

) ."G

)(1» 3 0-((3;--к; ин. !" 1)»1)3 "

)(<, 48 . p, 280

ТЗ

1 (r

» (..» аз, з(фф ., У)з (!((, 3 Д»(F> Ei k!! Д И . 3 a I< a =-. 5 2 3 9 / 0 тираж 6 6 0 !.Сдписное (фрлйад ((IIII :1аТЕНт" „ ,,;,, > y

:(ий В 1!POI«e С фот СЛ«!1Т ГР д фий

Технолог -(че! кий процесс реаE»TèBHîI3G т«аспыле ни = ми((«е (3 и и - -редл Г аеи<3ГО состава производится при дави=-iH! .:(в рабочей к(3э1ере (2) ".L0 П=! »3 .Меси арГОНа С КИСЛОГзОДОМ â€”.", ООТНО)(«ЕНИН

А,.: 0 = 3: i., после че;0; роволитсЯ

ТОИВЛЕ НИЕ IТОЛ.!iàeÌGÃG HO iP(ТV!R .

ПРИ«< ieH<= НИС ПРЕДЛагc.Е1(С)1 С С:СТ!» а

ПО1(30)1»(Т«з г" П 3 ВО ЛИС Т И. " 1 О: ): В 1 "» а Ь

1(ВЕТНЫ<3 фот(31(«абЛОНЫ, П JE з. СДНЫЕ ПЛЯ

ВКСПОН хРСЗаНИЯ (т)ОТОРЕЗИСТСРСВ (О спектральной чувствитель(1ост)зю;:::-:.

52,. Н1.

ПроЧНОСТH К И С з. ИраН ИБ !10 О .. НС1ВТЕ Н )К) Е<

13 вест нь2»(покрыти)BM почт-* в 2 pi=.e(3, ;Зба» ITЯ.ЧИВаЕT Hei< .,,Т)1(. )0(. -, ), „" (,. »«звт(Ч

Г СС <» В "10)« Знттид «т т ). Гз )3, Н „., !

" »з-!-зЛС(- . С P- з ОДЕ рзКаЩИЙ ЫЕз)«Е 3; В. !»ац....-, и .- )ба в«т,.) «к тив но;-G )(«)eT«) J(31> 0 1

Л и ч а Б i!1, и и G я ЕК(, ((e «1»В И» Л „J -1)(1Е и И и 0 П Т И Ч Е С К(7 и К а О! а К Т1 Е—

ОИГ 111TH И УВ<3ЛИЧРНИЯ ivle«" атзи<:ЕС1 С« прочно:= » к ис1ир EIH!o яаскиру1с.-;е — О с<10 Г з GE l3;< Ч ест в е ДОбавке с!Ст(СР (.13т («1< ок(3 Т(-„.1 i-,p "((-:лев-,,»..,-(ei,,; сост (3 т,;- и «3 и

;.,Гзи H „=,"т-.в(Е ВО ВH!ii)-.а НИ= ПPЧ 3 "=! Е -" .. -: =- -"Паi ..:!.T «ШЯ . - (» (3 . Т- - i (.Л: « - .: . !. 11 i OJII 1: