Способ измерения характеристик управления магниточувствительностью полевых магнитотранзисторов

 

й

ЫИБ Й (72) Авторы нэобретення

А.В.Рагаускас и В.Q.Ìàíþøèòå

Каунасский политехнический институт им. Антанаса Сиечкуса (73) Заявнтель (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК УПРАВЛЕНИЯ

МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬИ ПОЛЕВЫХ

МАГНИТОТРАНЗИСТОРОВ

Изобретение относится к электронной промышленности и может найти применение при исследовании характеристик магнитотранэисторов, а также для контроля их качества в процессе

% изготовления.

Известен способ измерения электрофизических характеристик полупроводника,.заключаиицийся в том, что полупроводниковый образец помещают

10 в скрещенные электрическое и магнитное поля, измеряют их величину и регистрируют сигнал на поверхности по, лупроводника t.l), Однако известный способ не обеспечивает возможности измерения характеркстик управления магниточувствительностью магнитотранзисторов.

Наиболее близким к предлагаемому является способ, заключающийся в воздействии на испытуемый прибор постоянным магнитным полем, пропускании через его токовые электроды постоянного тока питания, подаче на его полевые электроды управляющего напряжения и в регистрации амплитуды его выходного напряжения (.23.

Недостатками указанного способа являются трудоемкость процесса измерения и узкие функциональные возможности, так как измеряется только одна характеристика управления магниточувствительностью прибора.

При технологическом контроле или при исследовании магнитотранзисторов со структурой металл-диэлектрикполупроводник-диэлектрик-металл (МДПДМ) необходимо одновременно измерять три характеристики управления магниточувствительностью прн управлении на первый, второй и на оба по левых электрода.

Цель изобретения - уменьшение времени измерений и расширение функциональных возможностей.

Поставленная цель достигается тем, что в способе измерения характеристик управления магниточувствительностью

894618, полевых магнитотранзисторов, заключающемся в воздействии на испытуе:ый прибор постоянным магнитным полем, пропускании через его токовые электроды постоянного тока питания, подача на его полевые электроды управляющйх .напряжений и в регистрации амплитуды

его выходного напряжения, в качестве одного управлякщего напряжения используется периодическая последова- >0 тельность прямоугольных видеоимпуль-, сов, а в качестве второго — сдвину" тая последовательность противоположной полярности с амплитудой, изменяющейся по линейному закону, дли- . И тельность импульсов которых устанавливают больше удвоенной длительности переходной характеристики магнито- транзистора, а временной сдвиг устанавливают больше длительности пере- 20 ходной характеристики магнитотранзис» тора, причем параметры характеристики управления при модуляции на первый полевой электрод определяют по амплитуде первой ступени выходного 25 ступенчатого импульса напряжения магнитотранзистора, параметры характеристики управления при модуляции на оба полевых электрода определяют по амплитуде второй ступени, а параметры З0 характеристики управления при модуляции на второй полевой электрод определяют по амплитуде третьей ступени.

На фиг. l изображены временные диаграммы управляющих напряжений

Uj(t) и Ug(t), представляющие собой сдвинутые во времени последовательности видеоимпульсов противоположной полярности с амплитудой, нарастающей по линейному законуу и диаграмма вы 40 ходного напряжения магнитотранзистора

Щ й), представляющая собой импульсы ступенчатой формы, на фиг. 2 — функциональная схема устройства для осуществления способа измерения характе- 4 ристик управления магниточувствительностью магнитотранзистора. устройство содержит магнитотранзистор 1 с токовыми электродами 2 и

3 пофкюйоченными к источнику 4 поЭ

50 стоянного тока, и полевыми электродами 5 и 6, соединенными с выходами импульсного генератора 6. Испытуемый прйбор помещен в постоянное магнитное поле, создаваемое электромагнитом

8.. Токовый электрод 2 магннтотранзистора 1 через переключатель 9 соединен со входами преобразователей

10-12 амплитуда видеоимпульса-цифра, выходы которых подключены через переключатель 13 ко входу вертикальной развертки цифрового графопостроителя 14. Вход горизонтальной развертки цифрового графопостроителя 14, а также входы управления преобразователей 10, .11 и 12, импульсного генератора 7 и переключателей 9 и 13 соединены с блоком 15 управления.

Способ осуществляется следующим образом.

В момент времени t импульсом, поступающим с блока 15 управления, запускается импульсный генератор 7, на выходе которого формируется видео импульс положительной полярности.

Дпительность этого импульса с устанавливают больше удвоенной длительности переходной характеристики магннтотранзистора. Одновременно импульсами, поступающими с блока управления, запускается, горизонтальная развертка цифрового графопостроения 14, .переключатедь 9 приводится в положение, при котором выход преобразователя 10 соединен со входом цифрового графопостроителя 14, на котором при этом фиксируется первая точка характеристики управления при модуляции на первый полевой электрод

5 магнитотранзистора l.

В момент времени Q с блока 15 управления поступает следующий импульс, в результате чего на выходе импульсного генератора формируется импульс отрицательной полярности, поступающий иа полевой электрод 6 магннтотранзистора 1. Временной сдвиг между импульсами устанавливают больше длительности переходной характеристики магнитотранзистора. Одновременно переключатель 9 отключает от выхода магнитотранзнстора преобразователь 10 и подключает преобразователь 11, а переключатель 13 отключает выход преобразователя 10 от входа цифрового графопостроителя 14 и подключает к нему выход преобразователя 11. При этом .на цифровом графопостроителе. фиксируется первая точка характеристики управления при модуляции на оба полевых электрода.

В момент. времени ь импульсами, поступшщими с блока управления, первый выход импульсного генератора закрывается, переключатель 9 приводится в положение, при котором к выходу магнитотранэистора 1 подключен вход преобразователя 12 выход

894618 которого через переключатель 13 сое. диняется с цифровым графопостроителем 14, на котором при этом фиксируется первая точка характеристики управления при модуляции на второй полевой электрод 6 магнитотранэистора 1.

После записи в момент времени, импульсами, поступающими с блока управления, осуществляется сброс и под- 14 готовка преобразователей к следующему такту. Работа устройства во втором и последующих тактах аналогична работе в первом с той разницей, что амплитуда импульсов, посту-пающих на полевые электроды, увеличивается от такта к такту по линейному закону.

Таким образом, предлагаемый спо- соб измерения характеристик управления магниточувствительностью магнитотранзисторов обеспечивает возможность одновременного измерения сразу трех характеристик управления, что увеличивает функциональные возможности, производительность, а также позволяет автоматизировать процесс измерения.

Формула изобретения

Способ измерения характеристик упг" равления магниточувствительностью полевых магнитотранзисторов, заключающийся в воздействии на испытуемый прибор постоянным магнитным полем, и .пропускании через его токовые электроды постоянного тока питания, подаче на его полевые электроды управляющих напряжений и в регистрации амплитуды его выходного напряжения, 4ф отличающийся тем, что, с целью уменьшения времени измерений н расширения функциональных воэможностей, в качестве одного управлякщего напряжения используется периодическая последовательность прямоугольных видеоимпульсов, а в качестве второго - сдвинутая последовательность противоположной полярности с амплитудой, изменяющейся по линейному закону, длительность импульсов которых устанавливают боль ше удвоенной длительности переходной характеристики магнитотранзистора, а временной сдвиг устанавливают больше длительности переходной характеристики магнитотранзистора, причем параметры характеристики управления при модуляции на первый полевой электрод определяют по амплитуде первой ступени выходного ступенчатого импульса напряжения магнитотранзистора, параметры характеристики управления при модуляции на оба полевых электрода определяют по амплитуде второй ступени, а параметры характеристики управления при модуляции на второй полевой электрод определяют по амплитуде третьей ступени.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Chovet А. Study of recombination processes from the magnetoconcentrat!оп е fects. - "РЬуз1са

status Solidi (а)", 1975, Vol. 28, У 2, р. 633.

2. Авторское свидетельство СССР

В 661437, кл. G 01 R 31/26, 1979 (прототип).