Устройство для измерения профиля легирующей примеси в полупроводниковых структурах

 

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПРОФИЛЯ ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ по авт.св. № 805781, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью увеличения точности и расширения диапазона измерения , в него введен делитель напряжения ,, верхнее плечо которого соединено с выходом управляемого источника второй гармоники и входом селективного вольтметра второй гармоники, а нижнее плечо - с коммутатором; 4-4 3 т. г

00

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК ив (и) SU, g(5g G 01 R 31/26

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН

Й АВТОФСНО4М СЩЩЕТИПЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (61) 805781 (21) 2935573/18-21 (22) .21.05.80 (46) 30.05.84. Вюл. Ф 20 (72) А.С.Сергеев (71) Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском ордена Трудового Красного Знамени государственном университете им.Н.Г.Чернышевского (53) 621.382.2(088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

Р 805781, кл. G 01 R 31/26, 1980. (54) (57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПРО-.

ФИЛЯ ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ по авт.св.

У 805781, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью увеличения точности и расширения диапазона измерения, в. него введен делитель напряжения, верхнее плечо которого соединено с выходом управляемого источника второй гармоники и входом селективного вольтметра второй гармоники, а нижнее плечо — с коммутатором;

902600. Изобретение относится к электронной промышленности, предназначено для измерения профиля распределения легирующей примеси в полупроводниковых структурах с помощью резкого диффузионного р-п-перехода или барьера Шоттки и может быть применено при разработке и производстве полупроводниковых приборов различных типов.

Недостатком этого устройства является снижение точности измерений при исследовании высоколегированных материалов. Связано это с тем, что с уве50 личением концентрации в обратной пропорции уменьшается амплитуда напряжения второй гармоники, подлежащая измерению. Измерение же малых напряжений имеет определенные трудности, SS поскольку из-за наличия тепловых шумов исследуемой структуры, контура, входных цепей и входных каскадов селективных вольтметров резко снижается

По освновному авт.св. Р 805781 известно устройство для измерения профиля легирующей примеси, содержащее источник обратного смешения, управляемый генератор гармонических колебаний, параллельный колебательный контур, настроенный на вторую гармонику колебаний генератора, селективные вольтметры первой и второй гармоник, фильтр первой гармоники, причем испытуемая структура включена между выходом источника обратного смешения и параллельным колебатель.— ным контуром, соединенным через

25 фильтр первой гармоники с регулирующим входом управляемого генератора гармонических колебаний, регулируемый выход которого подключен к селективному вольтметру первой гарманики, управляемый источник второй гармоники, коммутатор и фильтр, выделяющий вторую гармонику, причем коммутатор соединен с регулируемым выходом управляемого генератора гар- 35 монических колебаний, с выходом источника обратного смешения, селектив ным вольтметром второй гармоники и выходом управляемого источника второй гармоники, сигнальный вход которого 40 соединен с нерегулируемым выходом генератора, а регулирующий вход через фильтр, выделяющий вторую гармонику, подключен к колебательному контуру 45 точность измерений с уменьшением амплитуды измеряемого напряжения, что в конечном счете в указанном устройстве приводит к снижению точности и ограничению диапазона измерения концентрации примеси.

Целью изобретения является увеличение точности и расширение диапазона измерений °

Поставленная цель достигается тем, что в устройство введен делитель напряжения, верхнее плечо которого соединено с выходом управляемого источника второй гармоники и входом селективного вольтметра второй гармоники, а нижнее плечо — с коммутатором.

На чертеже приведена функциональная схема устройства.

Устройство содержит управляемый генератор 1 гармонических колебаний частоты (d, испытуемую структуру 2, параллельный колебательный контур 3, настроенный на частоту 2 М, источник обратного смещения 4, селективные вольтметры 5 и 6 первой и второй гармоник соответственно, фильтр первой гармоники 7, кбммутатор 8, управляемый источник второй гармоники 9, фильтр второй гармоники 10 и делитель напряжения 11.

Устройство работает следующим образом.

С выхода управляемого генератора

1 гармонические колебания частоты и) через контакты коммутатора 8 подаются на измерительную цепь, представляющую собой последовательное соединение испытуемой структуры 2 и колебательного контура 3, имеющего резонанс на частоте. 2И . Сюда же поступает напряжение обратного смещения от источника 4.

Под действием протекающего через образец гармонического тока частотыО из-за нелинейных свойств барьерной емкости появляется ток второй гармоники. Оба тока создают на контуре 3 падения напряжений первой и второй гармоник. Напряжение первой гармоники выделяется с помощью фильтра первой гармоники 7 и используется для управления выходным напряжением генератора 1 с тем расчетом, что при изменениях барьерной емкости структуры 2 оставалось постоянным падение напряжения первой гармоники на колебательном контуре 3. Это одновременно

Выходное напряжение управляемого источника 9, обратно пропорциональное концентрации примеси, измеряется. селектнвным вольтметром 6.

Когда на выход управляемого источника второй гармоники 9 включен делитель 11 напряжения (например, на со- . противлениях Й1и P ) с коэффициентом г

2 деления к = к 1 нижнее

* р+Р Р„

1 плечо которого соединено с коммутатором 8, то в этом случае разница между падением напряжения второй гармоники на контуре в положениях а но коммутатора будет равна нулю, когда выходное напряжение источника 9 в 1/ К* раз больше падения напряжения второй гармоники на структуре 2 при протекании через последний тока первой гармоники. Следовательно вольтметр 6 будет измерять напряжение, в 1/Кд раз большее, чем в прототипе, а для получе ния величины, обратно пропорциональной концентрации, его показания следует уменьшить в такое же число раз. Используя делитель, устройство может оставаться работоспбсобным, пока падение напряжения второй гармоники на контуре будет пре- . вышать напряжение шумов,, а наличие самих шумов при Tàêîì условии никак не скажется на точности измерений выходного напряжения источни ка 9. рения.

Н.Чистякова

Корректор Л.йеньо бинчак

Тираж 711 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 3926/4

Филиал ППП "Патент", г.

3 9026 будет означать цостоянство тока через испытуемый образец. Тогда напряжение на выходе генератора будет целиком определяться величиной барьерной емкости, а:именно будет прямо пропорцио- > нально ширине обедненной области,т.е. глубине, на которой измеряется концентрация примеси. Выходное напряжение генератора 1, соответствующее

1 ,этой. глубине, измеряется селективным вольтметром 5.

Измерение величины напряжения второй гармоники, обратно пропорциональной концентрации, производится методом замещения. Для этого напряжение второй гармоники выделяется с помощью фильтра второй гармоники 10 и запоминается (фиксируется). Затем контакты коммутатора 8 переводятся в другое положение (б), и на ту же измери- 2п тельную цепь при тех же самых условиях подается напряжение второй гармоники с управляемого источника второй . гармоники 9 такой величины, чтобы напряжение на выходе фильтра 10 было Б тем же, что и ранее, когда контакты коммутатора 8 находились в положении С1 . Это будет означать, что падение напряжения второй гармоники на колебательном контуре 3 в первом 3О ! и втором случае одинаково, а напряжение на выходе управляемого источника 9 равно напряжению второй гармоники, возникающему в структуре 2 при протекании через него тока первой гармо-35 ,ники, поскольку и то, и другое напряжения создают на контуре 3 падение напряжения второй гармоники одинаковой величины. На регулирующий вход источника 9 с выхода фильтра 10 подается 4о напряжение так, чтобы свести к нулю разницу между падением напряжения второй гармоники, возникающим на кон. туре 3 при прохождении через структуру 2 тока основной частоты и падением45 напряжения второй гармоники при пода,че на измерительную цепь напряжения второй гармоники с управляемого источника второй гармоники 9, т.е. в положения 6 и b коммутатора 8.

Составитель

Редактор Л.Утехина ТехРед Т.Ду

Кроме того, вольтметр 6 может быть выполнен. конструктивно проще. Вопервых, он может быть не селективным, а широкополосным, поскольку здесь ограничение его полосы пропускания с целью уменьшения влияния шумов не требуется и, во-вторых, вольтметр 6 может иметь значительно меньший динамический диапазон за счет появившейся воэможности изменения величин Я и R2, что приводит к улучшению условий проведения измеУжгород., ул. Проектная, 4

Устройство для измерения профиля легирующей примеси в полупроводниковых структурах Устройство для измерения профиля легирующей примеси в полупроводниковых структурах Устройство для измерения профиля легирующей примеси в полупроводниковых структурах 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх