Способ изготовления акустических преобразователей с переменным акустическим сопротивлением

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

<1906035 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 200380 (?1) 2892253/18-10 с присоединением заявки Йо

Р1)М К з

Н 04 R 21/00

Государственный комитет

СССР но делам изобретений н открытий (23) Приоритет

f53) УДК 534.232 (088.8) Опубликовано 15.02.82. Бюллетень N9 б

Дата опубликования описания 150282 (72) Авторы изобретения

T.Ï. Чернецкий и A ° Â. Черняев (73) Заявитель (54) спОсОБ изГОтОВлет ия Акустических пРеОБРАзОВАтелея

С ПЕРЕМЕННЫМ АКУСТИЧЕСКИМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ l0

25

Изобретение относится к электромеханическим преобра ователям, а именно к способам изготовления.акустических преобразователей с переменным акустическим сопротивлением.

Известен способ изготовления акустических преобразователей с переменным акустическим сопротивлением путем выжигания слоя меди (1).

Известный способ обеспечивает относительную простоту процесса изготовления акустических преобразователей с переменным акустическим сопротивлением, однако не позволяет получить достаточно высокие акустические параметры.

Известен также способ изготовления акустических преобразователей с переменным акустическим сопротивлением путем ионного легирования акустического слоя полупроводника типа A 8 5 и последующего отжига.

Этот сйособ позволяет обеспечить относительно высокие акустические параметры (2).

Недостаток данного способа состоит B значительном разбросе параметров изготовленных в соответствии, с ним акустических преобразователей . с переменным акустическим сопротивлением.

Цель изобретения — уменьшение разброса параметров акустических преобразователей с переменным акустическим сопротивлением.

Цель достигается тем, что ионное легирование акустического слоя полупроводника типа AЗВ с производят имплантацией в него комплексных ионов кремния или серы, в состав которых входят атомы или ионы кислорода.

Изготовление акустических преобразователей с переменным акустическим сопротивлением происходит следующим образом. Посредством ионной пушки производят ионное легирование акустического слоя полупроводника типа А>В5. Ионное легирование акустического слоя полупроводника Ат,В 5 осуществляют имплантацией в него комплексных ионов кремния, в состав которых входят атомы или ионы кислорода, либо комплексных ионов серы, в состав которых входят атомы или ионы кислорода. После ионного легирования акустического слоя полупроI водника типа А В 5 осуществляют отжиг.

906035

Формула изобретения

Составитель Е. Розанов

Редактор М. Дылын Техред Ж. Кастелевич Корректор О. Билак

Заказ 399/75 . Тираок 684 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035„ Москв,а, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Исюэиьзввание предложенного иэобретениж:повволяет в значительной ст@пени уменьшить разброс параметров анИатических преобразователей с подменным акустическим сопротивлением и обеспечивает также получение высоких акустических параметров акустических преобразователей с переменным акустическим сопротивлением.

Способ изготовления акустических преобразователей с переменным акустическим сопротивлением путем ионного легирования акустического слоя Я полупроводника типа А В и последующего отжига, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью уменьшения разброса параметров акустических преобразователей с переменным акустическим сопротивлением, ионное легирование акустического слоя полупроводника типа А В производят имплантацией в него комплексных ионов кремния или серы, в состав которых входят атомы или ионы кислорода.

Источники инФормации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент Японии 9 42-25693, кл. С 23 (5) 99, 1967.

2. Намба М. Технология ионного легирования. М., Советское радио

1974, с. 108 (прототип).