Резистивный материал
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ .К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
„„911630 (61) Дополнительное к авт, свид-ву(22) Заявлено 180280 (21) 2882451/18-21 (И1М.Кл. с присоединением заявки ¹Н 01 С 7/00
Государственный комитет
СССР
IIo делам изобретений и открытий (23) Приоритет—
Опубликовано 07,03Я 2. Бюллетень ¹9
Дате опубликования описания 070382 (Щ УДК 621. 315. .5 (088.8) (72) Авторы изобретения
Г .В.Соломенников,. С.И.Карабанов и Ю.Т Рябов и- а;„
Рязанский радиотехнический институт с (71) Заявитель.
»" с
74 » ц (54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления резисторов с поло" жительным температурным коэффициентом сопротивления (ТКС).
Известен резистивный материал,который используют для изготовления резисторов с большим положительньве
ТКС, (поэисторов). Это титанат бария и айалогичныв ему материалы fl).
Однако технология изготовления резисторов из них не совместима с технологией микроэлектроники»
Наиболее близким к предлагаемому. по технической сущности является резистивный материал на основе керметов с положительньва ТКС, содержавший диоксид кремния (БАО ) (2).
Однако величина TKC у этих материалов незначительна и составляет величину порядка 10 1/ C..
Цель изобретения - увеличение температурного коэффициента сопротивления.;
Поставленная цель достигается. что резистивный материал на основе диоксида кремния (SiO ) с положительным температурным коэффициентом сопротивления, дополнительно содержит окись хрома (CrgOg) при следующем,количественном соотношении компонвн тов, вес.Ъг
Лиоксид кремния $101 20"80
Окись хрома Cr<01 Остальное
На чертеже показана зависимость
ТКС резистора от состава исходной смеси.
Прн изменении содержания двуокиси кремния в реэистивном материале
20-80В ТКС имеет положительную величину.
В зависимости от состава величина
TKC измеряется в широких пределах.
Лля состава, содержащего 15% Сг О величина ТКС равна 10 1/оС, а для состава с ЗОВ СгоОк - 55 1/oÑ. При содержании Cr@Oq более 90% величина
ТКС становится отрицательной.
Температурная зависимость сопротивления аналогична температурной зависимости сопротивления позисторов.
Удельное сопротивление резистивнога материала в области низких температур составляет 10 -10ь Ом см,что позволяет изготовлять микрорвзнсторы для микроэлектронных схем.
Ниже приведены конкретные примеры изготовления реэистивных материалов
;предлагаемого состава с различньм
911630 TKC, Температурный
l/oC диапазон, С
Материал, Ф
° »»юане»»»»аа»»ааааа»»» а
55 . 20-60
38
20 ° 1 1
Ыи ажр T G nm пюлякЖ лесями
ВНИИПИ Заказ 1140/46 Тираж 758 Подписное
Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная,4 содержанием-компонентов и их характеристики ° .
Технология изготовления реэистивного слоя проста и полностью с >вмвстима с технологией микроэлектроники.
Исходные компоненты рвзистивного материала предварительно тща свльно перемешивают, затем прессуют и помещают в тигель иэ тугоплавкого материала (Моу АЙ 06). Нанесение реэистивного материала осуществляется мв° й
310% (70) Ск 103 (30)
Sk0g (85) - Cr 10 (15) SiO< (50) - Cr O (50)
SiO> (30) - Cr O (70) Формула изобретения 2$
Резистивный материал на основе диоксида кремния (S10g) с положительннж температурным коэффициентс м сопротивления, о т л и ч а ю щ и. йс я тем, что, с целью увеличения . 36
;температурного коэффициента сопротив:ления, он дополнительно содержит .окись хрома (СТО ) при следующем количественном соотношении компонен тов ° весФ! тодом электронно-лучевого испарения, который обеспечивает .наибольшую чистоту процесса испарения и сохранение ствхиаметричности резистивного мате" риала при испарении.
Использование предлагаемого реэистивного материала позволит создать микрореэисторы с большим положительным ТКС для микросхем, используемых в раэличнйх устройствах автоматики °
Диоксид кремния (S10@) 20-80
Окись хрома (Cr 03) Остальное
Источники информации, принятые во внимание прн экспертизе
l. Шефтель И.T.Òâðìîðåýècòîðû.È., Наука 1973.
2. Технология тонких пленок, т.2. Под ред. Л.Майсепла и P.Ãëýíãà. .М., Советское радио, с.596(прототип) .
