Способ изгиба кристалла

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

O fl И С А H И Е < 912521

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свнд-ву 1- 799959 (22)Заявлено 25.02.80 (21) 2888554/29-33 (51)М. КЛ.

В 28 0 5/00 с присоединением заявки № (28) Приоритет

Гоаударатееииый каиитет

СССР (53) УДК 679.8. .02(088 ° 8) па делзи изабретеиий и атхрытий

Опубликовано!5.03.82. Бюллетень № 10

Дата опубликования описания 15.03,82. (72) Авторы изобретения

С.А.Воробьев и Е.H.Ðîçóì

1т 5.;

Научно-исследовательский институт ядерной при Томском политехническом институте им. С зикит :.1, .;. (71) Заявитель (54) 10 стиц.

Изобретение относится к тонкой обработке кристаллов и может быть использовано для изгиба кристаллов, применяемых в качестве дифракционных решеток в кристалл"дифракционных гамма-спектрометрах с изогнутым кристаллом, для отклонения пучков заряженных частиц методом каналирования и для получения электромагнитного излучения пучков отклоняемых чаПо основному авт, св. В 799959 известен способ изгиба кристалла, включающий введение кристалла в кон15 такт с пластиной и пало кение на пластину внешних изгибающих сил, причем введение кристалла в контакт с пластиной осуществляют в вакууме при 200-1200аС путем напыле20 ния на одну из поверхностен кристалла слоя материала, коэффициент теплового расширения которого не равен коэффициенту теплового расширения кристалла, а наложение на пластину внешних изгибающих сил осуществляют охлаждением кристалла и пластины до )8-22 С (1j .

Цель изобретения — получение кристалла с неравномерным радиусом изгиба.

Указанная цель достигается тем, что в способе изгиба кристалла в контакт с пластиной вводят кристалл с переменной толщиной по его длине.

Способ осуществляется следукецим образом.

Ионокристаллическую пластину предварительно. выполняют неравномерной по толщине, например, в виде клина. При охлаждении такого кристалла и нанесенной на его поверхность пленки, равномерной по толщине, но имеющей больший (или меньший) коэффициент теплового расширения, на поверхность кристалла в месте контакта его с пленкой действует сжимающее (или растягивающее) усилие, одинаФормула изобретения

Составитель Х.Хамидулов

Техред M. Надь Корректор A.Ôåðåíö

Редактор Н.Воловик

Заказ 1257/23 Тираж 604 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал !ИП1 "Патент", г. Ужгород. ул. Проектная, 4 3 91252 I ковое по всей поверхности. Однако за, счет неравномерной жесткости кристалла, — в сечении с меньшей толщиной она меньше, в сечении с большей толщиной — больше, кристалл изгибается также неравномерно, — в местах меньшей толщины радиус изгиба меньше, в местах большей толщины радиус изгиба больше.

II р и м е р. Кристалл кремния 1О (n-типа, бездислокационный, коэффициент расширения d(=4,2 ° 10 град

-б удельное сопротивлениер =100 ом/см предварительно шлифуют и изготавливают в виде клина со следующими раз- 1 мерами: длина 20 мм, ширина 20 мм, толщина у основания 200 мкм, толщио на у вершины 20 мкм, угол 5 . На отшлифованную и полированную поверхность кристаллической пластины наносят слой S10 (коэффициент теплового расширения 6..=3 IO ãðàä ) методом катодного распыления в вакууме на установке УВР-2 при 400 С. Затем кристалл медленно охлаждают до 20 С и извлекают из вакуума. Толщину нанесенного слоя контролируют микроинтерферометром MHM-4. Радиус изгиба определяют оптическим методом на установке OCK-I, Полученный радиус изгиба изменяется по закону К=А Х где 1 — по-! стоянная, зависящая от упругих свойств

4 пленки и кристалла, геометрических размеров кристалла и составляет от

R 800 см у основания клиновидного кристалла до К = 100 см у его вершины.

При предварительном изготовлении кристалла другой заданной формы можно получить заданные законы и величины кривизны изогнутых кристаллов.

Использование предлагаемого способа изгиба кристалла позволяет создатьнеравномерно изогнутые кристаллы, регулировать радиус изгиба кристаллов с возможностью задания закона изменения кривизны кристалла. Это необходимо для регулирования частоты получаемого излучения и поворота изгиба частиц на различные углы.

Способ изгиба кристаллов по авт. св. М 799959, о т л и ч а ю щ и й— с я тем, что,. с целью получения кристалла с неравномерным радиусом изгиба, в контакт с пластиной вводят кристалл с переменной толщиной по длине.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

II - 799959, кл. В 28 0 5/00, 1977.