Композиция подслоя для полиэтилентерефталатной основы

 

Союз Советсккк

Соцкалмсткческык

Республик

ОП ИСАЙИ Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1п 934441 (6l ) Дополнительное к авт. свид-ву (22)Заявлено28.03.80 (23) 2926375i23-04 с присоединением заявки М (23) Пркоритет—

Опубликовано 07.06.82. Бюллетень РЙ 21

Дата опубликования описания 07.06.82 (5l)N. КлЯ 03 С 1/80

»13ау%фстаакнын какнтвт

CCCP ао делан наабратеннй к атарнтнй (53) УДК771.5 (088.8) А. А. Кириков, С. А. Монахов, М.

В. И. Зыков, Г. А. Быркина, И. Л.

Г. Л. Хромов и A. Б. нюков, пкпн, (72) Авторы изобретения. (71) Заявитель

Московский технологиче (54) КОМПОЗИЦИЯ ПОДСЛОЯ ДЛЯ ПОЛИЭТИЛЕНТЕРЕФТАЛАТНОЙ

ОСНОВЫ

Изобретение относится к разработке адгезионного подслоя двухосноориентированной и термофиксированной полиэтилентерефталатной основы (ПУФ-основы) однослойным подслоем и может быть использовано при производстве кинофотома5 териалов со светочувствительной желатиновой эмульсией.

Пленки из попиэтнлентерефталата вследствие их высокой гидрофобности и кристалличн ости тру цно скрепляются с желати-, .

lO новой светочувствительной фотоэмульсией.

Известна композиция адгезионного подслоя полиэтилентерефталатной основы ки нофотоматериалов, включающая пленкообраэуютций компонент-сополимер метил15 метакрилата и маленнового ангидрида (70130), ацетон и активный раствори-. тель - хлор-метакрезол 313.

Недостатком указанной композиции ssu ляется то, что она не обеспечивает удовлетворительной адгезии эмупьсионного слоя кинофотоматериала к попнэтилентерефталатной подложке, другим недостатком указанной композиции является то, что сушку указанной композиции, нанесенной на полиэтилентерефталатную подложку необходимо проводить при высокой температуре (130оС) в течение длительного времени(10мин),что усложняет процесс.

Цепь изобретения - повышение адгеэии эмульсионного слоя материала к ос-. нове и упрощение процесса.

Поставленная цепь достигается тем, что композиция адгезионного подспоя, включающая пленкообразующий компонент, активный растворитепь и ацетон, в качестве пленкообразующего компонента содержит сополимер акриламцда, винилпнрролндона и этилакрилата общей структурной формулы

СНе- CH — — -СИе-СН вЂ” — — CHа- СК1 „1 Я»

ОСЯЫ " . ОСОСаЫ

ыс со

5

2>С СН, где n - бО моп.ь;

20 моп,%3 р - 20 мол.%.

934441

3 мол. вес. 200000-250000, в качестве активного растворителя феноп, и дополнительно содержит метипенхлорид при следуюшем соотношении компонентов, вес.%: 5

Сополимер структурной формулы Г 0,3-1,0

Фенол 5,0-1 5,0

Ацетон 1 0,0 -25,0

Метиленхлорид Остальное 10

Укаэанный подслой наносят в количестве 10-100 мг/м и сушат при 7080 С в течение 4-5 мин. ПЭТФ-подложка с однослойным подслоем, выполненным из предлагаемой композиции имеет ловы- 15 шенную прочность скрепления с фотоэмуль- сионным слоем в сухом и мокром виде, меньшее время и температуру подслоировайия.

Предлагаемая композиция пригодна для подслоирования ЦЭТФ-основы тошциной от 40 до 200 мкм при изготовлении рентгеновских фототехнических и технических фотоматериалов; на фотографические характеристики фотоматериалов влияния не оказывает.

Композиция подслоя обладает химической и физической стабильностью в диапазоне температур (-10)-(+120) С. С момента нанесения на ПЭТФ-основу в течение 6 мес. хранения при +25оС не теряет своих свойств к подложке.

Методом косого разрыва установлено, что адгеэия фотоэмупьсии к основе в процессе хранения пленки в течение го да не ухудшается как до, так и после химико-фотографической обработки.

Поскольку, прочность держания фотоэмульсионного слоя на подложке, обработанной рекомендуемой композицией подслоя, в мокром виде несколько ниже, чем для серийного двухслойного подспоя, рекомендуется вести ручную химико-фотографическую обработку.

Пример 1. 0,6 вес.% сополимера акриламиса, винилпирролидона и этилакрилата структурной формулы I растворяют в 10,0 aecc.% фено р 80 С. 3 тем полученный вязкий раствор при перемешивании растворяют в 74,4 вес.% метиленхлорида. Для получения дисперсии, 50 при активном перемешивании в систему тонкой струей вводят 15,0 вес.% ацетона.

Полученную дисперсию наносят не

ПЭТФ-основу и сушат при 70оС 5 мин.

Скрепление обработанной подслоем

ПЭТФ-основы с желатиновой фотоэмупьсией оценивается общепринятой методикой "косого разрыва, сущность которой состоит в том, что высушенная после полива фотоэмульсии ПЭТФ-основа надреэается под углом 45 к параллельным надо резам эмупьсионного слоя и разрывается.

Величина "усов" фотоэмупьсионного слоя (в мм) оценивается при этом по пятибалльной системе. Наилучшее скрепление фотоэмульсионного слоя с подложкой характеризует отсутствие "усов", которое оценивается 5 баллами.

Скрепление ПЭТФ-основы с фотоэмульсией с помошью подслоя, приведенного в примере 1, равно 3 баллам.

Пример 2, 0,3 вес.% сополимера акриламида, винилпирролидона и этипакрилата структурной формулы Г растворяют в 5 вес.% фенола в условиях,аналогичных примеру 1. Раствор полимера в феноле растворяют в 84,7% метиленхлорида и при перемешивании вводят

10 вес.% ацетона. Полученную дисперсию наносят на ПЭТФ-основу и сушат при

80оС 4 мин.

Скрепление ПЭТФ-основы, обработан« ной подслоем, с желатиновой фотоэмульсией равно 3 баллам.

П р и м.е р 3. 1 вес.% сополимера акриламида, винилпирролидона и этилакрилата структурной формулы Г растворяют в 15 вес,% фенола. Аналогично примерам 1 и 2 вводят метиленхлорид (59 вес.%) и ацетон (25 вес.%). дисперсию наносят на ПЭТФ-основу и сушат при 80 С 5 мин. Скрепление ПЭТФ-основы, обработанной подслоем, с желатиновой фотоэмульсией равно 3.

Сравнительные испытания прочности скрепления ПЗТФ-основы с фотоэмульсией предлагаемым и известным способами и фотосвойств композиций приведены в табл. 1-3, °

Из приведенных в табл. 1-3 денных следует, что предлагаемая композиция позволяет увеличить прочность скрепления ПЭТФ-основы с желатиновой фото.эмульсией наряду с улучшением технологических параметров процесса подслоирования при сохранении фотографических ха рактеристик фотоматериала. Производительность поцслоирования при этом может быть увеличена в 2 раза.

934441

Косой разрыв (по пятибаппьной системе) 2

Температура сушки, о С 130

80

Время сушки подслоя, мин

Твбляна 2

Сввточувствятвш носзь (9 0,20) 100

80 105 95

Светочувствнтвльность (S 0,85) 450

300 500 400

Олтичвскея нжл ность нуара (Do) 0,09

0,12

О 09 0,12

0,15

Адгвзня по косо» му рвзрмву (в баллок) 0

Таблица 3

Светочувс твитепьность (0,20) 105

105

Све точувстви те пьность (S 0,85) 500

500 а

Прочность эмульснонного слоя ао химико-фотографической обрвботки илоеля, г (мокров состоаяив) 800/500 600/450 700/400 550/300 650/400 550/300 550/300 450/2;><

934441

Прополженне табл. 3

PT-2 эмульсия

ФТ-12 эмульсия

Эмульсия, нанесенная через 6 мес. после аослонрования основы

Эмульсия, на несенная на свежий по слой

Эмульсия, нанесенная через 6 мес. после аослонровання основы

Эмульсия нанесенная на свежий попслой

Показатели

Оптнческая плотность вуали (Qp) О,Q9

0,09

0,15

0,15

Адгезня по "косому разрыву" (в баллах) Прочность эмупьснонного слоя в мокром состоянии до хнмнко-фотографнческой обработки н после, г

700/400

Составитель Е. Головлева

Редактор Е, Папп Техред E.Õàðèòîí÷èê ". Корректор О. Билак

Заказ 3933/43 Тираж 488 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений н открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент, г, Ужгород, уп. Проектная, 4

Ф орму па изобретения

Компознц4я под у щфлууфинэтилентерефталатноФ у основы.,:кннофотоматерналов, включающая ппенкообразующнй компонент, актнвный растворнтеиь н ацетон, о т— лнчающаяся тем,что,сцеиью повышения адгезни эмульснонного слоя материала к основе н упрощения процесса, s качестве пленкообразующего компонента она содержит сополнмер акрнламида, внннлпирролндона н этниакрнлата общей структурной формулы и„- дп- — -сн; ся- — -сн,— жоаким,Л, оеое2Н> ц со

НтС СН2

700/400 650/300 550/300 где - 60 мол.%; пъ - 20 мол.%; р - 20 мои.%, мол.вес. 200000-250000,в качестве

30 активного растворителя фенол, и дополннтельно содержит метнленхлорнд прн следующем соотношении компонентов, вес.%:

Сополнмер общей формулы O,3-1,О

Фенол 5,0-1 5,0

Ацетон 10,0-25,0

Метнленхлорнд Остальное

Источники ннформацнн, принятые во внимание прн экспертнзе

1. Патент ГДР М 116940, кл. G 03 С 1/80, опублнк. 1975 (прототнн).

Композиция подслоя для полиэтилентерефталатной основы Композиция подслоя для полиэтилентерефталатной основы Композиция подслоя для полиэтилентерефталатной основы Композиция подслоя для полиэтилентерефталатной основы 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области изготовления светочувствительных материалов и может быть использовано в химико-фотографической промышленности, а также в картографии

Изобретение относится к высокоразрешающему галогенсеребряному фотографическому материалу, который используется для контратипирования и микрофильмирования мелкомасштабных черно-белых аэрофильмов

Изобретение относится к области фотографической химии, а именно к способу изготовления галогенсеребряной фотографической эмульсии и изопанхроматического галогенсеребряного фотографического материала, который может быть использован для аэрофотосъемки и съемки из космоса
Изобретение относится к области обрабатывающих композиций, используемых для фиксирования изображения при автоматической химико-фотографической обработке медицинских и промышленных рентгеновских пленок

Изобретение относится к фотоприемникам и предназначено для селективной регистрации оптических сигналов в оптоэлектронных устройствах
Наверх