Накопитель информации для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОВРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6l ) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 03. 11. 80 (21) 3000374/18-24

«»942140 (0t 2 "

6 11 С 11/14 с присоединением заявки Ме

Ркуйарапиквй квинтет

СССР ав деаеи изееретенна. н вткритий (23 >> П риоритет

Опубликовано 07.07.82. Ьк>ллетеиь Ph 25

Дата опубликования описания 09.07,82 (03) УДК681. .327.66 (088.8) 1

В. К. Раев, В. С. Потапов и С. Н. Смирнои

1

Институт электронных управляюпптх машин

-«.» (72) Авторы изобретения (?В) Заявитель (54) НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО

УСТРОЙСТВА HA ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ

ДОМЕНАХ

Изобретение относится к вычислитель ной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств (ЗУ) дпя внешней памяти ЭВМ.

Известны накопители информации дпя

ЗУ на цилиндрических магнитных доменах (UMQ), содержащие магнитоодноосную пленку с БМД, на поверхности которой расположены ферромагнитные аппликации, образующие магнитосвязанные между собой регистры хранения UNQ u каналы вывода UNQ, и токопроводящую ц>иную

В накопителе осуществляется парафазный вь вод информации по двум дополнительным каналам вывода UMQ дпя обеспечения разнополярного считывания

ЦМД. Благодаря разнопслярному считыванию UNQ-информации повышается помехоустойчивость или уменьшается чувствительность к воздействию внешних и внутренних факторов по сравнению с обычным считыванием (11 .

Однако >накопитель характеризуется недостаточным быстродействием иэ-за одностороннего обращения к регистрам хранения ЦМД.

Наиболее близким техническим реше»

5 нием к предлагаемому является накопитель информации дпя ЗУ íà UMQ, который содержит магнитоодноосную пленку с UNQ, на поверхности которой распопа жены регистры хранения информапии из ферромагнитных аппликаций, каналы вывода информации, соединенные с магниторезисторными датчиками, zaaan ввода информации, магнитосвязанный с регистрамии хранения информации и токопроводяшую шину. В накопителе обращение к регистрам хранения ЦМД двустороннее, поэтому он является более быстродействующим Г23 ° гв Недостатки накопителя состоят в наличии обменных переключателей дпя ввода ЦМД с петлеобразной токопроводящей шиной, содержащей две полоски с небопыцим зазором между ними. Необ3 942145 ф мации, имеющие аппликации 5 поворотов регистров 4 со средней 6 частью и одним из концов 7, канал 8 вывода информации с аппликациями 9 К-образной формы, аппликациями 10 0 -<образной формы аппликациями 11 шевронной формы, с генератором 12 записи "1", второй канал 13 вывода информации, магниторезисторные 14 и 15 датчики считывания

ИМД, соединенные с каналами 8 и 13, канал 16 ввода информации с аппликациями 17 К-образной формы, имеющими конец 18, середину 19, конец 20 одной из сторон, концы 21 и 22 других сторсн, с аппликациями 23 Ц-образной формы, имеющими концы 24 и 25, с аптатикациями 26, магнитосвязанными с регистрами

4 и каналом 16, имеющими концы 27 и

28, генератор 29 записи БМД в канал

2о 16, дополнительный канал 30 продвижения БМД, имеющий аппликаци;и 31 цевронной формы и магнитосвязанный с каналом 16 в зонах 32 магнитной связи, генератор 33 единичных UMQ, защитное ограждение 34, токопроводяшая шина 35, расположенная под ферромагнитными аппликациями канала 8 и служащая для управления выводом (логическим копиpoaaHHeM) UNQ, токопроводяшая шина

36, расположенная под ферромагнитными аппликациями 5 поворотов регистров 4, под аппликациями канала 16 и дополнительного канала 30 продвижения UNQ.

Работа накопителя информапии происходит путем управления перемещением

БМД с помощью ферромагнитных аппликаций и вращающегося в плоскости магнитоодноосной пленки управляющего поля, а также с помощью токопроводяших шин и подаваемого по ним импульса тока.

Управляющее поле наводит в аппликациях магнитные цолюса А, Б, В и Г, взаимодействие которых с UNQ обеспечивает движение последних.

Накопитель информации работает,следукяцим образом.

55 ходимость расположения двух полосок петлеобразной токопроводяшей шины на небольшое расстояние друг от друга сдерживает увеличение плотности записи информапии в накопителях с пермаллоевыми аппликациями.

Бель изобретения — увеличение плотности записи информации.

Поставленная цель достигается тем, что накопитель информации для EY на

БМД содержит дополнительный канал продвижения UNQ, магнитосвязаиный с каналом ввода информации в зонах магнитной связи канала ввода информации с регистрами хранения информации, при. чем токопроводяшая шина расположена под ферромагнитными аппликациями поворотов регистров хранения информации, канала ввода информации и дополнительного канала продвижения UMQ.

Кроме того, канал ввода информации выполнен из (К- 8 )-образных ферромагнитных аппликаций.

Вместо обменного переклточателя 1ХМД имеется переклточатель с односторонним переклточением БМД„для которого требуется только одна полоска токопроводяшей шины. Другой переключатель UMQ (для переключения в обратную сторону) образован за счет магнитных связей дополнительного канала продвижения

БМД с каналом ввода информации, а также указанного расположения токопроводяшей шины.

Для последнего переключателя UNQ также требуется одна полоска токопроводяшей шины.

За счет выполнения канала ввода информации из (К- 3 )-образных ферромат нитных аппликаций удается уменьшить расстояния между регистрами хранения (т.е. период элементов продвижения в каналах ввода или вывода информации) .

В свою очередь это дает возможность или повысить плотность записи, или уменьшить плошадь ктисталла, или увеличить степень резервирования регистров хранения и исправления ошибок, или скомпенсировать влияние промежутков между подмассивами в случае разбиения массива UMQ.

На чертеже изображена принципиальная схема накопителя информации.

Накопитель информации дпя ЗУ на

БМД содержит магнитоодноосную пленку

1 с UNQ 2, на поверхности которой расположены ферромагнитные аппликации 3, образующие регистры 4 хранения инфорВ режиме считывания UNQ-информации от генератора 12 в канал 8 поступает единичная информация. В регистрах

4 находится двоичная информация, выраженная наличием или отсутствием БМД.

При положении В вектора поля Н пр по шине 35 подают импульс тока. Если в регистрах 4 находятся UMQ "1", то за счет взаимодействия доменов и влияния магнитного поля токопроводяшей шины

UMQ канала 8 переходит под аппликации 10 и 11 (показано), попадают в

5 9421 канал 13 и, далее, в датчик 14 вызы-, вая на выходе устрояства сигналы считанных "1 . Если в регистрах хранения отсутствуют ЦМД (0"), то взаимодейст.вия доменов канала 8 и регистров 4 не

apoHcxogsT, а записанные единичные UNQ канала 8 беспрепятственно проходят зоны магнитной связи и считываются датчиком 15, вызывая на выходе устройства сигналы активных "О», противоположной 10 по отношению к сигналам 1" полярностие

В режиме записи UNQ-информации от генератора 29 под аппликациями 17 и

23 поступает записываемая информация 15 в канал 16 ввода информации, а от генератора 33 под аппликациями 31 продвига» ется единичная информация в дополнительный канал 30.

При положении Б вектора Н, „„, UNQ po канала 16 цо шине 36 подают ймпульс тока. Если в регистрах 4 под аппликациями

5 (позиции 6) находятся ЦМД (1 ), то они задерживаются в позициях 6 аппликаций 5 до момента В вектора Н пр. 25

При положении В вектора Нчпр UMQ канала 16 находятся в позициях 18 и

24 аппликаций 17 и 23, а ЦМД канала

30 - в позициях 21 и 22. В этот момент Зо за счет взаимодействия доменов в зоне

32 магнитной связи и влияния магнитного поля токопроводяшей шины 36 записываемые ЦМД канала 16 из позиций

18 и 24 аппликапий 17 и 23 .переходят (в случае, если записаны "1") под аппликациями 23 в позиции 7 и 25 аппцикаций 5 и 23 (показано). При даль нейших поворотах вектора Нч1, по часовой стрелке UNQ попадают под концы

28 аппликаций 26, и таким образом, оказываются в регистрах 4.

Одновременно с переходом ЦМД из канала 16 в регистры 4 происходит переход UMQ, задержанных в позициях 6 аппликаций 5 регистров 4, под концы

27 аппликаций 26, При дальнейших поворотах вектора Нчдр ЦМД попадают под средние части 19 аппликаций 17 канала 16 и, далее, попадают в ограждение 34.

1. Накопитель информации дня запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах, содержаший магнитоодноосную пленку с. цилиндрическими магнитными доменами, на поверхности которой расположены, регистры хранения информации из ферромагнитных апплика ций, каналы вывода информации, соединенные с магниторезнсторными датчиками, канал ввода информации, магнитосвязанный с регистрами хранения информации, и токопроводящую шину, о т л и ч а юш и и с я тем, что, с целью увеличения плотности записи информации, он содержит дополнительный канал продвижения цилиндрических магнитных доменов, магнитосвязанный с каналом ввода информапии в зонах магнитной связи канала ввода информации с регистрами хранения информации, причем токопроводяшая шина расположена под ферромагнитными ацпликациями поворотов регистров хранения информации, канала ввода информапии и дополнительного канала продвижения цилиндрических магнитных доменов.

2. Накопитель информации по п. 1, о т л и ч а ю ш и и с я тем, что, канал ввода информапии выполнен из (K- М)-юбразных ферромагнитных аппликапий.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.. Авторское свидетельство СССР

% 691924, кл. Ц11 С 11/14, 1977.

2. Авторское свидетельство СССР

N 526017, кл. G 11 С 11/14, 1976 (прототип).

Таким образом, в предлагаемом накопителе осушествляется запись UNQ c предварительным стиранием ненужной информации.

Предлагаемый накопитель информации для 3У на Е1МД обладает следуюшиии преимуществами.

4Â 6

Увеличивается плотность записи инфо мании за счет исключения обменных переключателей UMQ, петлеобразных участков токопроводящей шины и, следовательно, улучшения технологичности изготовления.

Кроме того, плотность записи информации увеличивается за счет включения

K- Цэбразных аппликаций, уменьшения расстояния между регистрами хранения до значения, равного 1,5 (вместо 1,9).

Если не увеличивать плотность записи информации, то можно уменьшить площадь, занимаемую накопителем, на 20-25%, или увеличить степень резервирования и исправления ошибок до 39% {вместо

10% у известного наксшителя), тем самым существенно повысить выход годных устройстве

Формула изобретения

942148 .

Составитель Ю. Розенталь

Редактор С. Юско Техред A.Áàáêíåö Корректор N. Демчик

Заказ 4853/46 Тираж 622 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5.

Филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4