Запоминающая ячейка

 

Г.Ф.Нестерук, В.Ф.Нестерук, В.И.Потапов и,.Ц..Т, Гиль (72) Авторы изобретения (71) Заявитель

Омский политехнический институт (54) ЗАПОМИНАЮЩАЯ ЯЧЕЙКА

Изобретение относится к вычислительной технике и может найти применение при построении быстродействующих запоминающих устройств с магнитооптическим считыванием информации на базе одноосных кристаллов с. цилиндрическими магнитными доменами (,ЦМД).

Известна запоминающая ячейка, содержащая магнитоодноосную пленку, на поверхности которой расположены пересекающиеся изолированные проводниковые шины, делящие площадь ячейки памяти на четыре сектора, в трех из которых размещены основные

15 ферромагнитные аппликации, образующие Г-образный магнитный контур 1).

Недостатком данной запоминающей ячейки являются ограниченные функциональные возможности, заключающиеся в осуществлении только функций хранения, записи и считывания информации.

Наиболее близким к изобретению техническим решением является запоминающая ячейка, которая содержит магнитоодноосную пленку, на которой расположены основные пересекающиеся, изолированные одна от другой токопроводящие шины и основные ферромагнитные аппликации Г2 3

Однако известная запоминающая ячейка позволяет реализовать лишь функции хранения, записи и считывания информации.

Целью изобретения является расширение функциональных воэможностей известной запоминающей ячейки путем реализации логических функций двух переменных.

Поставленная цель достигается тем,что ячейка памяти содержит на магнитоодноосной пленке дополнительные ферромагнитные аппликации, образующйе замкнутый контур, обхватывающий основные ферромагнитные аппликации, 95 и дополнительную токопроводящую шину, магнитосвязанную с основными и дополнительными ферромагнитными аппликациями 2 ).

На чертеже приведена принципиальная схема запоминающей ячейки.

Запоминающая ячейка содержит магнитоодноосную пленку 1 с ЦМД 2, на которой расположены основные пересекающиеся изолированные токопроводящие шины 3, магнитосвязанные с основными 4 и дополнительными 5 ферромагнитными аппликациями, образующими соответственно внутренний и внешний контуры ячейки памяти, а также дополнительную токопроводящую шину 6, магнитосвязанную с основными и дополнительными ферромаг.нитными аппликациями.

Буквами Х и У обозначены входные логические переменные, а цифрами

1-4 и 1-4 — позиции, которые занимай ет ЦМД в запоминающей ячейке при воздействии различных входных логических переменных.

Запоминающая ячейка работает следующим образом.

Пусть единичному значению входных логических переменных соответствуют импульсы тока в управляющих шинах 3, направленные снизу вверх и слева направо,а нулевому значению — импульсы тока направленные сверху вниз и справа налево. Логической "1" в ячейке со- ответствует положение ЦМД в одной иэ позиции 1 -4 внешнего контура ячейки памяти,а логическому "0" — положение ЦМД в одной из позиций 1-4 внутреннего контура ячейки памяти:

В исходном состоянии ЦМД в ячейке памяти может находиться в одной иэ позиций 1-4 внутреннего магнитного контура, или в одной из позис ции 1-4 внешнего магнитного контура.

Для записи информации в ячейку памяти используется дополнительная токопроводящая шина 6, в которую подается импульс тока, направленный по часовой стрелке, если в ячейку нужно записать "1", или импульс тока, направленный против часовой стрелки, если нужно записать "0".

При этом ЦМД 2 в первом случае зай мет одну из позиций 1 -4 внешнего магнйтного контура, а во втором случае — одну из позиций 1-4 внутреннего магнитного контура.

Считывание информации .из ячейки памяти может быть осуществлено либо

3670 4 путем опроса позиции 1 - 4 внешнего контура, либо путем опроса позиций 1-4 внутреннего контура.

Во втором случае считывается инверсное значение хранимой информации.

Одновременно с выполнением перечисленных функций ячейка памяти может быть использована для выполнения логических операций над входными логическими переменными, поступающими по шинам 3.

Под действием градиентного магнитного поля, создаваемого импульсами тока, соответствующими входным логическим переменным, ЦМД 2 начинает перемещаться в плоскости магнитоодноосной пленки 1 в направлении максимального уменьшения суммарного магнитного поля, т.е. вдоль ферромагнитных аппликаций, и займет одну из позиций 1 - 4 или 1 — 4. Опрашивая оптическим способом одну из пар позиций 1 и 1, 2 и 2, 3 и 3, 4 и

4, можно реализовать соответственно логические операции "Коньюнкция", "Заперт по Х", "Операция Пирса" и

"Заперт по У". При опросе двух иэ четырех пар позиций можно выполнить первой и второй логическую операцию

"Переменная У", первой и третьей

"Равнозначность", первой и четвер той — "Переменная Х", второй и третьей — "Инверсия Х", второй и четвертой — "Неравнозначность" и третьей и четвертой — "Инверсия У". ОпрашиЗ вая три из четырех пар позиций, можно выполнить еще четыре логические операции: первой, второй и третьей"Импликация от Х к У", первой, третьей и четвертой - "Импликация от У к Х", первой, второй и четвертой - "Дизь- е юнкция" и второй, третьей и четвертой - "Операция Шеффера". Опрос всех четырех пар позиций приводит к реализации тривиальной логической опера4S ции "Константа 1".

В предложенной запоминающей ячейке по сравнению с известной, в которой невозможно совмещение во времени выполнения логических операций с выполнением функций хранения, записи и считывания, так как при выполнении логических операций над входными логическими переменными нарушалась повышенная в ней информация, могут быть выполнены все логические операции от двух логических переменных, за исключением тривиальной Jlo гической операции "Константа 0", Формула изобретения

Составитель Ю.Розенталь

Редактор Л, Гратилло Техред M. Надь Корректор А Фер ц

Заказ 6285/78 Тираж 622 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Иосква, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

5 95 одновременно с выполнением ячейкой памяти функции хранения, записи и считывания, кроме того, хранимая информация может быть считана из ячейки как в прямом,так и, в инверсном виде, что говорит о ее больших функциональных возможностях.

Запоминающая ячейка, содержащая магнитоодноосную пленку, на которой расположены основные пересекающиеся изолированные одна от другой токопроводящие шины и основные ферромагнитные аппликации, о т л и ч а ющ а я с я тем, что с целью расширения Функциональных возможностей

3670 6 запоминающей ячейки путем реализации логических функций двух переменных, она содержит на магнитоодноосной пленке дополнительные ферромагнитные аппликации, образующие замкнутый контур, обхватывающий основные ферромагнитные аппликации, и дополнительную токопроводящую шину, магнитосвязанную с основными и

>в дополнительными ферромагнитными аппликациями.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

1з N 538423, кл. G 11 C 11/14, 1974.

2. Авторское свидетельство СССР

N 824307, кл. G 11 С 11/ 14,1979 (прототип).