Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках

 

C"".! ! г,т

f ! (72) Авторы изобретения

А. E. Журавель, Ю. В. Човнюк, Н. В. Косифсй и Н. - А)Женино!ву ( р! " >

Й

Ф

Киевский ордена Трудового Красного Знамейи-иимн щщо -. строитепьный институт (71) Заявнтель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮШИХ МАТРИЦ

НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть испопьзовано при построении запоминаюших устройств на цИлиндрических магнитных пленках (ПМП).

Известен способ изготовления запоминаюших матриц на ПМП, основанный на плетении обмоток матриц на технологических струнах (1) .

Недостаток способа заключается в том, что происходит неполная формовка провода, обусповленная тем, что верхние струны зева, через которые проходит провод, подвергаемый формовке, последовательно прижимаемые роликом к упору, не могут быть уложены в одной плоскости с нижними струнами, так как между упором и верхними струнами располагается формуемый провод. При укладке и изменении угла провода наЙподается растяжение провода, что приводит к его разрыву.

Наиболее близким техническим решеиием к предлагаемому является спо2 соб изготовления запоминаюших матрац на ПМП, основанный на плетении обмоток матрицы на технологических струнах путем пропускання провода совместно с ограничительным стержнем через зев, образованный смешением технологичео- чении стержня из технологичесиих струн в сторону свободного конца провода 2 .

Недостаток способа сотоит в том, чго прн извлечении ограничительного стержня натянутые технологические струны сходят с конца стержня, ударяясь о провод, производят его формовку до прн1, дания ему жгзагообразной формы. Ско-. рость движения натянутой струны щж формовке провода значительна, поэтому имжот место повреждения изол пп и провода s местах его изгиба и обрывы

39 ииткоВ обмоток матрицы, что значитель»

Н0 сокращает сроК службы cJIGBbIx обМоТоК матрицы.

Пель изобретения - повыпгение надежности запоминакицих матра. мешается в сторону свободного конца провода, при этом верхними становятся технологические струны I, а нижнимиструны 2, и наоборот.

Свободное перемещение провода навстречу месту Х-образного пересечения и малая скорость схода струн с винта при перемещении X-образного пересечения струн обеспечивают полную формовку провода без повреждения его изоляции и исключают обрывы витков провода.

Тем самым существенно повышается надежность запоминаюших матриц на

UNH.

Формула изобретения

1. Способ изготовления запоминающих матриц на цищтндрических магнитных пленках, основанный на плетении обмоток матрицы на технологических струнах путем пропускания провода через зев, образованный взаимным смещением технологических струн, и формовке провода, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности запоминающих матриц, располагают технологические

1 струны в зоне формовки Х -obpaaao» а формовку провода производят путем перемещения )(-образного пересечения технологических струн в направлении свободного конца провода.

2. Способ по и. 1, о т л и ч а юш и и с я тем, что перемещение (-образного пересеченИя технологических струн осуществляют путем ввода в зев винта с нарезкой, переходящей на конце в буравчик, с шагом,. равным удвоенному расстоянию между струнами, и его вращения вокруг продольной оси.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР № 4B9153, кл. g 11 С 5/02, 1973.

2. Авторское свидетельство СССР № 566267, кл. Q 1 1 С 1 1/14, 1 977 (прототип).

3 94214

Поставленная цель достигается тем, что в способе изготовления запоминающих матриц, основанном на плетении обмоток матрицы на технологичесъих струнах путем пропускания провода через зев, образованный взаимным смещением технологических струн, и формовке провода, располагают технологические струны в зоне формовки Х-образно, а формовку провода производят путем перемещения 10

Х-образного пересечения технологических струн в направлении свободного конца провода.

Причем перемещение осуществляют путем ввода в зев винта с нарезкой, переходящей на конце в буравчик с шагом, равным удвоенному расстоянию между струнами, и его вращения вокруг продольной оси.

На фиг. 1 показан схематически 1тро- 20 цесс расположения струн Х-образно и смещения Х-образного пересечения прк вращении винта вокруг продольной оси; на фиг. 2 — схема устройства для реализации предлагаемого способа. 25

Устройство содержит зев, образованный взаимным смешением технологичеоких струн 1 и 2, в который вводится провод 3 и винт 4, имеющий нарезку 5 и буравчик 6. 30

Устройство работает следующим образом.

Струны 1 и 2 расходятся, образуя зев. При изменении зева струны 1 и 2 ложатся в каналы нарезки 5 винта 4.

Шаг нарезки равен двойному расстоянию между струнами. Это обеспечивает уклад струн 1 и 2 в канавку нарезки винта.

При вращении винта 4 он выходит из технологических струн. При этом струны

1 и 2 поочередно сходят по нарезке 5 на буравчик 6 с .малой скоростью, без упругого движения к проводу 3, формуя поочередно полувитки обмоток матрицы.

В зоне формовки провода 3 струны 1 и

2 образуют Х-образное пересечение.

При вращении винта 4 вокруг продольной оси Х-образное пересечение пере942147 ь

1 1

1 1 1

Составитель Ю. Розенталь

Редактор С. Юско Техред A.Бабинец Корректор М. Демчик

Заказ 4853/46 Тираж 622 Подвисное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР о делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх