Способ формирования решетки цилиндрических магнитных доменов

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскик

Социвлистическик

Республик

<>955199 (61) Дополнительное к авт. свид-ву - (22) Заявлено 240180 (21) 2874165/18-24 с присоединением заявки ¹(23) Приоритет—

Опубликовано 300882. Бюллетень № 32

f51) M К з

G 11 С 11/14

Государственный комитет

СССР но деяам изобретений и открытий

ДЗ) УДК 681. 327 . 66 (088.8) Дата опубликования описания 300882

Т.Г.Баряхтар, Ю.A.Êóçèí, Г.Н.Манянин, А.М.Ред ю и Е.Ф.Ходосов (72) Авторы изобретения .

Донецкий физико-технический институт АН Украинской ССР (71) Заявитель (54) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ РЕШЕТКИ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ

МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ

Изобретение относится к вычисли: тельной технике и может быть использовано при построении запоминаюв;их устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Известен способ формирования решетки ЦМД, основанный на воздействии на доменосодержащую пленку постоянным магнитйым полем в плоскости 10 пленки, большим поля анизотропии пленки, с последующим введением магнитного поля, направленного перпендикулярно плоскости пленки $1) .

Недостатком этого способа является необходимость иметь громоздкий магнит для создания в плоскости пленки магнитного поля порядка нескольких кЭ, что накладывает ограничение на применение этого способа в ЗУ на решетках.

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является способ формирования решетки ЦМД, основанный на воздействии на доменосодержащую пленку постоянным магнитным полем сме- 25 щения и импульсным магнитным полем.

После смещения вначале возрастает так, что одна полярность полосковых доменов сжимается в узкий домен в форме нити. Затем прикладывается, с помощью катушки, импульсное поле и разбивает эти узкие нитевидные домены на ряд ЦМД $2) .

Недостатком этого способа является существование "фокусирующего эффекта",не позволяющего создать решетку в виде параллелограмма, которая преимущественно используется при создании накопителей. Однако этот "фокусирующий эффект" можно отрегулировать, варьируя расстояние между плоскостью катушки и плоскостью пленки, но при этом снижается надежность в виду того, что необходимость обеспечить достаточно высокую степень параллельности плоскости катушки и плоскости пленки, а также подобрать оптимальное расстояние между пленкой и катушкой. Кроме того, возрастают затраты времени на формирование решет ки, так как оптимальное расстояние для каждых катушки и магнитной пленки необходимо подбирать опытным путем.

Цель изобретения — упрощение и ускорение формирования решетки ЦМД.

Поставленная цель достигается тем, что в известном способе формирования решетки ЦМД воздействуют на ломеносодержащую пленку одновременно

955199 постоянным магнитным полем смещения, равным полю насыщения доменосодержащей пленки, и импульсным градиентным магнитным полем, антипараллельным постоянному магнитному полю смещения, причем амплитуда импульсов градиент- 5 ного магнитного поля в заданных участках доменосодержащей пленки больше величины поля зародышеобразования доменов, и последовательно сни-. жают постоянное магнитное поле смещения до величины, меньшей поля колапса 1ЩД, но большей поля зародышеоб-. разования доменов, и далее до величины поля зародышеобразования доменов и уменьшают одновременно амплитуду нмпульсон градиентного магнитного поля до нуля.

На. фиг.1 изображена доменосодержащая пленка с образованной решеткой ЦМД; на фиг.2 приведена зависимость плотности решетки а/6, где а — расстояние. между центрами ЦМД;

6 - диаметр ЦИД, от длительности Т воздействия импульсного градиентно-, го магнитного поля.

Формирование. решетки ЦИД в .соответствии с предлагаемым способом осу" ществляется следующим образом.

К доменосодержащей пленке прикла,дывают постоянное магнитное поле смещения

Н=Н- ю где Н5 —. поле насыщения магнитной пленки.

Одновременно в проводник 1, кото-. рый либо наносится непосредственно на 35 пленку, либо на стеклянную пластинку, прикладываемую к пленке, подаются прямоугольные импульсы тока. Если необходимо создать решетку ЦИД в области 2 пленки, находящейся на рас- 4() стоянии а от проводника 1 (фиг.1), то полярность импульсов должна быть такой, чтобы импульсное магнитное по:ле Н„ц„, создаваемое проводником 1 в области 2, было антипараллельно гюлю смещения Н. Амплитуда импульсов тока должна быть достаточной для создания на расстоянии а от проводника импульсного магнитного поля.

Н Н где H > — поле эародышеобразования.

Затем поле смещения снижается до величины

Н Н<Нк, где Н вЂ” поле коллапса ЦИД в данной пленке.

При этом в области 2 образуется регулярная решетка ЦМД, плотность ко" торой пропорциональная длительности воздействия импульсного градиентного магнитного поля.

После этого поле смещается до величины Н=Н, а амплитуда импульсного градиентного магнитного поля до О, Если в поле смещения Н Н Н „ была сформирована достаточно плотная решетка, то она будет устойчивой при дальнейшем снижении поля смещения,. вплоть до О.

Технико-экономические преимущества предложенного способа заключаются в значительном упрощении существующих устройств формирования решеток ЦМД, в ускорении процесса формирования, в возможности регулирования плотности решетки в процессе формирования, а также в значительном снижении энергоемкости устройств, использующих решетки ЦИД.

Формула изобретения

Способ формирования решетки цилиндрических магнитных доменов, основанный на воздействии на доменосодержащую пленку постоянным магнитным полем смещения и импульсным магнитным полем, отличающийся тем, что, с целью упрощения и ускорения формирования решетки цилиндрических магнитных доменов, воздействуют на доменосодержащую пленку одновременно постоянным магнитным полем смещения, равным палю насйщения доменосодержащей пленки, и импульсным градиентиям магнитным полем, антипараллельным постоянному магнитному полю смещения, причем амплитуда импульсов градиентного магнитного поля в заданных участках доменосодержащей пленки больше величины поля зародышеобраэования доменов„ и последовательно снижают гостоянное магнитное поле смещения до величины, меньшей поля коллапса цилиндрического магнитного домена, но большей поля зародышеобразо-. вания доменов, и далее до величины поля эародышеобразования доменов и уменьшают одновременно амплитуду импульсов градиентного магнитного поля до нуля.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США 9 4052710, кл. 340- 174, опублик. 1979.

2. "Phil, Иацп.", ч. 27, 1973, р.569 .(прототип).,955199

Фа в.1

2.1.

Составитель Ю.Розенталь

Редактор Н.Гришанова Техред Т.Фанта. Корректор Е. Рсиако

Заказ 6447/60 Тирам 622 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб. д.4/5

Филиал ППП "Патент", r.Óàãîðîä, ул.Проектная, 4