СССР оо делам изобретений и открытий (Щ УДК 681, 327. 66 (088.8) А. r.Казаченко, В.О.Королюк, М.В.Кузнецов, В,Щ. Романо и В. В. Костылев . "" Ой"-!:..

I„ 4 р„, f гЧ

Р (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (5 4 ) ЗАПОМИНАЮЩАЯ МАТРИЦА

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств ЭВМ на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП).

Известна запоминающая матрица, содержащая числовые шины, разрядные шины, выполненные на ЦМП, и магнитный кипер, устанонленный между числовыми шинами (1).

Недостатками этой матрицы являются низкая плотность размещения в ней запоминающих элементов, а также низкая помехоустойчивость и надежность работы.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является запоминающая матрица, которая содержит числовые шины, разрядные шины на

ЦМП, магнитный кипер, установленный между числовыми шинами, и магнитные экраны, расположенные над числовыми шинами (2j.

Недостатками известной матрицы являются низкая помехоустойчивость и надежность. Низкая помехоустойчиность объясняется прежде Bcez o наличием совпадающей помехи и паразитных наводок в разрядных шинах от внешних электрических полей. Наличие сонпа2 дающей помехи.при считывании информа= цни приводит к искажению формы информационного сигнала и уменьшению ам,вЂ” .

5 литуды одной из полярности информационного сигнала, которая соответствует, например коду "1".

Низкая надежность матрицы обусловлена большими потоками рассеяния и ð увеличением размагничинающего поля в запоминающих элементах, расположенных на крайних разрядных шинах.

Целью изобретения является повышение надежности запоминающей матрицы.

Поставленная цель достигается тем, что запоминающая матрица содержит компенсационные провода, электростатические экраны и дополнительный магнитный кипер, компенсационные прово20 да выполнены из немагнитного металла и размещены с внешних сторон крайних разрядных.шин, электростатические экраны соединены с шиной нулевого потенциала и расположены между чиалоными шинами и магнитными экранами, дополнительный магнитныи кипер выполнен из ЦМП и установлен между компенсационными проводами и крайними разрядными шинами.

Наличие компенсационного провода, выполненного из немагнитного металла, 970469

Поворот вектора намагниченности приI

1О водит к возникновению магнитного потока, который, замыкаясь по пути с наименьшим магнитным сопротивлением, индуцирует в разрядной шине 2, выпол- ненной на ЦМП, информационный сигнал.

Одновременно через емкость, образованную пересечением выбранной числовой шины 1 и разрядной шины 2, в этой разрядной шине, выполненной на ЦМП, наводится паразитная помеха, совпадающая по времени с информационным сигналом. Магнитный кипер 3, выполненный из материала с высокой магнитной проницаемостью, расположен между чиоловыприводит к тому, что при считывании информации в нем наводится такая же по амплитуде и такая же по полярности помеха, что и совпадающая помеха в выбранной разрядной шине, которые затем на входах дифференциального усилителя, куда подсоединен данный

t.oìïåíñàöèoííûé провод и выбранная разрядная шина, взаимно уничтожаются, т.е. компенсируют друг друга. Паразитные наводки в разрядных шинах предлагаемой матрицы нейтрализуются экранируются) электростатическими экранами, соединенными с общей шиной запоминающего устройства, которые расположены между числовыми шинами и магнитными экранами.

Введение матрицы дополнительнoro магнитного кипера, выполненного на

ЦМП и установленного между компенсационными проводами и самыми крайними разрядными шинами, в непосредственной близости от последних, создает замкнутую цепь с малым магнитным сопротивлением для замыкания полного магнитного потока выбранных элементов, которые расположены на сам.. х крайних разрядных шинах. Поэтому амплитуда информационного сигнала и область устойчивой работоспособности увеличивается, что повышает надежность предла4-, гаемой запоминающей матрицы.

На чертеже изображена конструктивная схема предлагаемой запоминающей матрицы.

Запоминающая матрица содержит чис-35 ловые шины 1, разрядные шины 2, выполненные на ЦМП„ магнитный кипер 3, установленный между числовыми шинами

1, магнитные экраны 4, установленные над числовыми шинами, компенсационные ц провода 5, выполненные из немагнитного металла и расположенные с внешних стара» крайних разрядных шин, электростатические экраны 6, соединенные с шиной нулевого потенциала и расположенные между числовыми шинами 1 и магнитными экранами 4, дополнительный магнитный кипер 7, выполненный на ЦМП, который установлен между компенсационными проводами 5 и самыми крайними разрядными шинами 2, в непосредственной близости от последних.

Предлагаемая матрица работает следующим образом.

При записи информации в запоминающий элемент матрицы, который образован пересечением числовой шины 1 и разрядной шины 2,в эти шины подают управляющие импульсы токов из формирователей тока запоминающего устрой- 60 ства. В зависимости от полярности импульса тока, поданного в разрядную шину 2,. вектор намагниченности выбран ного запоминающего элемента устанавливается в одно из двух устойчивых $5 состояний, которые соответствуют либо коду "1", либо коду "0".

При считывании информации из формирователя тока запоминающего устройства в выбранную числовую шину 1 по". дают импульс тока, создакший магнитное поле, под действием которого вектор намагниченности выбранного запоминающего элемента поворачивается. ми шинами 1 и препятствует распространению магнитного поля выбранной числовой шины 1 на соседние запоминающие элементы, т.е. локализует действие данного магнитного ноля в зоне выбранного ЗЗ. Кроме того, при считывании информации часть магнитного кипера 3 образует цепь с наименьшим магнитным сопротивлением для замыкания магнитного потока выбранного запоминающего элемента. Магнитные БкравЂ” ны 4, расположенные над числовыми шинами 1, препятствуют воздействию вневних магнитных полей на магнитное состояние и информационный сигнал запоминающих элементов данной матрицы.

B отличие от прототипа в предлагаемой матрице при считывании в компенсационном проводе 5, расположенным с краю матрицы, выполненном из немагнитного металла, через емкость, образованную пересечением выбранной числовой шины 1 и данным компенсационным проводом 5, наводится такая же по ам" плитуде и такая же по полярности паразитная помеха, что и совпадающая помеха в выбранной разрядной шине 2.

При подключении данной разрядной шины

2 и данного компенсационного провода

5 на разные входы дифференциального усилителя запоминающего устройства эти помехи взаимно вычитаются, т.е. уничтожаются. Таким образом, происходит компенсация совпадающей с информационным сигналом помехи в разрядной шине 2, что приводит к уменьшению суммарной помехи, т.е. к эффективному увеличению информационного сигнала. Воздействие внешних электрических полей, которые существуют как в самом ЭУ, так и. вне его, приводят к тому, что на поверхности электростатических экранов 6, выполненных из материала с высокой электрической

970469 проводимостью, подключенных к шине нулевого потенциала и расположенных между. числовыми шинами 1 и магнитными экранами 4, индуцируются электрические заряды, После чего зти заряды стекают на шину нулевого потенциала, так как она обладает большой электрической емкостью. Иными словами, внешнее электрическое поле заьыкается н* поверхность электростатических экра нов-и отводится в шину нулевого по- О тенциала, что исключает проникновение паразитных наводок через электростатические экраны 6 в разрядные шины)

2, т.е. уменьшается суммарная помеха.

Так|.м образом, наличие компенсаци- 15 онного провода 5, выполненного из немагнитного металла и расположенного по краям матрицы, и электростатических экранов 6, соединенных с шиной нулевого потенциала и расположенных 2() между числовыми шинами 1 и магнитяыми экранами 4, эффективно увеличивает информационный сигнал и уменьшает суммарную помеху, т.е. увеличивает помехоустойчивост и ее основной показатель вЂ” отношение амплитуды информационного сигнала- к амплитуде суммарной помехи.

При считывании информации с запоминающих элементов, расположенных на самых крайних разрядных шинах 2,одна часть магнитного потока выбранного запоминающего элемента замыкается по замкнутой. цепи с малым магнитным сопротивлением (эта часть магнитного потока показана на чертеже сплошной линией), другая часть магнитного потока замыкается по цепи с малым магнитным сопротивлением, которую о6разует магнитный копер 7, выполненный на ЦМП и установленный между компен- 40 сационными проводами 5 и дамой крайней разрядной шиной, в яепосредствекной близости от этой крайней разрядной шины 2 (эта часть магнитного потока показана на чертеже пунктирной 45 линией). Поэтому магнитный поток выбранного запоминающего элемента, расположенного иа самой крайней раз-, рядной шине 2 данной матрицы, замыкается полностью, беэ потерь, благодаря 5О наличию в данной матрице дополнительного магнитного кипера 7, выполненного на ЦМП. Таким образом, увеличивется амплитуда информационного сигнала и область устойчивой работоспособности запоминающих элементов матрицы, расположенных на самих крайних разрядных шинах 2.

Как было показано экспериментально, положительный эффект от использования предлагаемой запоминающей матрицы заключается в повышении помехоустойчивости в 3,2 раза н в повышении надежности ее работы в 1,24 раза.

Дополнительный положительный эффект от использования предлагаемой матрицы заключается в увеличении быстродействия Ву на 20%. Это объя няется тем, что электростатические экраны, соединенные с шиной нулевого потенциала, уменьшают на 2"Ъ индуктивность числовых и разрядных шин матрицы.

Формула изобретения

Запоминающая матрица, содержащая числовые шины, разрядные шины на цилиндрических магнитных пленках, магнитный кипер, установленный между числовыми шинами, и магнитные экраны, расположенные над числовыми шинавы отличающаяся тем, что, о целью повышения надежности, она содержит компенсационные провода, электростатические экраны и дополнитель-, ный магнитный кипер, компенсационные провода выполнены из немагнитного металла и разжижены с внешних стброя крайних разрядных шин, электростатические экраны соединены с шиной нуле.> вого потенциала и расположены между числовыми шинами и магнитными экранами, дополнительный магнитный кипер выполнен из цилиндрической магнитной пленки и установлен между компенсационными проводами и крайними разрядными шинами ° источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

9 329576, кл. G 11 С 11/14, 1970.

2. Патент Японии В 49-27972ф кл, G 11 С 11/14, опублик. 1974 (прототип).

970469

Составитель Ю.Розенталь

Редактор A.Власенко Техред Т.Маточка Корректор М.Шароши

Заказ 8398/65 Тираж 622 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Noc.êâà, К-35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП "Патент", r.ужгород, ул.Проектная, 4

Накопитель для запоминающего устройства // 970467

Способ изготовления запоминающих матриц на плоских магнитных доменах // 964732

Аннигилятор цилиндрических магнитных доменов // 963097

Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках // 963096

Накопитель для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах // 963095

Блок памяти // 963094

Устройство для контроля двухвходовых логических элементов "и-запрет" на цилиндрических магнитных доменах // 963093

Запоминающее устройство // 963092

Запоминающее устройство // 963091

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)