Способ изготовления микроиндуктивных элементов

Авторы патента:

H01F41/14 - для нанесения магнитных пленок на подложки (покрытие металлов и материалы с металлами вообще C23C; изготовление носителей информации G11B 5/84)

О П И С А Н И Е (970496

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-вувЂ” (22) Заявлено 01.12.80 (21) 3215442/24-07 с присоединением заявки №вЂ” (23) ПриоритетвЂ” (51) М. К, Н 01 F 41II14

Государственный коннтет

СССР (53) УДК 621.315 (088.8) Опубликовано 30.10.82. Бюллетень № 40

Дата опубликования описания 05.11.82 по делан нзобретеннй и открытий (72) Авторы изобретения

А. В. Заборовский и А. М. Иойшер

1 с

Кишиневский научно-исследовательский и )ститут электроприборостроения Научно-производственного, -.: объединения «Микропровод»

Г (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОИНДУКТИВНЫХ

ЭЛЕМЕНТОВ

Изобретение относится к электротехнике, в частности к технологии изготовления микроиндуктивных элементов.

Известен способ изготовления индуктивной катушки путем намотки провода в изоляции и скреплении витков друг с другом (1)

Однако размеры такой катушки относительно велики.

Известен также способ изготовления пленочных индуктивных элементов, включающий нанесение многослойных магнитных диэлектрических и проводниковых пленок на фольгу, с последующим изготовлением фотолитографией плоского спирального токопроводя щего слоя (2) .

Недостатком такого способа является сложность изготовления и невозможностьдальнейшего снижения площади индуктивного элемента, что существенно отражается на габаритах гибридных микросхем с использованием микроиндуктивных элементов.

Цель изобретения вЂ” уменьшение габаритов микроиндуктивных элементов.

Указанная цель достигается нанесением на полупроводник или диэлектрик электродов, приложением к ним напряжения, достаточного для пробоя полупроводника или диэлектрика, при одновременном воздействии магнитного поля, вектор напряженности которого направлен под углом к вектору напряженности электрического поля.

На чертеже схематично изображено устройство для реализации предлагаемого способа. Оно содержит полупроводник или диэлектрик 1, электроды 2, спиральный токоio проводящий канал 3.

Изготовление микроиндуктивного элемента осуществляют следующим образом.

На полупроводник или диэлектрик наносят электроды, затем помещают образец в магнитное поле, прикладывают между электродами напряжение, достаточное для пробоя данного материала, а после пробоя напряжение автоматически снижают для формовки образовавшегося в результате пробоя в магнитном поле спирального токопроводящего канала.

При изготовлении микроиндуктивных элементов предлагаемым способом, при сохранении тех же размеров, величина индуктивности в 2 вЂ” 3 раза превышает индуктивность

970496

Формула изобретения

Составитель В. Кожуров

Редактор А. Власенко Техред И. Верес Корректор Г. Огар

Заказ 7412 66 Тираж 761 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и от крытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4 элементов, изготовленных по известным споco6aM.

Способ изготовления микроиндуктивных элементов путем формирования спирального токопроводящего слоя связанного с полупроводящей или диэлектрической подложкой; отличающийся тем, что, с целью уменьшения размеров, указаный слой формируют в толще подложки путем нанесения электродов и приложения к ним напряжения, до. статочного для пробоя полупроводника или диэлектрика, при одновременном воздействии магнитного поля, вектор напряженности которого направлен под углом к вектору напряженности электрического поля.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР № 645215, кл. Н 01 F 41/18, 1978.

1в 2. Авторское свидетельство СССР № 374667, кл. Н 01 F 41/18, 1967.

Способ изготовления микроиндуктивных элементов

Водная суспензия для изготовления магнитныхпленок // 198465

Патент 189952 // 189952

Способ изготовления сверхпроводящих обмоток (варианты) // 2254633

Изобретение относится к области прикладной сверхпроводимости и может быть использовано при изготовлении механически нагруженных сверхпроводящих обмоток с напряжением проводника больше 100 МПа при работе, а также сверхпроводящих обмоток и устройств, работающих в переменных режимах, например сверхпроводящих магнитов для ускорителей заряженных частиц и сверхпроводящих индуктивных накопителей энергии

Способ формирования проводящего слоя с помощью установки распыления материала // 2289224

Изобретение относится к способу формирования проводящего слоя с изменяющейся величиной намагниченности и коэрцитивной силы вдоль направления проводника или проводников с помощью установки распыления материала

Способ изготовления магнитных пленок // 2060567

Способ получения ориентированных монокристаллических пленок магнитных материалов // 2068026

Изобретение относится к области выращивания монокристаллических пленок

Способ получения ферромагнитных пленок на твердотельных подложках // 1347789

Изобретение относится к электротехнике , в частности к технологии получения тонких ферромагнитных пленок , и может быть использовано при Изобретение относится к технологии получениях тонких (Ri lOOO А) магнитных пленок (ТМИ) на твердотельных подложках и может быть использовано при создании быстродействующих запоминающих устройств, применяемых в ЭВМ

Способ получения магнитной ленты // 1416495

Изобретение относится к технологии получения ленточных носителеймагнитной записи, Изобретение обеспечивает повьшение качества магнитной ленты, заключающееся в увеличении нагрузки, соответствующей пределу текучестн, уменьшении относительного удлинения под нагрузкой 2Н и остаточного удлинения после снятия нагрузки , за счет того, что получают магнитную ленту отливом пленочной полиэтилентерефталатной основы, двухосной ориентацией, термофиксацией и термообработкой под натяжением 10 - 30 Н/мм при 4-8-кратном удлинении на 20-40%

Тонкопленочный магнитный материал // 1601644

Изобретение относится к тонкопленочным магнитным материалам на основе органических соединений, предназначенных для элементов функциональной электроники

Иcпаряющийся материал и способ его изготовления // 2490367

Изобретение относится к испаряющемуся материалу и способу его получения, который может быть использован при изготовлении магнитов с повышенной коэрцитивной силой

Способ получения тонкопленочных полимерных нанокомпозиций для сверхплотной магнитной записи информации // 2520239

Изобретение относится к области магнитной записи информации, конкретно к способу получения пленок для магнитной записи информации. Способ получения полимерных нанокомпозиций в виде тонких пленок для сверхплотной записи информации включает получение прекурсора, состоящего из поливинилового спирта, воды и смеси водорастворимых солей трех- и двухвалентного железа, с последующей обработкой по крайне мере одним водорастворимым диальдегидом при pH от 0 до 3 в присутствии кислоты в качестве подкисляющего агента, получение тонкой пленки на диэлектрической немагнитной подложке путем нанесения прекурсора на вращающуюся на центрифуге подложку с образованием пленки геля, обработку полученной пленки геля щелочью, при введении щелочи в количестве, обеспечивающем полное протекание реакции щелочного гидролиза смеси солей железа с образованием смеси магнетита и маггемита, при этом обработку щелочью полученной пленки геля осуществляют в парах аммиака, образующегося из водного раствора аммиака (NH4OH) или гидразин-гидрата (N2H4·H2O) в течение 5,0-15,0 часов. Технический результат - уменьшение разброса наночастиц магнетита и маггемита по размерам, получение нанокомпозиции равномерной структуры. Полученная структура может использоваться в качестве запоминающей среды для сверхплотной магнитной записи информации. 2 ил. 1 пр.

Способ выращивания монокристаллической пленки febo3 на диамагнитной подложке // 2616668

Изобретение относится к области получения монокристаллических пленок на подложках для магнитных, оптических, магнитооптических и резонансных исследований. Шихту наплавляют в платиновый тигель, компоненты берут в соотношении, мас.%: Fe2O3 - 5,37, В2О3 - 51,23, PbO - 29,31, PbF2 - 13,73. После этого тигель с раствором-расплавом помещают в ростовую печь, нагревают до 900-950°С и выдерживают с перемешиванием при этой температуре в течение суток. Затем температуру быстро снижают до 820-830°С, опускают в раствор-расплав закрепленный на кристаллодержателе диамагнитный кристалл GaBO3 и выдерживают в течение 0,5-3 часа с перемешиванием. Затем температуру медленно понижают со скоростью 3-40°С/ч до 800°С и извлекают кристаллодержатель из печи. Изобретение позволяет получать монокристаллическую пленку FeBO3 на диамагнитной подложке GaBO3. 3 ил., 3 пр.