Сегнетоэлектрическая оптическая дифракционная решетка

 

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 100681 (21) 3299388/18-10 с присоединением заявки ¹â€” (23) Приоритет—

РФ М Кд з

G .02 В 5/18

Государственный комитет

СССР ио делам изобретений и открытий

Р4 % 535.853, .31(088.8) Опубликовано 3011 82. Бюллетень ¹ 44

Дата опубликования описания 30,11.82 (Т.И.Иванова, В.М.Рудяк и Л.А.Шувалов

1"-:Каличинский государственный университ т (72) Авторы изобретения

j

1

II

t е

1 (71) Заявитель (54) СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ОПТИЧЕСКАЯ ДИФРАКЦИОННАЯ

PEIIIETKA

Изобретение относится к оптическому приборостроению и может быть использовано в оптических модуляторах и дефлекторах.

Известна магнитоуправляемая дифракционная решетка, содержащая прозрачный магнитный материал, имеющий донную структуру, а набор плоско параллельных пластин(1 j.

Недостатком такой решетки является сложность технологии ее изготовления, отсутствие монолитности, а такйе необходимость подачи на решетку большой управляющей мощности.

Наиболее близкой к предлагаемой по своей технической сущности является сегнетоэлектрическая оптическая диффракционная решетка, выполненная в виде плоско параллельной пластины из сегнетоэлектрического кристалла с доменной структурой и снабженная электродами, связанными с источником питания. Эта решетка выполнена на основе сегнетожесткого кристалла ниобата лития или ниобата бария-натрия, имеющего одну сегнетоэлектрическую ось, причем электроды ориентированы перпендикулярно этой оси(2).

Недостатком указанной решетки является отсутствие возможности управления ее периодом, что обусловле- но сегнетожесткостью применяемого кристалла.

Цель изобретения — управление периодом решетки.

Поставленная цель достигается тем, что в сегнетоэлектрической оптической дифракционной решетке, выполненной в виде плоскопараллельной пластины из сегнетоэлектрического кристалла с доменной структурой и снабженной электродами, связанными с источником питания, указанная пластина выполнена из кристалла с двумя сегнетоэлект- . . рическими осями, а электроды ориентированы перпендикулярно к биссектрисе угла между этими осями.

Предлагаемая решетка выполнена в виде плоскопараллельной пластины из сегнетоэлектрического сегнетоэластичного, т..е. имеющего две сег-" нетоэлектрические оси, кристалла, например из NaH>(SeQj)<. Этот кристалл в, сегнетофазе имеет слоистую доменную структуру. Электроды, связанные с источником питания., ориентированы перпендикулярно к биссектрисе угла между сегнетоэлектри978093

Составитель В.Кравченко

Редактор Н.Безродная Техред А.ьабинец Корректор Н.Буряк

Заказ 9211/62

Тираж 518 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушакая наб., д, 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4 ческими осями кристалла или, что одно и то же, перпендикулярно кристаллографической оси У (или Х).

Сегнетоэлектрическая дифракционная решетка работает следующим образом. 5

При охлаждении используемого кристалла ниже температуры Кюри, составляющей для йаНЗ (БеЯ) T = 79 С он переходит из парафазы в сегнетофазу.,В результате этого и кристал- 1О ле возникает слоистая доменная структура У-типа (или m-типа), представляющая собой дифракционную решетку, период которой для указанного кристалла равен 40 мкм. Оптические 15 индикатриссы сбседних доменов разориентированы при этом на 1 Воздействие электрического поля с напряженностью 0,7-1,5 кВ/см, приложенного к электродам и направленного вдоль кристаллографической оси у (или Х), приводит к удвоению числа слоистых доменов, т.е. к уменьшению периода решетки до 20 мкм.

Таким образом, предлагаемая дифракционная решетка имеет изменяющийся управляемый период.

Формула изобретения

Сегнетоэлектрическая оптическая дифракционная решетка, выполненная в виде плоскопараллельной пластины из сегнетоэлектрического кристалла с доменной структурой и снабженная электродами, связанными с источником питания, q т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью управления периодом решетки, указанная пластина выполнена из кристалла с двумя сегнетоэлектрическими осями, а электроды ориентированы перпендикулярно к биссектрисе угла между этими осями.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе .1. Авторское свидетельство СССР

9 491915, кл. G 02 Г 1/00, 01.03.74, 2. Авторское свидетельство СССР

Р 510685, кл. G 02 Г 1/26, 05.02.75 (прототип).