Способ продвижения цилиндрических магнитных доменов
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВМДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
G 11 С 11/14 Госуддрствеииый комитет СССР (53) УДК 681.327..66 (088.8) Оп бликовано 15.12.82. Бюллетень ¹ 46 ло делам изобретеиий и открытий Дата опубликования описания 25.12.82 5, а азк: « « « (72) Авторы изобретения Е. Ф. Ходосов, А. О. Хребтов и Г. Н. Ка нянин « с Донецкий физико-технический институт АН УкрПгижой, ГСР. (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПРОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрически . магнитных доменах (ЦМД). Известен способ продвижения ЦМД, основанный на создании в доменосодержащей пленке ряда чередующихся областей с противоположной намагниченностью ЦМД в klHx с помощью системы последовательно соединенных проводников, расположенных на доменосодержащей пленке. При подаче в проводники постояйного тока. создают магнитное поле, нормальное поверхности тонкой магнитной пленки и периодически распределенное вдоль ее поверхности. Формируется магнитная структура в виде ряда полосовых доменов с интервалом, соответствующим интервалу между проводниками. После этого в полосовых доменах зарождаются ЦМД, и обазуется магнитная структура в виде ряда чередующихся областей с противоположной намагниченностью ЦМД в них .(1). Недостатками данного способа являются его технологическая (нанесение проводников в виде аппликаций) и методическая сложность (зарождение ЦМД в полосовых доменах) . Наиболее близким техническим решением к изобретению является способ продвижения ЦМД, который основан на воздействии на доменосодержащую пленку импульсным градиентным магнитным полем. Какал про5 движения представляет собой узкую полоску UM3,-материала, ширина которой ненамного превосходит равновесный диаметр ЦМД, расположенную на немагнитной подложке. Продвижение ЦМД по каналу производится или при помощи токовых аппликаций, расположенных поперек канала, либо за счет градиентов магнитного поля, создаваемых полосой магнитомягкого материала с зубчатым краем, расположенного вдоль канала продвижения, под действием вращаю>5 щегося планарного поля (2). Недостатком известного способа продвижения ЦМД является его низкая надежность в широком температурном интервале продвижения ЦМД. Цель изобретения — повышение надехкности и расширение температурного интервала продвижения ЦМД. Поставленная цель достигается тем, что .согласно способу продвижения ЦМД создают в доменосодержащей пленке линейный 982087 / 2о Формула изобретения 25 зо 35 4О 50 участок с локально измененными магнитными свойствами, воздейсгвие импульсным градиентным магнитным полем осуществляют импульсами магнитного поля с ампли1 2 тудои напряженности Нкд < Н < Н„„, где Н„ л — напряженность магнитного поля коллапса свободного полосового домена; Н л г напряженность магнитного поля коллапса домена в линейом участке доменосодержащей пленки с локально измененными магнитными свойствами, формируют на указанном линейном участке доме носодержа щей пленки гребнчатую доменную структуру в виде разнополярных полосовых доменов с волнообазной доменной границей между ними изменением амплитуды импульсов магнитного поля и перемещают гребенчатую доменную структуру в заданном направлении изменением частоты и полярности импульсов магнитного поля. Согласно предлагаемому способу размеры канала продвижения ЦМД и.период транспортной структуры не зависят от геометрических размеров элементов продвижения ЦМД, в частности проводника с током, а зависят только от свойств доменосодержащего материала и параметров импульсного тока. Вследствие этого, предлагаемый способ продвижения оказывается работоспособным практически во всем. интервале температур от 4,2 К до температуры Нееля используемого ЦМД-материала (за исключением интервала монодоменности в том случае, когда ЦМД-материал имеет точку компенсации Т, ). На фиг. 1 изображена гребенчатая доменная структура в виде разнополярных полосовых доменов с волнообразной границей между ними; на фиг. 2 и 3 — некоторые варианты кодировки информации (расположения ЦМД в элементах гребнчатой доменной структуры) в канале продвижения ЦМД. Продвижения ЦМД осуществляются следующим обазом. В доменосодержащей пленке создают линейный участок с локально измененными магнитными свойствами, характеризующийся на личием grad M, grad Q, где М и Q — соответственно намагниченность и фактор качества доменосодержащей пленки, и т. д. по направлению, перпендикулярному указанному участку. Прикладывают перпендикулярно плоскости пленки в зоне линейного участка с локально измененными магнитными свойствами импульсное градиентное магнитное поле с амплитудой напряженности Н„ „< Н < Н„ „, где Н„ л — напряженность полн коллапса свободного полосового домена; Нгк — напРЯженность полЯ коллапса домена в линейном участке с локально измененными магнитными свойствами. Изменением амплитуды импульсов магнитного 4 поля формируют возникающую на линейном участке гребнчатую доменную структуру продвижения ЦМД в виде разнополярных полосовых доменов с волнообазиой доменной границей между ними, ограниченных по сторонам полосовыми доменами, параллельно линейному участку (фиг. 1). Изменением частоты следования и полярности импульсов магнитного поля перемещают гребенчатую доменную структуру вдоль линеиного участка в заданном направлении. Кодировку информации можно осуществлять, например, преобазованием в ЦМД концов полосовых доменов гребнчатой структуры (фиг. 2) или путем генерации ЦМД между полосовыми доменами (фиг. 3). Создаваемый таким обазом специфический канал продвижения ЦМД может устойчиво работать в нулевых полях смещения во всем температурном интервале существования доменной структуры. С изменением температуры размеры канала автоматически перестраиваются в согласии с изменением диаметра домена. Способ продвижения цилиндрических магнитных доменов, основанный на воздействии на доменосодержащую пленку импульсным градиентным магнитным полем, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и расширения температурного интервала продвижения цилиндрических магнитных доменов, создают в доменосодержащей пленке линейный участок с локально измененными магнитными свойствами, воздействие импульсным градиентным магнитным полем осуществляют импульсами магнитного ! поля с амплитудой напряженности Нкря < < Н < Н„ол, где Нкл — напряженность. магнитного поля коллапса свободного полосового домена; ̈́— напряженность магнитг ного поля коллапса домена в линейном участке доменосодержащей пленки с локально измененными магнитными свойствами, формируют на указанном линейном участке доменосодержащей пленки гребенчатую доменную структуру в виде разнополярных полосовых доменов с волнообразной доменной границей между ними изменением амплитуды импульсов магнитного поля и перемещают гребенчатую доменную структуру в заданном направлении изменением частоты и полярности импульсов магнитного, поля. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Патент CILIA № 3916395, кл. 340 — 174, опублик. 1977. 2. Патент США № 3701129, кл. 340 — 174, опублик. 1976 (прототип) . 98208i Фя.. О 1 1 О 1 Q О Составитель Б. Розенталь Редактор Е. Лазуренко Тех ред И. Всрсс Корректор Л. Бокшан Заказ 9722/73 Тираж 622 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР ло делам изобретений и открытий ! 13035, Москва, Ж,— 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП «Патент», r. Ужгород, ул. Проектная, 4
