Травитель сегнетоэлектрической керамики системы цирконата- титанатэ свинца

 

Е.Г.Мухина, Б.Г.Пожарскии, А.Г. егалла

Е.Г.Киреева, Н.В.Козлова и А.Б.3ощарский ,1 .::."., ц изобретения

Иосковский институт электронной техййми-.. д Ф . ф (7l) Заявитель (54) ТРАВИТ ЕЛЬ С ЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ КЕРАМИКИ

СИСТЕМЫ ЦИРКОНАТ - ТИТАНАТ СВИНЦА

Изобретение относится к составам травителей, применяемых дпя обработ«

: ки изделий .иэ- керамики на основе твердых растворов цирконата -титаната свинца (ЦТС), и в частности к составам, предназначенным дпя удаления (стравливания). поверхностных слоев керамического материала для формиро" вания требуемого рельефа поверхности иэделий.

Известен травитель сегнетокерамики системы ЦТС, состоящий из концентрированной серной кислоты и сульфата аммония 1).

Недостатком этого травителя является образование на поверхнооти керамики слоя нерастворимых продуктов взаимодействия и прекращение процесса травления через 15-20 с, после погружения керамической пластины в травящий раствор.

Наиболее близким по составу ком" понентов к изобретению является травитель, представляющий смесь кон2 центрированных азотной и фтористоводородной кислот (14,29 и

22,40 моль/л соответственно) с концентрацией смешанного раствора по ННО 2,8 моль/л и по HF 17,-9 моль/л 21.

Недостатком этого травителя является то, что его действие на сегнетоэлектрическую керамику ЦТС сводится к нарушению поверхностного слоя материала на глубину до 5 мкм, в ос1 новном по межкристаллитным границам, после чего процесс травления прек-. ращается за счет образования слоя нерастворимых продуктов.

Целью изобретения является обес"

>> лечение регулируемой скорости трав ления при одновременном получении протравленной поверхности, свободной от продуктов травления °

Поставленная цель достигается тем, что травитель: содержит азотную кислоту; фторид-ионы и воду при следующем соотношении компонентов, моль/л: .

«Ф»

С йноа срНОЛЬ/Л

Срдереанне «омлонентов

Травмтель

s1л

Время образован«я неРаСТВОРннОГО слоя, ннн нг и к, 22,40 с м/л см Ъ

2 сн

ННО0

14, 29 м/ см тост ь, м«н

11редлас ае юбн

О,ь 9о

1,2 г

0,5 не образ.

0,5

0,5

Il

0,5

1 °

967,20

834,50

0>45 а!03 31.50 1!34

3,00 - "- 134,00

963,60

964,00

1,26

0,50 0,03 35,оо 1,34

Фt

« l I»

»11

74 «н» .

Э,оо -"- 134,оо

8»,00

955,00

0,9 ьа

60 о,9 а,9 и

125,97

° 1

» «11

М

174,27 -"822,00

0,9 г,а о,8 о,о о,8 о,8 ьо

4аа

4аа

4о0

400

3,20 -"- 142,90

430,00

I 1»

14,81

В,10 0,40 566,ВО

Не О6раа..

12

16,80

«! I»

« I I»

« l l»

13

23,24

«1!»

17,90

415 30

9,20 0,03, 643,80 1,34 а,7 а,7 о,7 о,7

l,O

1,0

1,0

2,5

4 0

356,00

25 г5

Эоа

Эоо

l5 н

« I l»

l7

»11

«11

i,26 н

1,74

1 °

19

« l l»

222,20

346,оо э,оо -"- 134,oo

I !»

«н»

21

1l»

»tt. 125>97

I 1» 6о

340,90

328,80

298,00 ь57,80 1,34

13,40

134,оо

9,40

0,03

0,30

Э,оо

° 1

Apowoтнл 2,8

17,9 20010 800,0

8,о о,5

3 98885

Азотная кислота 0,50-9,20

Фторид-ионы 0,0 3-3, 00

Вода Ост ал ьное

При этом травитель содержит фторидионы в виде фтористоводородной кисло" 5 ты или ее аммонийной или щелочной соли.

В полиэтиленовый сосуд емкостью

1 л,помещают от 31,50 см до 657,80 см

3 азотной кислоты (ГОСТ 4461-67} с концентрацией 14,29 моль/л, от

1,34 см до 134,00 см фтористоводородной кислоты (РЭТУ 74-58) с концентрацией 22,40 моль/л или навески фторидов аммония, натрия или калия (ГОСТ 4518-60, 4463-66, 4522-65, соотаетственно} в количестве 1,11 -111,11 г, 1,26-125,97 г и 1,74-174,27 r соответственно и доливают дистиллированную воду до 1 л. В травитель при 22 2оС 26 помещают образец сегнетокерамики

4 4 системы ЦТС, выполненный в виде пластины с размерами 20,0х15,0x х0,2 мм с большими гранями, имеющияи ми 13 класс чистоты обработки поверхности. После выдержки в травителе, пластину ополаскивают дистиллированной вод1эй и высушивают, Вари анты сост ава и хара ктери сти ки предлагаемого травителя и прототипа

Приведены в таблице.

Использование предлагаемого травителя позволяет получать требуемый рельеф поверхности сегнетокерамического материала ЦТС без применения специального оборудования (программных лазерных скрайберных установок) „ что значительно упрощает технологический процесс изготовления изделий из сегнетоэлектрической керамики, таких как модуляторы света, элементы памяти и т.д.

988854

Формула изобретения

Составитель Г. Сал ьни кова

Редактор И. ветровка Техред О.Неце Корректор Л.бокшан ю

Заказ 10989/33 Тираж 637

ВНИИ ПИ Государ ст венного комитета СС CP по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Филиап ППП "Патент",г. Ужгород, ул. Проектная, 4

1. Травитель сегнетоэлектрической керамики системы цирконат титанат свинца, содержащий азотную кислоту, фторид-ионы и воду, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью обеспе" чения регулируемой скорости травления при одновременном получении протравленной поверхности, свободной от продуктов травления, он со держит азотную кислоту, фторид-ионы и воду при следующем соотношении компонентов, моль/л:

А30т н ая кислОта 0 50-9,20

Фторид-ионы 0,03-3,00

Вода Остальное

2. Травитель по и. 1, о т л и ч аю шийся тем, что он содержит фторид-ионы в виде фтористоводородной кислоты или ее аммонийной или щелоч$ ной соли °

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

t0 1. Fumiko Hayashi, Yutaka Hayashi

Jamec О. Heindl Chemical etching of

piezo-electric ceramics "Bull. Е1есй, rotechnical Lab", 1976, ч. 40, М. 4-5, р. 177-180.

15 2. Поляризация пьезокерамики °

Под ред. Фесенко Е. Г. Ростов-на"До" ну, Изд-во Ростовского университета, 1968, с. 14-15 (прототип).

Травитель сегнетоэлектрической керамики системы цирконата- титанатэ свинца Травитель сегнетоэлектрической керамики системы цирконата- титанатэ свинца Травитель сегнетоэлектрической керамики системы цирконата- титанатэ свинца 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к химической обработке поверхности металлов, в частности удалению защитного покрытия, состоящего из подслоя титана и слоя нитрида титана, нанесенного ионно-плазменным напылением

Изобретение относится к химии и может быть использовано при обработке кварца

Изобретение относится к химическому удалению оксидных пленок гафния и циркония с поверхности токонепроводящих изделий и может быть использовано в приборостроении для восстановления свойств оптических стекол

Описано применение поверхностно-активных веществ A, 1 мас.% водный раствор которых имеет статическое поверхностное натяжение <25 мН/м. Указанные поверхностно-активные вещества A содержат три короткоцепочечные перфторированные группы Rf, выбранные из группы, состоящей из трифторметила, пентафторэтила, 1-гептафторпропила, 2-гептафторпропила, гептафторизопропила и пентафторсульфанила, для производства микросхем. Способ фотолитографии с применением поверхностно-активных веществ A в иммерсионных фоторезистных слоях, фоторезистных слоях, подвергающихся воздействию актиничного излучения, проявляющих растворах для экспонированных фоторезистных слоев и/или в химических промывочных растворах для проявленных структурированных фоторезистов, содержащих структуры с расстояниями между линиями менее 50 нм и со значениями аспектного отношения >3. Посредством поверхностно-активных веществ A предотвращается разрушение структур, уменьшается размытие края изображения, удаляются дефекты в виде следов от воды и предотвращается их появление, а также уменьшаются дефекты вследствие удаления частиц. 2 н. и 13 з. п. ф-лы, 1 пр.
Наверх