Патенты автора Панина Лариса Владимировна (RU)

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, а именно к области высокочувствительных магнитных сенсоров, основанных на магнитоимпедансном эффекте, для применения в медицине и геологии. Техническим результатом является повышение функциональных возможностей датчика, увеличение точности измерений, расширение диапазона измерений градиентных магнитных полей и температурной стабилизации работы устройства. Технический результат достигается следующим образом. Высокочувствительный магнитоимпедансный датчик градиентных магнитных полей содержит градиентный чувствительный элемент, усилители и микроконтроллер. Отличие датчика в том, что в него дополнительно введены подмагничивающий соленоид, широтно-импульсный модулятор и температурный датчик, а градиентный чувствительный элемент содержит соединенные последовательно и размещенные внутри однородной области магнитного поля подмагничивающего соленоида, по крайней мере, два магнитоимпедансных элемента, состоящих из аморфных ферромагнитных микропроводов в стеклянной изоляции и медных проводных катушек со встречно включенными обмотками, которые соединены со входами усилителей-модуляторов. Входы микроконтроллера соединены с выходами усилителей-модуляторов, температурного датчика, подмагничивающего соленоида и промежуточным отводом чувствительного элемента, а выходы микроконтроллера соединены со входами подмагничивающего соленоида и усилителей-модуляторов, причем вход чувствительного элемента соединен с выходом широтно-импульсного модулятора. Кроме того отличие датчика в том, что магнитоимпедансные элементы располагаются по одной линии друг за другом, а расстояние между ними не менее 5 мм для отрезков аморфного ферромагнитного микропровода в стеклянной оболочке диаметром 36 мкм и длиной по 3 мм. Также отличие датчика в том, что магнитоимпедансные элементы располагаются параллельно друг другу, а расстояние между ними не менее 10 мм для отрезков аморфного ферромагнитного микропровода в стеклянной оболочке диаметром 36 мкм и длиной по 3 мм. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается способа изготовления фильтров для ИК-диапазона. Способ заключается в выращивании из смеси бинарных компонент ZnSe и ZnS кристаллического слитка твердого раствора с перепадом температуры между зонами испарения и кристаллизации. Слиток ZnSe1-xSx выращивают с варьируемым соотношением исходной смеси бинарных компонент ZnSe и ZnS от 1:0.75 до 0.75:1 при температурах 1230-1270°C с перепадом температуры между зонами испарения и кристаллизации 50-75°C. Технический результат заключается в расширении крайних значений граничной длины волны фильтров за счет расширения диапазона изменения концентрации х по длине слитка ZnSe1-xSx. 3 табл.

Изобретение относится к получению магнитно-диэлектрических материалов, поглощающих электромагнитное излучение, и может быть использовано в радиоэлектронной технике при производстве принимающих антенн, осуществляющих селективное радиопоглощение в субтерагерцовом диапазоне (0,09-0,1 ТГц). Материал получают путем синтезирования замещенного гексаферрита бария BaFe12-xAlxO19, где 0.5≤x≤2, из оксидов Fe2О3, Al2O3 и карбоната ВаСО3 с нанесением диэлектрического слоя легкоплавкой эвтектики в процессе единого цикла твердофазной реакции за счет добавления в исходную шихту 1-2 мас.% B2O3. Порошки подвергают мокрому помолу, после чего смесь прессуют и подвергают обжигу на воздухе при 1150-1250°С до спекания, затем медленно охлаждают. Способ получения поглощающего материала является простым, а полученный материал имеет коэффициенты поглощения -19,6…-22,7 дБ и эффективен для поглощения в субтерагерцовой области спектра (0,09-0,1 ТГц). 6 ил., 3 пр.

Изобретение относится к области материалов для использования в магнитосенсорных и магнитометрических устройствах, устройствах записи-считывания информации. Многослойные магниторезистивные нанопроволоки состоят из чередующихся ферромагнитных и медных слоев, при этом в качестве ферромагнитных слоев используются слои никель-железо с толщинами 10-30 нм, а толщины медных слоев – 2-5 нм и суммарное количество пар слоев от 100 до 10 000. Технический результат - получение многослойных магниторезистивных нанопроволок NiFe/Cu с коэффициентами ГМР -18.4…-19.2% и величиной поля насыщения ГМР эффекта 0,001-0,0015 Тл. 3 пр., 3 ил.

Изобретение относится к технологии магнитотвердых ферритов и может быть использовано при изготовлении гексаферритов стронция. Технический результат - повышение активности при измельчении смеси исходных ферритообразующих компонентов в производстве гексаферрита стронция, что обеспечивает повышение коэрцитивной силы по намагниченности гексаферрита стронция больше 235 кА/м за счёт снижения температуры синтеза и обжига. Мокрое измельчение стехиометрической смеси карбоната стронция и оксида железа проводят в среде, содержащей щавелевую кислоту, октанол, изопропиловый спирт и олеиновую кислоту при следующем соотношении компонентов, мас.%: щавелевая кислота 0,2-0,6, октанол 0,1-0,4, изопропиловый спирт 2,0-5,0, олеиновая кислота 0,1-0,5, вода 28-45, стехиометрическая смесь карбоната стронция и оксида железа - остальное. 3 пр., 1 табл.

Изобретение относится к технологии магнитотвердых ферритов и может быть использовано при изготовлении гексаферритов стронция. Технический результат - повышение активности при измельчении смеси исходных ферритообразующих компонентов, обеспечивающее снижение температуры синтеза и повышение коэрцитивной силы по намагниченности изделий из гексаферрита стронция больше 235 кА/м. Проводят мокрое измельчение стехиометрической смесь карбоната стронция и оксида железа в среде, содержащей полиакриловую кислоту, касторовое масло, изопропиловый спирт и олеиновую кислоту при следующем соотношении компонентов, мас.%: полиакриловая кислота 0,2-0,6, касторовое масло 0,5-2,0, изопропиловый спирт 2,0-5,0, олеиновая кислота 0,1-0,5, вода 28-45, стехиометрическая смесь карбоната стронция и оксида железа - остальное. 1 табл., 3 пр.

Изобретение относится к способу доставки криогенных топливных мишеней (КТМ) для энергетических систем, работающих по схеме управляемого инерциального термоядерного синтеза (ИТС). В заявленном способе размещают каждую из криогенных топливных мишеней в носитель и продвигают носитель вдоль транспортного канала в зону управляемого инерциального термоядерного синтез. Носитель выполняют с использованием сверхпроводящего материала, а в транспортном канале формируют магнитное поле, обеспечивающее левитацию носителя над поверхностью транспортного канала. Техническим результатом является бесконтактная доставка криогенных топливных мишеней в камеру без риска останова носителя, порчи КТМ от нагрева, а также риска загрязнения атмосферы самой реакторной камеры движущим газом. 6 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к технологии магнитотвердых ферритов и может быть использовано при изготовлении гексаферритов бария. Технический результат - повышение активности при измельчении смеси исходных ферритообразующих компонентов в производстве гексаферрита бария, позволяющее снизить температуру обжига, обеспечивающую удельную намагниченность не менее 50 Тл⋅м3/кг, повышенную коэрцитивную силу по намагниченности и остаточную индукцию. Мокрое измельчение стехиометрической смеси карбоната бария и оксида железа проводят в кислой среде, содержащей винную кислоту, карбамид и изопропиловый спирт, при следующем соотношении компонентов, % масс.: винная кислота 0,1-0,5, карбамид 0,8-2,0, изопропиловый спирт 4-10, вода - 27-43, стехиометрическая смесь карбоната бария и оксида железа - остальное. 1 табл., 3 пр.

Изобретение относится к технологии магнитотвердых ферритов и может быть использовано при изготовлении гексаферритов бария. Технический результат - повышение активности при измельчении смеси исходных ферритообразующих компонентов в производстве гексаферрита бария, обеспечивающей снижение температуры синтеза шихты обжига изделий. Мокрое измельчение стехиометрической смеси карбоната бария и оксида железа проводят в кислой среде, содержащей полиакриловую кислоту, карбамид и изопропиловый спирт при следующем соотношении компонентов, мас.%: полиакриловая кислота 0,2-0,6, карбамид 0,8-2,0, изопропиловый спирт 4-10, вода 27-43, стехиометрическая смесь карбоната бария и оксида железа - остальное. 1 табл., 3 пр.

Изобретение относится к технологии магнитотвердых ферритов и может быть использовано при изготовлении гексаферритов стронция. Технический результат - повышение коэрцитивной силы по намагниченности гексаферрита стронция больше 235 кА/м и повышение активности при измельчении смеси исходных ферритообразующих компонентов в производстве гексаферрита стронция. Мокрое измельчение стехиометрической смеси карбоната стронция и оксида железа проводят в кислой среде, содержащей силикат кальция, полиакриловую кислоту и изопропиловый спирт при следующем соотношении компонентов, мас.%: полиакриловая кислота 0,2-0,6, изопропиловый спирт 4,0-10,0, силикат кальция 0,3-1,2, вода 28-45, стехиометрическая смесь карбоната стронция и оксида железа - остальное. 1 табл., 3 пр.
Изобретение относится к области наноразмерной технологии и может быть использовано для создания носителей информации с высокой плотностью записи, магнитных сенсоров с высокой чувствительностью и т.п., а также для применения в области медицины. Способ получения наноразмерных частиц гексаферрита стронция включает смешивание раствора нитрата стронция в дистиллированной воде с раствором нитрата железа в растворе глицерина и дистиллированной воды с достижением атомного отношения Sr/Fe=1:10, непрерывный нагрев и перемешивание при 50°С в течение одного часа, добавление аммиака и полиэтиленгликоля в соотношении 5:1, перемешивание полученной смеси при 80°С в течение 8 часов, центрифугирование при скорости 11000 об/мин, прокаливание при 450°С в течение 1,5 часов и спекание при температуре 1000-1100°С, при этом все процессы нагревания и перемешивания проводятся под воздействием непрерывного ультразвукового облучения частоты 10-25 кГц. Изобретение обеспечивает повышение однородности размеров наночастиц гексаферрита стронция. 3 пр.
Изобретение относится к измерительной технике и представляет собой двухпроводной дифференциальный магнитоимпедансный датчик. Датчик содержит два магнитоимпедансных детектора, изготовленных по бескаркасной намоточной технологии, т.е. детектирующие катушки детекторов намотаны непосредственно на сами магнитоимпедансные проводники со слоем защитной маски каждый. Детектирующие катушки детекторов включены встречно, при этом магнитоимпедансный проводник одного из детекторов не возбуждается, а замкнут сам на себя. Техническим результатом является повышение амплитуды выходного сигнала сенсора, уменьшение температурной зависимости выходного сигнала, увеличение точности измерений и расширение пределов измерительной шкалы. 5 ил.

Изобретение относится к измерительной технике и представляет собой сверхчувствительный интеллектуальный магнитометрический датчик (МИ датчик) с расширенным диапазоном рабочих температур области. Датчик включает магнитоимпедансный элемент (МИ элемент) с двумя катушками, выполненными одна над другой, аналоговый ключ, усилитель, температурный датчик, микроконтроллер, блок терморезистора. МИ элемент с двумя катушками позволяет расширять измерительную шкалу, проводить калибровку датчика. Микроконтроллер выполняет оцифровку данных, управляет всеми узлами датчика (МИ элементом, аналоговым ключом, усилителем), проводит математическую обработку данных. Температурный датчик и блок терморезистора обеспечивают работу датчика в широком температурном диапазоне. Техническим результатом является повышение функциональных возможностей МИ датчика (интеллектуализация), расширение пределов измерительной шкалы и диапазона рабочих температур, повышение точности измерений, получение дополнительной информации о температуре. 6 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой спектральный магнитоэллипсометр и предназначено для контроля in situ производства в условиях сверхвысокого вакуума наноразмерных магнитных структур. Магнитоэллипсометр содержит источник излучения с монохроматором, плечо поляризатора, оснащенного переключением положения от 0° до 45°, магнитную систему для воздействия на образец, плечо анализатора эллипсометра, оснащенного переключением положения от 0° до 45°, контроллер с детектором для синхронного измерения световых потоков, а также блок измерения магнитосопротивления, собранный по схеме четырехполюсного измерительного моста и состоящий из трех резисторов и одного сменного модуля в виде подложки, на которую происходит напыление образца-свидетеля, имеющего состав, идентичный составу исследуемого образца, а магнитная система выполнена в виде пары оптимизированных катушек Гельмгольца и перпендикулярно расположенного соленоида. Техническим результатом является расширение функциональных возможностей эллипсометрического метода контроля, повышение точности измерений, получение дополнительной информации об электрических или магнитных свойствах в рамках единого метода. 4 ил.

Изобретение относится к порошковой металлургии. Способ получения ферритовых изделий включает приготовление пресс-порошка, содержащего ферритовый материал и легирующую добавку, прессование заготовок, радиационно-термическое спекание заготовок путем их нагрева до температуры спекания облучением проникающим электронным пучком с выдержкой при температуре спекания под облучением непрерывным электронным пучком. В качестве легирующей добавки в пресс-порошок вводят наноразмерный порошок карбонильного железа с размером частиц 320-450 нм в количестве 0,01-0,03 мас.% от общей массы пресс-порошка. Обеспечивается улучшение процесса спекания, уменьшение времени спекания и повышение качества ферритовых изделий. 8 табл., 2 пр.

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой способ измерения магнитных свойств и толщины наноразмерных магнитных пленок и может быть использовано в магнитной наноэлектронике для характеризации гетерогенных магнитных элементов в устройствах памяти, в сенсорных устройствах и т.п. При реализации способа пленку с помощью индуктивной системы открытого типа намагничивают в переменном поле в присутствии постоянного поля, измеряют четные высшие гармоники, возникающие в результате нарушения симметрии постоянным полем, и для анализа используют отношение их амплитуд. Техническим результатом является повышение функциональной гибкости способа, в том числе применимость его для in situ характеризации магнитных пленок, и расширение диапазона его применения, в частности для характеристики наноразмерных пленочных структур. 4 ил.

Изобретение относится к области in situ контроля производства в условиях сверхвысокого вакуума наноразмерных магнитных структур и может быть использовано в магнитной наноэлектронике для характеризации гетерогенных магнитных элементов в устройствах памяти, в сенсорных устройствах и т.п. Спектральный эллипсометр дополнительно содержит магнитодинамический модуль, состоящий из аксиальных катушек разных диаметров, который производит измерения, основанные на нелинейности характеристики намагничивания пленки. Таким образом, из независимых измерений может определяться толщина пленки. Изобретение обеспечивает повышение функциональности и точности измерений за счет использования дополнительного оптически некоррелированного метода - магнитодинамического метода. 3 ил.
Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к получению радиопоглощающих ферритов. Может использоваться в электронной и радиопромышленности. Ферритообразующие оксиды магния, цинка и железа смешивают и синтезируют ферритовый порошок в печах в воздушной среде. Затем измельчают, вводят поливиниловый спирт в качестве связки и гранулируют измельченную смесь. Из гранулированного ферритового порошка прессованием формуют заготовки в виде пластин и проводят высокотемпературное спекание заготовок в воздушной среде. Нагрев пластин до температуры спекания и спекание проводят проникающим электронным пучком. По окончании спекания охлаждение от температуры спекания до температуры 900-850°C ведут путем естественного охлаждения ячейки для радиационно-термического спекания на воздухе, а дальнейшее охлаждение до комнатной температуры ведут путем пропускания через ячейку радиационно-термического спекания аргона или азота. Обеспечивается уменьшение энергопотребления, повышение скорости спекания, повышение радиопоглощения. 2 табл., 1 пр.
Изобретение относится к технологии получения наноразмерных пленок мультиферроиков и может найти применение в производстве высокодобротных магнитооптических устройств обработки и хранения информации, магнитных сенсоров, емкостных электромагнитов, магнитоэлектрических элементов памяти, невзаимных сверхвысокочастотных фильтров. Способ включает изготовление мишени заданного состава, обработку монокристаллической подложки ионами аргона, распыление мишени на подложку с дальнейшим отжигом полученной пленки, при этом используют подложку титаната стронция, процесс распыления осуществляют на подогретую до температуры 700-750°C подложку, в процессе распыления осуществляют подачу в область подложки контролируемого потока ионов кислорода, а полученные пленки отжигают в атмосфере кислорода в течение 1,0 час при температуре 500-550°C и нормальном атмосферном давлении. Изобретение позволяет получать монокристаллические наноразмерные пленки мультиферроиков состава BiFeO3 и RxBi1-xFeO3 (где R- Nd, La, Pr в количестве 0,1-0,3 форм.ед.). 1 табл., 1 пр.

 


Наверх