Патенты автора Пахомов Илья Викторович (RU)

Изобретение относится к области микроэлектроники. Технический результат: создание усилителя на однотипных n-p-n биполярных транзисторах, который обеспечивает передачу на выход устройства входного напряжения относительно общей шины с близким к единице коэффициентом усиления и при сопротивлениях нагрузки, изменяющихся в широком диапазоне. Для этого предложен буферный усилитель класса АВ на n-p-n биполярных транзисторах, который содержит вход (1) и выход (2) устройства, входной транзистор (3), первую (4) шину источника питания, первый (5) токостабилизирующий двухполюсник, вторую (6) шину источника питания, первый (7) выходной транзистор, второй (8) токостабилизирующий двухполюсник, второй (10) выходной транзистор, вспомогательный транзистор (11), третий (12) токостабилизирующий двухполюсник, вспомогательный p-n переход (13) и вспомогательный резистор (14). 6 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения, например операционных усилителях (ОУ), компенсационных стабилизаторах напряжения, компараторах и т.п. Техническим результатом изобретения является обеспечение работы дифференциального каскада (ДК) в режиме класса АВ при повышенных отношениях его максимальных выходных токов Iвых.max на первом 12 и втором 13 токовых выходах к статическим значениям его выходных токов Iвых.0, которые определяются при нулевом входном напряжении ДК. Входной дифференциальный каскад класса АВ быстродействующего операционного усилителя дополнительно содержит первый (19) и второй (20) дополнительные транзисторы. Базы первого (19) и второго (20) дополнительных транзисторов объединены и подключены к объединенным базам первого (7) и второго (8) вспомогательных транзисторов. Коллектор первого (19) дополнительного транзистора соединен с базой первого (10) выходного транзистора. Коллектор второго (20) дополнительного транзистора соединен с базой второго (11) выходного транзистора. Эмиттер первого (19) дополнительного транзистора соединен с первым (4) токовым выходом входного параллельно-балансного каскада (1). Эмиттер второго (20) дополнительного транзистора соединен со вторым (5) токовым выходом входного параллельно-балансного каскада (1). 2 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к радиотехнике. Технический результат - возможность независимой настройки разными резисторами частоты полюса и добротности полюса при постоянных значениях емкости частотозадающего конденсатора и частотозадающей индуктивности. Для этого предложен RLC-фильтр, содержащий вход (1) и выход (2) устройства, частотозадающую индуктивность (3) и частотозадающий конденсатор (4), а также согласующий резистор (5). В схему введены первый (6), второй (7) и третий (8) дополнительные повторители напряжения, вход устройства (1) связан с выходом устройства (2) через последовательно соединенные согласующий резистор (5) и первый (9) дополнительный резистор, общий узел которых подключен ко входу второго (7) дополнительного повторителя напряжения, выход которого связан со входом первого (6) дополнительного повторителя напряжения через частотозадающий конденсатор (4), выход устройства (2) связан с общей шиной источника питания через последовательно соединенные второй (10) и третий (11) дополнительные резисторы, общий узел которых соединен со входом третьего (8) дополнительного повторителя напряжения. 5 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и может использоваться для подавления нежелательных помех при обработке сигналов датчиков в системах автоматики и измерительной техники. Технический результат: создание условий, при которых реализуется режекторный фильтр семейства Саллен-Ки, с возможностью независимой настройки частоты полюса и добротности полюса разными резисторами исключительно на неинвертирующих повторителях напряжения. Режекторный фильтр класса Саллен-Ки содержит вход (1) и выход (2) устройства, первый (3) и второй (4) частотозадающие конденсаторы, первый (5), второй (6), третий (7) и четвертый 8 частотозадающие резисторы, первый (9) и второй (10) повторители напряжения. В схему введены дополнительный повторитель напряжения (11) и дополнительный резистор (12), выход первого 9 повторителя напряжения соединен с выходом (2) устройства и подключен к общей шине источников питания через последовательно соединенные дополнительный резистор (12) и четвертый (8) частотозадающий резистор, общий узел которых подключен ко входу второго (10) повторителя напряжения, выход второго (10) повторителя напряжения связан со входом дополнительного повторителя напряжения (11) через последовательно соединенные третий (7) и второй (6) частотозадающие резисторы, общий узел которых связан с выходом дополнительного повторителя напряжения (11) через второй (4) частотозадающий конденсатор, а вход дополнительного повторителя напряжения (11) соединен со входом первого (9) повторителя напряжения через первый (3) частотозадающий конденсатор. 4 ил.

Предлагаемое изобретение относится к области радиотехники и аналоговой микроэлектроники. Технический результат: создание радиационно-стойкого и низкотемпературного JFet операционного усилителя, который обеспечивает малый уровень систематической составляющей напряжения смещения нуля и повышенные значения коэффициента усиления по напряжению. Для этого в известный операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах между объединенными истоками первого (4) и третьего (6) входных полевых транзисторов и второй (14) шиной источника питания включен третий (16) токостабилизирующий двухполюсник на полевом транзисторе, между объединенными истоками второго (5) и четвертого (7) входных полевых транзисторов и первой (10) шиной источника питания включен четвертый (17) токостабилизирующий двухполюсник на полевом транзисторе, причем выходные статические токи первого (11), второго (15), третьего (16) и четвертого (17) токостабилизирующих двухполюсников одинаковы в широком диапазоне внешних воздействий и изменении напряжений питания. 5 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат: уменьшение систематической составляющей напряжения смещения нуля, что оказывает положительное влияние на статические параметры многих аналоговых интерфейсов на основе ОУ. Для этого в операционном усилителе с малым напряжением смещения нуля на комплементарных полевых транзисторах первый (12) токостаблизирующий двухполюсник реализован на первом (19) дополнительном полевом транзисторе, затвор которого связан с истоком первого (13) выходного полевого транзистора, сток подключен ко второй (11) шине источника питания, а исток связан с истоком первого (13) выходного полевого транзистора через первый (20) дополнительный резистор, аналогичным образом в схеме реализованы второй (18) токостабилизирующий двухполюсник, источник опорного тока (10), третий (25) дополнительный токостабилизирующий двухполюсник, четвертый (28) токостабилизирующий двухполюсник, пятый (31) токостабилизирующий двухполюсник. 3 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат: повышение крутизны преобразования входного напряжения в выходной ток устройства, в итоге повышение коэффициента усиления по напряжению. Для этого в известном дифференциальном усилителе с повышенной крутизной на полевых транзисторах сток пятого (12) вспомогательного полевого транзистора соединен с токовым выходом устройства (17), согласованным с первой (15) шиной источника питания, сток шестого (13) вспомогательного полевого транзистора соединен с истоком пятого (12) вспомогательного полевого транзистора и подключен к источнику напряжения смещения (18), затвор пятого (12) вспомогательного полевого транзистора связан с истоком шестого (13) вспомогательного полевого транзистора и через третий (14) вспомогательный резистор подключен ко второму (5) токовому выходу входного дифференциального каскада (1), затвор шестого (13) вспомогательного полевого транзистора соединен со вторым (5) токовым выходом входного дифференциального каскада (1), а также использованы другие связи и элементы. 4 з.п. ф-лы, 15 ил.

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в качестве арсенид-галлиевого выходного каскада усилителя мощности различных аналоговых устройств, допускающих работу в условиях воздействия проникающей радиации, низких и высоких температур. Технический результат заявленного изобретения заключается в создании выходного каскада усилителя мощности, реализуемого только на арсенид-галлиевых JFET полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом и GaAs биполярных p-n-p-транзисторах. Технический результат достигается за счет того, что арсенид-галлиевый выходной каскад усилителя мощности содержит вход (1) и выход (2) устройства, входной (3) полевой транзистор с управляющим p-n-переходом, затвор которого соединен со входом (1) устройства, а сток связан с первой (4) шиной источника питания, выходной (5) биполярный транзистор, эмиттер которого соединен с выходом (2) устройства, а коллектор подключен ко второй (6) шине источника питания. Затворы первого (7) и второго (8) вспомогательных полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом подключены ко второй (6) шине источника питания. Сток первого (7) вспомогательного полевого транзистора с управляющим p-n-переходом связан с базой выходного (5) биполярного транзистора. Затвор второго вспомогательного полевого транзистора с управляющим p-n-переходом дополнительно связан со своим истоком через первый (9) токостабилизирующий двухполюсник. Дополнительно в схему арсенид-галлиевого выходного каскада усилителя мощности введены первый (10) и второй (11) дополнительные биполярные транзисторы, а также первый (12) и второй (13) дополнительные резисторы. Исток входного (3) полевого транзистора с управляющим p-n-переходом соединен с выходом (2) устройства, а его сток связан с первой (4) шиной источника питания через первый (12) дополнительный резистор и подключен к эмиттеру первого (10) дополнительного биполярного транзистора. Эмиттер второго (11) дополнительного биполярного транзистора связан с первой (4) шиной источника питания через второй (13) дополнительный резистор, а его база соединена с базой и коллектором первого (10) дополнительного биполярного транзистора и подключена к стоку второго (8) вспомогательного полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Коллектор второго (11) дополнительного биполярного транзистора соединен со стоком первого (7) вспомогательного полевого транзистора с управляющим p-n-переходом, исток которого связан со второй (6) шиной источника питания через третий (14) дополнительный резистор. 3 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в различных аналоговых и аналого-цифровых интерфейсах - активных RC-фильтрах, нормирующих преобразователях и т.п., в том числе работающих в условиях низких температур и воздействия радиации. Технический результат: создание радиационно-стойкого и низкотемпературного ДУ и операционного усилителя на его основе, который за счет высокой самоустанавливающейся симметрии статического режима по токам стока и напряжениям затвор-сток применяемых полевых транзисторов обеспечивает малый уровень систематической составляющей напряжения смещения нуля и повышенные значения коэффициента усиления по напряжению. Технический результат достигается за счет создания условий, при которых в цепи второго (4) токового выхода устройства обеспечивается полная взаимная компенсация статического тока цепи динамической нагрузки на третьем (18) дополнительном полевом транзисторе и тока стока второго (8) выходного полевого транзистора. Данное условие выполняется путем специального построения токостабилизирующего двухполюсника (9) общей истоковой цепи первого (5) и второго (6) входных полевых транзисторов, реализованного на первом (16) и втором (17) дополнительных полевых транзисторах, а также такого же построения источника опорного тока на пятом (25) дополнительном полевом транзисторе. 3 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к радиотехнике и связи и может быть использовано в качестве устройства выделения заданного спектра сигнала, например, при его дальнейшей обработке аналого-цифровыми преобразователями различных модификаций. Технический результат - создание полосового фильтра семейства Саллена-Ки, в котором предусмотрена возможность независимой настройки разными резисторами частоты полюса и добротности полюса. Полосовой фильтр семейства Саллена-Ки с независимой подстройкой основных параметров содержит вход (1) и выход (2) устройства, дифференциальный операционный усилитель (3), первый (4) и второй (5) частотозадающие конденсаторы, а также первый (6), второй (7) и третий (8), четвертый (9) и пятый (10) резисторы. Инвертирующий вход дифференциального операционного усилителя (3) связан с общей шиной источников питания через пятый (10) резистор и соединен с выходом дифференциального операционного усилителя (3) через четвертый (9) резистор, выход дифференциального операционного усилителя (3) связан с общей шиной источников питания через последовательно соединенные второй (7) резистор и первый (4) частотозадающий конденсатор, общий узел которых соединен с неинвертирующим входом дифференциального операционного усилителя (3) через второй (5) частотозадающий конденсатор. Неинвертирующий вход дифференциального операционного усилителя (3) связан с входом дополнительного буферного усилителя (11), выход которого подключен к выходу (2) устройства и связан с общей шиной источников питания через последовательно соединенные первый (12) и второй (13) дополнительные резисторы, общий узел которых соединен с неинвертирующим входом дифференциального операционного усилителя (3) через третий (8) резистор. Вход (1) устройства связан с общим узлом последовательно включенных второго (7) резистора и первого (4) частотозадающего конденсатора через первый (6) резистор. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к радиотехнике и связи и может быть использовано в качестве устройства выделения заданного спектра сигнала, например, при его дальнейшей обработке аналого-цифровыми преобразователями различных модификаций. Технический результат: создание полосового фильтра семейства Саллена-Ки, в котором предусмотрена возможность независимой настройки разными резисторами частоты полюса и добротности полюса. Полосовой фильтр семейства Саллена-Ки содержит вход (1) и выход (2) устройства, дифференциальный операционный усилитель (3), первый (4) и второй (5) частотозадающие конденсаторы, а также первый (6), второй (7) и третий (8), четвертый (9) и пятый (10) резисторы, причем инвертирующий вход дифференциального операционного усилителя (3) связан с общей шиной источников питания через пятый (10) резистор и соединен с выходом дифференциального операционного усилителя (3) через четвертый (9) резистор, выход дифференциального операционного усилителя (3) связан с общей шиной источников питания через последовательно соединенные второй (7) резистор и первый (4) частотозадающий конденсатор, общий узел которых соединен с неинвертирующим входом дифференциального операционного усилителя (3) через второй (5) частотозадающий конденсатор. Неинвертирующий вход дифференциального операционного усилителя (3) связан со входом дополнительного буферного усилителя (11), выход которого подключен к выходу (2) устройства и связан с общей шиной источников питания через последовательно соединенные первый (12) и второй (13) дополнительные резисторы, общий узел которых соединен с неинвертирующим входом дифференциального операционного усилителя (3) через третий (8) резистор. 5 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в качестве малошумящего устройства усиления аналоговых сигналов в структуре аналоговых интерфейсов различного функционального назначения, в том числе работающих в широком диапазоне температур и воздействия радиации. Технический результат: создание условий, при которых в ОУ реализуются малые значения систематической составляющей напряжения смещения нуля. При этом положительный эффект обеспечивается за счет специального построения входного дифференциального каскада ОУ и «перегнутого» каскода. Операционный усилитель на основе «перегнутого» каскода и комплементарных полевых транзисторов содержит входной дифференциальный каскад (1) на полевых транзисторах, первый (8) выходной полевой транзистор, второй (9) выходной полевой транзистор, первый (10) токостабилизирующий двухполюсник на полевом транзисторе, второй (12) токостабилизирующий двухполюсник на полевом транзисторе, цепь динамической нагрузки (13), первую и вторую шины источника питания. 3 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники, обеспечивающей работу в условиях воздействия проникающей радиации, низких и высоких температур. Технический результат заключается в создании буферного усилителя, реализуемого на JFET арсенид-галлиевых полевых транзисторах с управляющим р-n переходом и биполярных GaAs р-n-р транзисторах, который обеспечивает в нагрузке RH выходные токи положительного iH(+) и отрицательного iH(-) направлений. Арсенид-галлиевый буферный усилитель содержит первый (1) и второй (2) входы устройства, первый (3) и второй (4) полевые транзисторы с управляющим р-n переходом, истоки которых объединены и подключены к выходу (5) устройства, первую (6) шину источника питания, токовое зеркало (7), согласованное с первой (6) шиной источника питания, выход токового зеркала (7) связан со второй (8) шиной источника питания через источник опорного тока (9). Между выходом токового зеркала (7) и источником опорного тока (9) включен согласующий двухполюсник (10), выход (5) устройства подключен к эмиттеру дополнительного биполярного транзистора (11), коллектор которого соединен со второй (8) шиной источника питания, причем база дополнительного биполярного транзистора (11) и второй (2) вход устройства связаны с выводами согласующего двухполюсника (10). 6 з.п. ф-ы, 8 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения, например, операционных усилителях (ОУ), компараторов и т.п., в том числе работающих при низких температурах и воздействии радиации. Технический результат: обеспечение работы в режиме класса АВ, т.е. повышение его максимального выходного напряжения, а также увеличение его напряжения ограничения проходной характеристики (Uгр) в условиях криогенных температур и воздействия проникающей радиации. Дифференциальный каскад класса АВ с нелинейным параллельным каналом содержит первый (1) и второй (2) входы, первый (3) и второй (4) токовые выходы, третий (6) и четвертый (7) токовые выходы, первый (9) входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым (1) входом, а сток подключен к первому (3) токовому выходу, второй (10) входной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым (2) входом, а сток подключен ко второму (4) токовому выходу, третий (11) входной полевой транзистор, сток которого подключен к третьему (6) токовому выходу, четвертый (12) входной полевой транзистор, сток которого соединен с четвертым (7) токовым выходом, первый (13) и второй (14) токостабилизирующие двухполюсники. В схему введены первый (15) и второй (16) дополнительные полевые транзисторы, затвор первого (15) дополнительного полевого транзистора подключен к первому (1) входу, затвор второго (16) дополнительного полевого транзистора подключен ко второму (2) входу, между истоками первого (15) и второго (16) дополнительных полевых транзисторов включены последовательно соединенные первый (17) и второй (18) вспомогательные резисторы, общий узел которых соединен с затворами третьего (11) и четвертого (12) входных полевых транзисторов, между истоком первого (15) дополнительного полевого транзистора и второй (8) шиной источника питания включен первый (13) токостабилизирующий двухполюсник, между истоком второго (16) дополнительного полевого транзистора и второй (8) шиной источника питания включен второй (14) токостабилизирующий двухполюсник, исток третьего (11) входного полевого транзистора связан с истоком первого (9) входного полевого транзистора, а исток четвертого (12) входного полевого транзистора связан с истоком второго (10) входного полевого транзистора. 3 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения, например операционных усилителях (ОУ), компараторах и т.п., в том числе работающих при низких температурах и воздействии радиации. Технический результат: расширение диапазона активной работы ДУ – увеличение его напряжения ограничения проходной характеристики (Uгр) в условиях криогенных температур и воздействия проникающей радиации. Дифференциальный усилитель класса АВ на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом содержит первый (1) и второй (2) входы, образующие дифференциальный вход устройства, первый (3) входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым (1) входом устройства, а сток подключен к первому (4) токовому выходу устройства, согласованному с первой (5) шиной источника питания, второй (6) входной полевой транзистор, затвор которого подключен ко второму (2) входу устройства, а сток связан со вторым (7) токовым выходом устройства, согласованным с первой (5) шиной источника питания, третий (8) входной полевой транзистор, сток которого соединен с третьим (9) токовым выходом устройства, согласованным со второй (10) шиной источника питания, четвертый (11) входной полевой транзистор, сток которого соединен с четвертым (12) токовым выходом устройства, согласованным со второй (10) шиной источника питания, первый (13) и второй (14) источники опорного тока. В схему введены первый (15) и второй (16) согласующие транзисторы, затвор первого (15) согласующего транзистора соединен с первым (1) входом устройства, его сток подключен к первой (5) шине источника питания, а исток связан со второй (10) шиной источника питания через первый (13) источник опорного тока и соединен с затвором четвертого (11) входного полевого транзистора, затвор второго (16) согласующего транзистора соединен со вторым (2) входом устройства, его сток подключен к первой (5) шине источника питания, а исток связан со второй (10) шиной источника питания через второй (14) источника опорного тока и соединен с затвором третьего (8) входного полевого транзистора, причем затвор третьего (8) входного полевого транзистора связан с истоком первого (3) входного полевого транзистора, а исток четвертого (11) входного полевого транзистора связан с истоком второго (6) входного полевого транзистора. 2 з.п. ф-лы, 11 ил.

Изобретение относится к области вторичных источников электропитания и может быть использовано в структуре аналоговых и цифровых микросхем, работающих в условиях криогенных температур и воздействия радиации. Технический результат заявленного изобретения заключается в создании условий в архитектуре известного КСН, при которых становится возможным применение JFET транзисторов и, как следствие, обеспечивается надежная работа устройства в тяжелых условиях эксплуатации. Кроме этого, создаваемые JFET КСН будут иметь еще одно дополнительное положительное качество – напряжение на затворе его JFET регулирующего элемента с n-каналом будет меньше выходного напряжения КСН. Это существенно упрощает цепи управления JFET регулирующим элементом и создает оптимальные условия для согласования потенциалов в схеме КСН, когда максимальные напряжения на всех других активных элементах КСН меньше, чем его выходное напряжение. Для достижения технического результата компенсационный стабилизатор напряжения на полевых транзисторах для работы при низких температурах содержит регулирующий элемент (1) на полевом транзисторе, сток которого подключен к источнику напряжения питания (2), а исток соединен с выходом (3) устройства, дифференциальный усилитель сигнала рассогласования (4) с инвертирующим (5) и неинвертирующим (6) входами, первым токовым выходом (7), а также токовым входом (8), устанавливающим статический режим дифференциального усилителя сигнала рассогласования (4), связанным с общей шиной источника питания (9) через источник опорного тока (10), источник опорного напряжения (11), соединенный с неинвертирующим входом (6) дифференциального усилителя сигнала рассогласования (4), причем выход устройства (3) связан с инвертирующим входом (5) дифференциального усилителя сигнала рассогласования (4). Первый (7) токовый выход усилителя сигнала рассогласования (4) связан с затвором первого (12) дополнительного полевого транзистора, а также подключен к истоку первого (12) дополнительного полевого транзистора и к затвору полевого транзистора регулирующего элемента (1) через первый (13) дополнительный резистор, источник опорного тока (10) выполнен на основе второго (14) и третьего (15) дополнительных полевых транзисторов, стоки которых соединены с токовым входом (8) дифференциального усилителя сигнала рассогласования (4), затворы второго (14) и третьего (15) дополнительных полевых транзисторов соединены с общей шиной источника питания (9), исток второго (14) дополнительного полевого транзистора подключен к общей шине источника питания (9) через второй (16) дополнительный резистор, а исток третьего (15) дополнительного полевого транзистора подключен к общей шине (9) источника питания через третий (17) дополнительный резистор, причем сток первого (12) дополнительного полевого транзистора соединен с первым источником напряжения смещения (18), а выход устройства (3) связан с инвертирующим входом (5) дифференциального усилителя сигнала рассогласования (4) через резистивный делитель напряжения (19), содержащий последовательно соединенные первый (20) и второй (21) резисторы. 6 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к области вторичных источников электропитания и может быть использовано в структуре аналоговых и цифровых микросхем, работающих в условиях криогенных температур и воздействия радиации. Техническим результатом заявленного изобретения является создание условий в архитектуре известного КСН на КМОП полевых транзисторах, при которых становится возможным применение JFET транзисторов и, как следствие, обеспечивается надежная работа устройства в тяжелых условиях эксплуатации. Кроме этого создаваемые JFET КСН будут иметь еще одно дополнительное положительное качество – напряжение на затворе его JFET регулирующего элемента с n-каналом будет меньше выходного напряжения КСН. Это существенно упрощает цепи управления JFET регулирующим элементом и создает оптимальные условия для согласования потенциалов в схеме КСН, когда максимальные напряжения на всех других активных элементах КСН меньше, чем его выходное напряжение. В КМОП КСН это принципиально невозможно. Технический результат заявленного изобретения достигается за счет того, что низкотемпературный и радиационно-стойкий компенсационный стабилизатор напряжения на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом (фиг. 2) содержит первую (1) шину источника питания, выход устройства (2), выходной полевой транзистор (3) регулирующего элемента, исток которого соединен с выходом (2) устройства, а сток подключен к первой (1) шине источника питания, дифференциальный усилитель сигнала рассогласования (4) с первым (5) и вторым (6) токовыми выходами и общей истоковой цепью (7), вторую (8) шину источника питания, токовое зеркало (9), вход которого соединен с первым (5) токовым выходом дифференциального усилителя сигнала рассогласования (4), инвертирующий выход связан со вторым (6) токовым выходом дифференциального усилителя сигнала рассогласования (4), причем токовое зеркало (9) имеет неинвертирующий выход (10), резистивный делитель напряжения (11), вход которого соединен с выходом устройства (2), а выход подключен к инвертирующему входу (12) дифференциального усилителя сигнала рассогласования (4), источник опорного напряжения (13), соединенный с неинвертирующим входом (14) дифференциального усилителя сигнала рассогласования (4). В схему введен первый (15) дополнительный полевой транзистор, сток которого подключен ко второй (8) шине источника питания, затвор соединен со вторым (6) токовым выходом дифференциального усилителя сигнала рассогласования (4), а исток связан с затвором выходного полевого транзистора (3) регулирующего элемента и соединен с выходом устройства (2) через дополнительный резистор (16), причем в качестве всех упомянутых выше полевых транзисторов используются полевые транзисторы с управляющим p-n переходом. 7 з.п. ф-лы, 14 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и аналоговой микроэлектроники. Технический результат заключается в повышении коэффициента ослабления входных синфазных сигналов ОУ для работы при низких температурах, оказывающего существенное влияние на погрешности классических аналоговых интерфейсов. Усилитель содержит входные полевые транзисторы с объединенными истоками, токовые зеркала, дополнительный полевой транзистор, вспомогательный резистор, дополнительный токовый вход, связанный с затвором первого дополнительного полевого транзистора. 1 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в быстродействующих аналоговых и аналого-цифровых интерфейсах для обработки сигналов датчиков. Технический результат заключается в создании токового порогового элемента правого циклического сдвига, в котором внутреннее преобразование информации производится в токовой форме сигналов, что позволяет повысить быстродействие устройств преобразования информации. 1 табл., 4 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и аналоговой микроэлектроники. Технический результат заключается в повышении коэффициента ослабления входных синфазных сигналов, оказывающего существенное влияние на погрешности различных аналоговых интерфейсов с заявляемым устройством. Низкотемпературный входной каскад содержит шины источника питания, входные полевые транзисторы с объединенными истоками, источники опорного тока, дополнительные полевые транзисторы, причем в качестве упомянутых выше полевых транзисторов применены полевые транзисторы с управляющим p-n переходом. 2 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и аналоговой. Технический результат заключается в обеспечении работоспособности ОУ в диапазоне криогенных температур и воздействии проникающей радиации, а также в получении в этих условиях повышенных значений дифференциального коэффициента усиления. Низкотемпературный двухкаскадный операционный усилитель содержит шину источника питания, источник опорного тока, выходные полевые транзисторы, причем в качестве всех вышеупомянутых полевых транзисторов используются полевые транзисторы с управляющим p-n переходом. 5 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в качестве функционального узла аналоговых микросхем (например, дифференциальных (ОУ) и мультидифференциальных операционных усилителях (МОУ), компараторах и т.п.) для задач усиления и фильтрации сигналов, в том числе в диапазоне низких температур и при воздействии проникающей радиации. Технический результат заключается в создании работоспособного в диапазоне низких температур неинвертирующего токового зеркала на комплементарных полевых транзисторах с управляющим pn-переходом, обеспечивающего неинвертирующие преобразования входного токового сигнала с коэффициентом передачи по току больше единицы. Многофункциональное токовое зеркало содержит полевые транзисторы, вспомогательные полевые транзисторы, токостабилизирующий двухполюcник, полевые транзисторы с управляющим pn-переходом (JFET). 4 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов. Технический результат заключается в обеспечении более высокой стабильности статического режима при отрицательных температурах (до -197°С) и изменении напряжений питания. Каскад входные полевые транзисторы и выходные полевые транзисторы и дополнительные полевые транзисторы с управляющим p-n. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в быстродействующих аналоговых и аналого-цифровых интерфейсах для обработки сигналов датчиков. Технический результат заключается в повышении быстродействия устройств преобразования информации. Предложено схемное решение, обеспечивающее токовый пороговый логический элемент «Равнозначность», в котором внутреннее преобразование информации производится в токовой форме сигналов и результат преобразования сигналов независим от погрешностей преобразования в пределах 0,5 кванта тока I0. 1 табл., 4 ил.

Изобретение относится к радиотехнике и связи. Технический результат заключается в создании условий, при которых в заявляемом дифференциальном усилителе (ДУ) обеспечивается более высокая стабильность статического режима при отрицательных температурах, а также повышение коэффициента ослабления входных синфазных сигналов и коэффициента подавления помех по шинам питания. Усилитель содержит полевые транзисторы и резисторы, соединенные таким образом, чтобы статический режим схемы устанавливался элементами, изолированными от шин источников питания, что позволит улучшить значения коэффициента ослабления входных синфазных сигналов и коэффициента подавления помех по шинам питания. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат: создание условий, при которых обеспечиваются более высокие значения коэффициента ослабления входных синфазных сигналов и коэффициента подавления помех по шинам питания. Для этого предложен дифференциальный каскад на комплементарных JFET полевых транзисторах с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала, который содержит первый (1) и второй (2) входы устройства, первый (3) входной полевой транзистор, первый (4) токовый выход устройства, первую (5) шину источника питания, второй (6) входной полевой транзистор, второй (7) токовый выход устройства, третий (8) входной полевой транзистор, третий (9) токовый выход устройства, вторую (10) шину источника питания, четвертый (11) входной полевой транзистор, четвертый (12) токовый выход устройства, первый (13) дополнительный полевой транзистор, первый (14) вспомогательный двухполюсник. 1 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к радиотехнике. Технический результат заключается в создании неинвертирующего CJFet усилителя, обеспечивающего опцию rail-to-rail по выходу и получение повышенных выходных сопротивлений. Последнее качество позволяет создавать высокоомные узлы в аналоговых устройствах и обеспечить их коррекцию амплитудно-частотных характеристик с помощью конденсаторов небольшой емкости. Неинвертирующий усилитель содержит полевые транзисторы, токостабилизирующий двухполюсник, соединенный таким образом, что обеспечивает изменение выходного напряжения от первой шины источника питания, до второй шины источника питания, то есть реализует опцию rail-to-rail при изменении сопротивления нагрузки в широких пределах. 2 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве выходного каскада для усиления быстроизменяющихся аналоговых сигналов по мощности (буферного усилителя) в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения, например операционных усилителях. Технический результат: повышение максимальной скорости нарастания выходного напряжения и уменьшение времени установления переходного процесса в БУ при больших импульсных входных сигналах. Быстродействующий буферный усилитель содержит первый и второй входные транзисторы разного типа проводимости, первый и второй выходные транзисторы разного типа проводимости, первую цепь управления статическим режимом первого входного транзистора, вторую цепь управления статическим режимом второго входного транзистора, первую паразитную емкость, вторую паразитную емкость. В качестве первой и второй цепей управления статическим режимом первого и второго входных транзисторов соответственно применяются инвертирующие усилители тока, в схему введены первый и второй дополнительные транзисторы разного типа проводимости, первый дополнительный токостабилизирующий двухполюсник и второй дополнительный токостабилизирующий двухполюсник. 4 ил.

Изобретение относится к устройствам усиления широкополосных сигналов. Технический результат заключается в повышении коэффициента усиления по току ДУТ при сохранении у него опции rail-to-rail. Дифференциальный усилитель токов содержит первый, второй, третий и четвертый дополнительные транзисторы, затвор первого дополнительного транзистора соединен с первым токовым входом устройства, затвор второго дополнительного транзистора соединен со вторым (2) токовым входом устройства, стоки первого и второго дополнительных транзисторов согласованы с первой шиной источника питания, сток третьего дополнительного транзистора соединен с затвором первого выходного транзистора и истоком первого вспомогательного транзистора, сток четвертого дополнительного транзистора соединен с затвором второго выходного транзистора и истоком второго вспомогательного транзистора, причем истоки первого и второго дополнительных транзисторов подключены к затворам третьего и четвертого дополнительных транзисторов, а истоки третьего и четвертого дополнительных транзисторов связаны со второй шиной источника питания. 3 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к прецизионным устройствам усиления сигналов. Технический результат заключается в повышении разомкнутого коэффициента усиления по напряжению операционного усилителя. Каскодный дифференциальный операционный усилитель содержит: входной дифференциальный каскад с общей эмиттерной цепью, согласованной с первой шиной источника питания, первый, второй, третий, четвертый дополнительные транзисторы, базы первого и второго дополнительных транзисторов подключены к первому токовому выходу входного дифференциального каскада, базы третьего и четвертого дополнительных транзисторов подключены ко второму токовому выходу входного дифференциального каскада, объединенные эмиттеры первого и второго дополнительных транзисторов связаны с эмиттером второго выходного транзистора, объединенные эмиттеры третьего и четвертого дополнительных транзисторов соединены с эмиттером первого выходного транзистора, коллекторы второго и третьего дополнительных транзисторов соединены с первым токовым выходом входного дифференциального каскада а коллекторы первого и четвертого дополнительных транзисторов связаны со вторым токовым выходом входного дифференциального каскада. 1 з.п. ф-лы, 11 ил.

Изобретение относится к области электроники и радиотехники. Технический результат: уменьшение коэффициента передачи входного синфазного сигнала. Технический результат достигается за счет новых элементов и связей, введенных в дифференциальный усилитель с повышенным ослаблением синфазного сигнала: второй (3) токовой выход входного дифференциального каскада (1) связан со входом второго (9) токового зеркала через первую (10) цепь согласования потенциалов, а четвертый (5) токовый выход входного дифференциального каскада (1) связан со входом первого (7) токового зеркала через вторую (11) цепь согласования потенциалов. 5 ил.

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в качестве прецизионного устройства усиления широкополосных сигналов. Технический результат заключается в уменьшении систематической составляющей напряжения смещения нуля. Радиационно-стойкий мультидифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах содержит первый и второй входные биполярные транзисторы, первый и второй входные полевые транзисторы, первое и второе токовые зеркала, первую и вторую шины источника питания, при этом в схему введены первый и второй дополнительные полевые транзисторы. 3 з.п. ф-лы, 16 ил.

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в качестве прецизионного устройства усиления широкополосных сигналов. Технический результат: уменьшение систематической составляющей напряжения смещения нуля, а также создание условий для применения в схеме заявляемого устройства КМОП транзисторов. Низкотемпературный радиационно-стойкий мультидифференциальный операционный усилитель содержит первый (1) дифференциальный каскад на основе первого (2) и второго (3) входных транзисторов, связанных друг с другом инжектирующими выводами. Первый (4) токовый выход первого (1) дифференциального каскада и первый (11) токовый выход второго (8) дифференциального каскада подключены ко входу первого (15) токового зеркала, второй (12) токовый выход второго (8) дифференциального каскада подключен к выходу второго (18) токового зеркала и соединен со входом дополнительного инвертирующего усилителя (20), согласованного со второй (19) шиной источника питания, токовый выход которого соединен с токовым выходом устройства (17). 8 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в качестве прецизионного устройства усиления электрических сигналов различных датчиков. Технический результат заключается в повышении точности за счет уменьшения систематической составляющей напряжения смещения нуля низкотемпературного радиационно-стойкого мультидифференциального операционного усилителя (МОУ). Он содержит дифференциальные каскады на основе транзисторов, связанных друг с другом. Токовый выход первого (1) дифференциального каскада соединен с первой (15) шиной источника питания через первый (18) токостабилизирующий двухполюсник и подключен к эмиттеру первого (19) согласующего транзистора, второй (12) токовый выход второго (8) дифференциального каскада соединен с эмиттером второго (20) согласующего транзистора и через второй (21) токостабилизирующий двухполюсник соединен с первой (15) шиной источника питания. Причем первый (11) токовый выход второго (8) дифференциального каскада соединен с эмиттером второго (26) выходного транзистора и подключен к коллектору первого (19) согласующего транзистора, коллектор второго (26) выходного транзистора связан со вторым (28) входом выходного дифференциального каскада (25), выход которого соединен с выходом устройства (17). 3 з.п. ф-лы, 15 ил.

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано в качестве прецизионного устройства усиления сигналов различных датчиков. Технический результат заключается в повышении коэффициента ослабления входного синфазного сигнала при работе в диапазоне низких температур. Указанный результат достигается посредством инструментального усилителя для работы при низких температурах, который содержит первый входной полевой транзистор первого дифференциального каскада, затвор которого соединен с первым входом устройства, исток подключен к стоку первого вспомогательного транзистора первого дифференциального каскада, а сток через первый двухполюсник нагрузки связан с первой шиной источника питания и соединен с первым выходом, второй входной полевой транзистор первого дифференциального каскада. Между второй шиной источника питания и истоком второго выходного транзистора включен второй токостабилизирующий двухполюсник, причем второй и первый выходы соединены с соответствующими входами выходного каскада, выход которого, являющийся потенциальным выходом устройства, связан с четвертым входом устройства через цепь общей отрицательной обратной, а третий вход устройства соединен с общей шиной источников питания. 2 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в качестве прецизионного устройства усиления сигналов. Технический результат - уменьшение напряжения смещения нуля, повышение стабильности при низких температурах и воздействии радиации. Мультидифференциальный операционный усилитель содержит первый входной биполярный транзистор, первый входной полевой транзистор с управляющим р-n переходом, первое токовое зеркало, источник питания, второй входной биполярный транзистор, второй входной полевой транзистор с управляющим р-n переходом, второе токовое зеркало, первое дополнительное токовое зеркало, второе дополнительное токовое зеркало. 10 ил.

Изобретение относится к области электроники. Технический результат - повышение коэффициента ослабления входного синфазного сигнала. Для этого предложен дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах, который содержит первый (1) входной полевой транзистор, первый (2) вход устройства, первый (3) вспомогательный транзистор, первый (4) токостабилизирующий двухполюсник, первую (5) шину источника питания, второй (6) входной полевой транзистор, второй (7) вход устройства, второй (8) вспомогательный транзистор, второй (9) токостабилизирующий двухполюсник, первый (10) выход устройства, вторую (11) шину источника питания, первый (12) резистор отрицательной обратной связи, первый (13) выходной транзистор, второй (14) выходной транзистор, первую (15) цепь смещения потенциалов, первый (16) дополнительный транзистор, второй (17) дополнительный транзистор, вторую (18) цепь смещения потенциалов, первый (19) и второй (20) входы выходного дифференциального каскада (21). 3 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в качестве прецизионного устройства усиления широкополосных сигналов. Технический результат: повышение коэффициента усиления по напряжению (Ку) при сохранении высокой температурной и радиационной стабильности напряжения смещения нуля. Двухкаскадный дифференциальный операционный усилитель с повышенным коэффициентом усиления содержит входной дифференциальный каскад, первый выходной транзистор, коллектор которого связан со входом токового зеркала, источник питания, второй выходной транзистор, первый вспомогательный транзистор, второй вспомогательный транзистор, третий вспомогательный транзистор, первый дополнительный повторитель напряжения, четвертый вспомогательный транзистор и второй дополнительный повторитель напряжения. 11 ил.

Изобретение относится к области радиоэлектроники. Технический результат: повышение коэффициента усиления по напряжению в разомкнутом дифференциальном операционном усилителе при высокой температурной и радиационной стабильности статического режима транзисторов его промежуточного каскада. В схему введены первый (14), второй (15), третий (16) и четвертый (17) дополнительные выходные транзисторы, эмиттеры которых подключены ко второй 6 шине источника питания, базы первого (14) и второго (15) дополнительных выходных транзисторов соединены с базой первого (10) выходного транзистора, базы третьего (16) и четвертого (17) дополнительных выходных транзисторов соединены с базой второго (12) выходного транзистора, коллекторы первого (14) и третьего (16) дополнительных выходных транзисторов соединены с первым (5) токовым выходом входного дифференциального каскада (1), коллекторы второго (15) и четвертого (17) дополнительных выходных транзисторов соединены со вторым (8) токовым выходом входного дифференциального каскада (1), причем в качестве первого (7) и второго (9) согласующих двухполюсников используются токостабилизирующие двухполюсники с высоким внутренним сопротивлением. 2. з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано в качестве прецизионного устройства усиления сигналов различных датчиков. Технический результат заключается в повышении коэффициента ослабления входных синфазных сигналов инструментального усилителя. Инструментальный усилитель с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала содержит три дифференциальных каскада (3, 8, 13) на транзисторах (1, 2, 6, 7, 11, 12), выходной каскад (20), три вспомогательных транзистора (22-24) и три токостабилизирующих двухполюсника (27, 28, 29), при этом в него дополнительно введены три транзистра (31, 33, 35), три резистора местной отрицательной обратной связи (30, 32, 34) и три токостабилизирующих двухполюсника (36-38). 1 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области радиоэлектроники. Технический результат: повышение коэффициента усиления по напряжению разомкнутого мультидифференциального операционного усилителя при сохранении высокой стабильности нулевого уровня. Для этого предложен биполярно-полевой мультидифференциальный операционный усилитель, который содержит первый (1) входной биполярный транзистор, первый (2) вход устройства, первый (3) входной полевой транзистор с управляющим р-n переходом, второй (4) вход устройства, второй (5) входной биполярный транзистор, третий (6) вход устройства, второй (7) входной полевой транзистор с управляющим р-n переходом, четвертый (8) вход устройства, токовое зеркало (9), первую (10) шину источника питания, буферный усилитель (11), вторую (12) шину источника питания, первый (13) и второй (14) дополнительные резисторы, первый (15), второй (16) и третий (17) дополнительные биполярные транзисторы, первый (18) дополнительный токостабилизирующий двухполюсник, четвертый (19), пятый (20) и шестой (21) дополнительные биполярные транзисторы, второй (22) дополнительный токостабилизирующий двухполюсник. 1 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в качестве прецизионного устройства усиления широкополосных сигналов. Технический результат заключается в повышении прецизионности операционного усилителя в условиях дестабилизирующих факторов. Операционный усилитель содержит первый и второй входные биполярные транзисторы, базы которых связаны с соответствующими первым и вторым входами операционного усилителя, токовое зеркало согласовано с первой шиной источника питания, выход которого связан с токовым выходом операционного усилителя и коллектором первого выходного транзистора. Коллектор второго вспомогательного транзистора соединен с базой первого выходного транзистора, эмиттеры первого и второго вспомогательных транзисторов связаны со второй шиной источника питания, первый и второй дополнительные полевые транзисторы с управляющим pn-переходом, а коллекторы первого и второго входных биполярных транзисторов связаны с первой шиной источника питания. 9 з.п. ф-лы, 17 ил.

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в качестве прецизионного устройства усиления широкополосных сигналов. Техническим результатом является расширение диапазона изменения выходного напряжения устройства до уровней, близких к напряжениям на положительной и отрицательной шинах питания. Устройство содержит входной дифференциальный каскад, общую цепь питания, две шины источника питания, два основных входа входного дифференциального каскада, два токовых выхода входного дифференциального каскада, транзисторы, токостабилизирующие двухполюсники, цепь динамической нагрузки, токовый выход устройства, резисторы. 5 з.п. ф-лы, 11 ил.

Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат: создание энергоэкономичного устройства для усиления разности двух входных токов и подавления их синфазной составляющей. Для этого предложен дифференциальный усилитель двуполярных токов, который содержит первый и второй входы, первый входной каскад усиления тока, вход которого соединен с первым входом, первый выход первого входного каскада усиления тока связан со входом первого токового зеркала, согласованного с первой шиной питания, второй выход первого входного каскада усиления тока связан со входом второго токового зеркала, согласованного со второй шиной питания, выход устройства связан с выходами первого и второго токовых зеркал. В схему введен второй входной каскад усиления тока, вход которого соединен со вторым входом устройства, первый выход второго входного каскада усиления тока связан со входом третьего токового зеркала, согласованного с первой шиной питания, второй выход второго входного каскада усиления тока связан со входом четвертого токового зеркала, согласованного со второй шиной питания, причем выход третьего токового зеркала соединен со входом второго токового зеркала, а выход четвертого токового зеркала соединен со входом первого токового зеркала. 4 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к области радиоэлектроники, а именно к прецизионным устройствам усиления сигналов. Технический результат - повышение коэффициента усиления дифференциального сигнала в разомкнутом состоянии ОУ до уровня 90÷100 дБ. Биполярно-полевой операционный усилитель содержит первый (1) и второй (2) входные полевые транзисторы, объединенные истоки которых связаны с первой (3) шиной источника питания через первый (4) токостабилизирующий двухполюсник, а затворы соединены с соответствующими входами (5) и (6) устройства, первый (7) и второй (8) выходные транзисторы, базы которых объединены и подключены к цепи смещения потенциалов (9), эмиттер первого (7) выходного транзистора соединен со второй (10) шиной источника питания через первый (11) токостабилизирующий резистор, эмиттер второго (8) выходного транзистора соединен со второй (10) шиной источника питания через второй (12) токостабилизирующий резистор, токовое зеркало (13), согласованное с первой (3) шиной источника питания, выход которого соединен с токовым выходом устройства (14) и коллектором второго (8) выходного транзистора, а вход токового зеркала (13) соединен с коллектором первого (7) выходного транзистора. В схему введены первый (15), второй (16), третий (17) и четвертый (18) дополнительные транзисторы, а также первый (19) и второй (20) дополнительные резисторы, объединенные коллекторы первого (15) и второго (16) дополнительных транзисторов соединены с истоками первого (1) и второго (2) входных полевых транзисторов, базы третьего (17) и четвертого (18) дополнительных транзисторов связаны с базами первого (7) и второго (8) выходных транзисторов, база первого (15) дополнительного транзистора соединена с коллектором третьего (17) дополнительного транзистора, эмиттер первого (15) дополнительного транзистора подключен к эмиттеру первого (7) выходного транзистора, эмиттер третьего (17) дополнительного транзистора связан со второй (10) шиной источника питания через первый (19) дополнительный резистор, база второго (16) дополнительного транзистора соединена с коллектором четвертого (18) дополнительного транзистора, эмиттер второго (16) дополнительного транзистора подключен к эмиттеру второго (8) выходного транзистора, эмиттер четвертого (18) дополнительного транзистора связан со второй (10) шиной источника питания через второй (20) дополнительный резистор. 10 ил.

Изобретение относится к области радиоэлектроники в качестве быстродействующего устройства усиления сигналов. Технический результат заключается в обеспечении более высоких уровней выходного тока «перегнутого каскода», это повышает быстродействие ОУ в режиме большого сигнала, уменьшает время установления переходного процесса. Усилитель содержит входные полевые транзисторы, токостабилизирующий двухполюсник, выходной транзистор, которые подключены к входному полевому транзистору, причем первый выходной транзистор через токостабилизирующий двухполюсник связан со второй шиной источника питания, второй выходной транзистор соединен с первым входным полевым транзистором и через третий токостабилизирующий двухполюсник связан со второй шиной источника питания, цепь динамической нагрузки, согласованную с первой шиной источника питания. В схему введены дополнительные полевые транзисторы, дополнительные биполярные транзисторы. 4 ил.

 


© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности
Наверх