Однонаправленное разделение эвтектик на составные части (C30B3)
C Химия; металлургия(326262)
C30B Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L);
(2110)
C30B3 Однонаправленное разделение эвтектик на составные части(458)
Способ получения терагерцовых галогенидсеребряных монокристаллов системы agcl0,25br0,75 - agi // 2787656
Изобретение относится к технологии получения оптических монокристаллов на основе твердых растворов галогенидов серебра системы AgCl0,25Br0,75 – AgI, предназначенных для конструирования устройств в медицинских технологиях, лазерных системах широкого применения, приборах термографии и ТГц видения, включая системы безопасности.
Изобретение относится к технологии изготовления кристалла кварца. Способ вырезания кристалла из бруска синтетического кварца включает получение бруска синтетического кварца, вырезание из указанного бруска синтетического кварца кристалла в форме модифицированного правильного тетраэдра, содержащего четыре по существу идентичные треугольные грани, выполненные с возможностью задания четырех усеченных вершин и шести скошенных ребер, причем каждая из четырех усеченных вершин параллельна по меньшей мере одной из четырех по существу идентичных треугольных граней, при этом шесть скошенных ребер имеют среднюю длину l и среднюю ширину w, каждая из четырех усеченных вершин содержит три стороны у и три стороны z; причем 8≤1/w≤9,5, 1,3≤y/w≤1,7, 0,8≤z/w≤1,2; полировку указанного кристалла, причем вырезание и полировку осуществляют без нагревания бруска синтетического кварца выше 573°С и без перехода в состояние плавленого кварца.
Изобретение относится к оборудованию для выращивания монокристаллов арсенида галлия, являющихся перспективными для использования в микроэлектронике, солнечной энергетике и ИК-оптике. Устройство для выращивания монокристаллов арсенида галлия методом Чохральского включает ростовую водоохлаждаемую камеру с установленным внутри камеры тиглем с расплавом, вокруг стенок которого установлен графитовый нагреватель штакетного типа с расположенным вокруг него индуктором, который выполнен из трех графитовых катушек А,В,С, соосно расположенных одна над другой, каждая из которых выполнена в виде 4 графитовых колец 14 прямоугольного сечения с прорезами, ступенчато соединенных в витки графитовыми вставками 16 и скрепленными шпильками 17 из композитного материала, соединяющими все 12 колец в единую конструкцию, при этом между графитовыми кольцами 14 катушек А, В, С установлены электроизоляционные керамические вставки 15, к началам катушек А, В, С присоединены композитные планки, подключенные к токовводам 19, концы катушек А, В, С электрически соединены с помощью композитных планок по схеме «звезда», индуктор и нагреватель имеют индивидуальные источники питания с возможностью независимого друг от друга функционирования и управления.
Изобретение относится к технологии получения сцинтилляционных материалов для использования в ядерной физике, сцинтилляционных модулях коллайдеров, рентгеновской компьютерной флюорографии и трехмерной позитрон-эмиссионной компьютерной томографии.
Изобретение относится к области создания алмазных лазеров. Предложен способ изготовления лазерного элемента из кристалла алмаза с NV- центрами окраски, заключающийся в том, из искусственно синтезированного кристалла алмаза типа Ib, полученного методом высоких давлений и высоких температур (НРНТ) в металл-углеродной системе Fe-Ni-C или Fe-Co-C без геттеров азота при температурах ниже 1450°С с отношением пиковых коэффициентов поглощения в ИК полосах 1130 см-1 и 1344 см-1, вырезают элемент в виде прямоугольного параллелепипеда c определенной начальной концентрацией одиночных изолированных атомов азота в позиции замещения, затем подвергают его облучению электронами с определенной дозой, затем осуществляют отжиг до достижения центрами окраски NV- содержания от 2,5-5,0% от содержания одиночных изолированных атомов азота в позиции замещения (дефектов С), а также лазерный элемент, полученный по предложенному способу.
Изобретение относится к оборудованию для выращивания монокристалла оксида галлия VB-методом. Тигель 10 для выращивания монокристалла оксида галлия содержит верхний участок 18, имеющий толщину, которая меньше толщины нижнего участка 12 тигля 10, причем верхний участок 18 тигля 10 имеет постоянный диаметр, и усиливающий ленточный материал 22, предусмотренный на внешней периферии участка постоянного диаметра тигля, который включает множество ленточных материалов 22a в осевом направлении тигля 10, предусмотренных с равными интервалами в круговом направлении тигля, причем усиливающий ленточный материал 22 включает один или множество ленточных материалов 22b, предусмотренных в форме кольца на внешней периферии участка постоянного диаметра.
Изобретение относится к оборудованию, используемому в технологии выращивания кристаллов фторидных соединений с низкой летучестью исходных компонентов из расплава методами вертикальной направленной кристаллизации.
Изобретение относится к устройствам для изготовления кристалла оксида галлия, который представляет собой широкозонный полупроводник для силового устройства. Тигель для выращивания кристаллов оксида галлия с применением способа VB, способа НВ или способа VGF в атмосфере воздуха содержит сплав на основе Pt-Ir с содержанием Ir от 20 до 30 мас.%, имеющий теплостойкость, способную выдерживать температуру 1800°С.
Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения пленок алмаза большой площади на подложках из кремния. Способ непрерывного выращивания полупроводниковых пленок алмаза включает нагрев порошка алмаза 5 в графитовом контейнере в среде вакуума с осаждением пленки алмаза 8 на поверхности кремния, при этом под нижней поверхностью контейнера посредством бобин 2, 9 перемещают ленту из графитовой фольги 3 с предварительно полученным слоем мультикристаллического кремния, днище контейнера выполняют в виде приваренного к его граням слоя 7 углеродной ткани с саржевым плетением, нагрев порошка алмаза осуществляют до температуры 1050°С графитовым нагревателем 6, затем создают разность потенциалов между корпусом контейнера и подающей бобиной 2 с упомянутой лентой 3, а ленту с полученной пленкой алмаза 8 наматывают на приемную бобину 9.
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов карбида кремния с проводимостью n-типа сублимацией порошка карбида кремния. Способ включает размещение в тигле 4 монокристаллической подложки 2 карбида кремния параллельно поверхности порошка 3 поликристаллического карбида кремния и нагревание порошка 3 карбида кремния в атмосфере инертного газа с помощью двух коаксиально расположенных нагревателей 5, 6, один из которых 6 расположен с внешней стороны тигля 4, а второй 5 – в центральной части тигля 4 в зоне размещения поликристаллического порошка 3 карбида кремния, при этом верхний уровень Х1 поликристаллического порошка 3 карбида кремния располагают выше верхнего торца нагревателя 5, расположенного в центральной части тигля 4, устанавливают подложку 2 на расстоянии от поверхности порошка 3 карбида кремния ΔХ=Х1-Х2=(0,10÷0,20) D, где D – диаметр подложки 2, мм, проводят термическую обработку порошка 3 карбида кремния в атмосфере инертного газа при давлении 550÷700 мм рт.ст.
Изобретение относится к технологии получения монокристаллического карбида кремния SiC – широкозонного полупроводникового материала, используемого в силовой электронике и для создания на его основе интегральных микросхем.
Устройство относится к области техники, связанной с получением искусственных монокристаллов при постоянной температуре, например, кристаллов KDP (дигидрофосфата калия), DKDP (дейтерофосфата калия), TGS (триглицинсульфата).
Изобретение относится к установкам для выращивания монокристаллов тугоплавких оксидов, в которых применяются цифровые следящие системы с управляющими ЭВМ в замкнутом контуре, и может быть использовано для автоматического управления электрической мощностью нагревателей в данных установках.
Изобретение относится к технологии выращивания сцинтилляционных монокристаллов на основе бромида церия с общей формулой CeBr3 со 100 %-ным содержанием сцинтиллирующего иона Се3+ методом горизонтальной направленной кристаллизации (ГНК) и может быть использовано при изготовлении элементов детекторов и спектрометров, чувствительных к гамма-, рентгеновскому излучению и другим видам ионизирующего излучения.
Способ получения монокристаллического sic // 2761199
Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллов SiC - широко распространенного материала, используемого при изготовлении интегральных микросхем, в частности, методом высокотемпературного физического газового транспорта.
Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано в наноэлектронике при изготовлении инфракрасных сенсоров. На монокристалл InSb, являющийся наконечником одного из электродов, воздействуют импульсным электрическим полем в двухэлектродной ячейке при нормальных условиях при напряженности электрического поля, равной или более 106 В/см, продолжительности импульсов 10-20 мкс, длительности спада менее 1 мкс и скважности, равной 2.
Опора тигля для выращивания кристаллов // 2759623
Изобретение относится к оборудованию для выращивания кристаллов прямоугольной формы из расплава. Опора тигля выполнена в виде прямоугольного в поперечном сечении корпуса 1 с посадкой для установки тигля на опору 6 и посадкой для установки опоры на шток 5, и имеющего сквозные пазы 4, предназначенные для установки требуемого для конкретного технологического процесса количества прямоугольных пластин 3 с возможностью изменения их взаимного расположения в корпусе 1.
Изобретение относится к технологии производства материала высокой теплопроводности путем постростовой обработки монокристаллов алмаза. Способ характеризуется тем, что предварительно искусственно синтезируют алмаз типа Ib, или Ib+Ia, или Ia+Ib методом высоких давлений и высоких температур (НРНТ) c начальной концентрацией в кристаллической решетке одиночных изолированных атомов азота в позиции замещения (дефектов С) в диапазоне от 1,76·1018 см-3 до 1,4·1020 см-3, а затем подвергают его облучению электронами с энергией от 1 до 5 МэВ и дозой облучения от 1·1018 до 1·1019 см-2, чем вызывают перезарядку части образовавшихся одиночных изолированных вакансий из нейтрального в отрицательное зарядовое состояние и обеспечивают повышение теплопроводности алмаза при температурах в диапазоне 300-340 К.
Изобретение относится к технологии получения подложки из поликристаллического карбида кремния. Способ состоит из этапов предоставления покрывающих слоев 1b, каждый из которых содержит оксид кремния, нитрид кремния, карбонитрид кремния или силицид металла, выбранного из группы, состоящей из никеля, кобальта, молибдена и вольфрама, или покрывающих слоев, каждый из которых изготовлен из фосфоросиликатного стекла (PSG) или борофосфоросиликатного стекла (BPSG), имеющего свойства текучести допированного P2O5 или B2O3 и P2O5, на обеих поверхностях основной подложки 1a, изготовленной из углерода, кремния или карбида кремния для подготовки поддерживающей подложки 1, имеющей покрывающие слои, каждый из которых имеет гладкую поверхность; формирования пленок 10 поликристаллического карбида кремния на обеих поверхностях поддерживающей подложки 1 осаждением из газовой фазы или выращиванием из жидкой фазы; и химического удаления, по меньшей мере, покрывающих слоев 1b в поддерживающей подложке для отделения пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b от поддерживающей подложки 1 в состоянии отображения гладкости поверхностей покрывающих слоев 1b на поверхности пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b, и получения пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b в качестве подложек из поликристаллического карбида кремния.
Изобретение относится к области материаловедения и нанотехнологий с использованием устройства для получения нанокристаллической эпсилон фазы оксида железа Fe2O3, который может быть использован в водородной энергетике и средствах магнитной записи информации.
Изобретение относится к области материаловедения и нанотехнологий, а именно к получению нанокристаллической эпсилон-фазы оксида Fe2O3, который может быть использован в водородной энергетике и средствах магнитной записи информации.
Изобретение относится к технологии создания внутри алмазов изображений, несущих информацию различного назначения, например, кода идентификации, метки, идентифицирующие алмазы. Способ записи информации внутри кристалла алмаза 1 включает проектирование информационного элемента в виде метки с помощью устройства 10, подготовку поверхности кристалла, позиционирование кристалла с использованием средств 2, 5, 6, 7, 8, 9 для создания информационного элемента, формирование информационного элемента путем воздействия излучением лазера 11 на кристалл, контроль создания информационного элемента и корректировку информационного элемента, при этом предварительно кристалл алмаза 1 размечают на бриллианты, проводят исследование кристалла на наличие макроскопических дефектов, создают его объемную цифровую модель с учетом внутренней дефектности кристалла, в том числе топологии поверхности, проектирование информационного элемента осуществляют так, чтобы он находился в требуемом месте будущего бриллианта, и осуществляют виртуальную привязку, позиционирование и ориентацию записываемого в объем кристалла информационного элемента относительно элементов огранки будущих бриллиантов, после проектирования производят расчет траектории хода лучей 12, задают параметры - размеры и геометрию фокальной области излучения через выбор точек приложения излучения, разделение луча на части в устройстве 16 и заведение всех частей луча под разными углами, маскирование части профиля луча, на основе расчета производят выбор интегрального флюенса в месте записи ниже порогового флюенса, при котором происходит локальное превращение алмаза в графит или иную неалмазную форму углерода, или образование в кристалле трещин или расколов, проводят подготовку поверхности кристалла, при позиционировании кристалла совмещают его трехмерную модель с его реальным положением, формирование информационного элемента производят системой линз 19 путем создания внутри кристалла 1 интерференционного поля путем пересечения двух или более пучков когерентного излучения лазеров с ультракороткими импульсами длительностью от 30 фс до 10 пс и энергией от 1 нДж до 40 мкДж с длиной волны от 240 до 2200 нм, приводящих к возникновению субмикронных периодических структур в записываемой области, после чего осуществляют контроль создания информационного элемента устройством 21 на основе топологии поверхности кристалла алмаза путем расчета хода лучей и их преломления для точного позиционирования информационного элемента для исключения эффекта кажущегося изменения положения и формы информационного элемента.
Изобретение относится к области материаловедения и нанотехнологий, а именно к получению диоксида титана, который может быть использован в водородной энергетике и технологиях очистки воды. Способ включает генерирование титановой электроразрядной плазмы в первую камеру 19, предварительно вакуумированную и наполненную газовой смесью аргона и кислорода в соотношении парциальных давлений Ar:O2 1:4 при нормальном атмосферном давлении и комнатной температуре, с помощью коаксиального магнитоплазменного ускорителя с титановым стволом 1 и с составным центральным электродом из наконечника из титана 2 и хвостовика из стали 3, с электрически плавкой перемычкой из вазелина 4 массой от 0,10 до 0,25 г, размещенной между титановым стволом 1 и наконечником 2, при емкости конденсаторной батареи 18, равной 14,4 мФ, и зарядном напряжении 2,8 кВ, затем перемещают нанокристаллическую составляющую синтезированного продукта во вторую, предварительно вакуумированную, камеру 27, открывая перепускной клапан 28 между камерами 19 и 27 через 10 с после генерации электроразрядной плазмы, после чего собирают с внутренних стенок второй камеры 27 полученный диоксид титана со структурой анатаза.
Электрохимический способ обработки монокристаллических кремниевых пластин для солнечных батарей // 2749534
Изобретение относится к области высокотемпературной электрохимии и может быть использовано при изготовлении солнечных батарей из кремниевых пластин, изготовленных по методу Чохральского. Способ включает катодную поляризацию кремниевой пластины путем помещения кремниевой пластины в расплав K2WO4 – Na2WO4 – WO3 и подачи на нее катодного потенциостатического импульса величиной от –920 до –1020 мВ относительно платинокислородного электрода сравнения.
Изобретение относится к области кристаллографии, а более конкретно к устройствам для выращивания кристаллов из растворов, например к технике скоростного выращивания кристаллов группы КДР (KH2PO4), в том числе, в промышленных масштабах.
Изобретение относится к области физико-химической обработки ювелирных камней и минералов, в частности обработки природного касситерита черного и темно-коричневого цветов. Технический результат заключается в упрощении процесса обработки кристаллов природного касситерита при улучшении его цветовых характеристик.
Способ обработки алмазных материалов // 2743078
Изобретение относится к обработке алмазных материалов для их использования в высокотехнологичных областях науки и техники. Способ обработки алмазного материала включает введение в контакт алмазного материала с металлической пластиной, нагрев контактных поверхностей в инертной атмосфере и выдержку, при этом в качестве материала металлической пластины берут сплав железа с углеродом, содержащий 0,5-1 мас.% углерода, нагрев контактных поверхностей осуществляют до достижения температуры 900-1100°С, а контакт алмазного материала с металлической пластиной осуществляется под нагрузкой 15,0-40,0 кПа.
Изобретение относится к области материаловедения, связанного с пористыми средами, в частности тонкими поверхностными слоями пористого германия, которые находят применение при разработке анодных электродов аккумуляторных литиевых батарей, а также фото детекторов и солнечных элементов.
Изобретение относится к области материаловедения, связанного с пористыми средами, в частности тонкими поверхностными слоями пористого германия, которые находят применение при разработке анодных электродов аккумуляторных литиевых батарей, а также фотодетекторов и солнечных элементов.
Изобретение относится к полупроводниковым структурам карбида кремния. Карбид кремния: материал для радиоизотопного источника энергии, содержащий в своем составе монокристаллическую фазу полупроводниковой структуры карбида кремния в виде пленки, имеющей n- и р-тип проводимости для разделения электронно-дырочных пар, включает в молекулярной структуре карбида кремния элементы: изотоп углерода С12 и дополнительно С14 для преобразования его энергии излучения в электрическую энергию, при этом концентрация радиоизотопа С14 в одном из слоев n- или р-типа проводимости составляет от 5⋅1017 до 1020 см-3.
Осевой неразгруженный компенсатор // 2732334
Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для выращивания кристаллов халькогенидов в условиях микрогравитации – важном направлении в космическом материаловедении. Осевой компенсатор пружинно-поршневого типа содержит неразгруженный компенсирующий элемент, выполненный в виде винтовой цилиндрической графитовой пружины 1, размещенной между двумя цилиндрическими поршнями 2 из кварцевого стекла так, что цилиндрические штоки 3 поршней 2 являются центрирующими элементами для пружины 1.
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и может найти применение в промышленном производстве светоизлучающих устройств и фоточувствительных элементов. Способ получения функционального трехмерного компонента (ФТК) оптоэлектронного прибора характеризуется тем, что на поверхности нагретой до температуры 620-710°С кремниевой подложки 1 методом молекулярно-пучковой эпитаксии формируют массив однонаправленных нитевидных нанокристаллов (ННК) III-нитридных материалов с образованием массива нанокристаллов 2, имеющих переменное по высоте поперечное сечение с утонениями на обоих концах и частично сросшихся в серединной по высоте зоне 3, после чего осуществляют отделение полученного массива от подложки путем травления водным раствором, включающим плавиковую и азотную кислоту.
Изобретение может быть использовано при проведении биохимических анализов с использованием поверхностно-усиленной рамановской спектроскопии (SERS). Сначала готовят раствор углеродных наноструктур.
Изобретение относится к сцинтилляционным неорганическим оксидным монокристаллам со структурой граната, содержащим гадолиний, иттрий, церий, бериллий и солегированным не менее чем одним элементом второй группы из Mg, Са, Sr.
Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения слоев алмаза большой площади на подложках из монокристаллического кремния. Способ выращивания слоев алмаза, включающий нагрев в вакуумной среде в диапазоне температур от 910°С до 1150°С порошка алмазов в графитовой лодочке, над поверхностью которой размещена пластина монокристаллического кремния, причем лодочка с пластиной размещена в зазоре между двумя параллельными пластинами из углеродной фольги, прогреваемыми прямым пропусканием переменного электрического тока, а величина тока в верхней пластине меньше, чем в нижней.
Изобретение относится к области выращивания искусственных кристаллов из растворов. В способе выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре, включающем отвод и последующее возвращение раствора в кристаллизатор, общий объем раствора в кристаллизаторе делят на две сообщающиеся между собой части, в первой из которых поддерживают постоянный уровень и концентрацию раствора, а во второй меняют уровень раствора путем подачи газа под давлением, вытесняя объем раствора из второй части в первую.
Изобретение относится к технологии извлечения алмазов из алмазоносной матрицы инструмента. Способ включает растворение металла-связки электролитом с образованием шлама, содержащего частицы алмазов, отделение электролита от шлама и выделение алмазов, при этом растворение металла-связки осуществляют в растворе серной кислоты концентрацией 100-300 г/л с активирующими добавками: азотной кислотой или нитратом аммония, а выделение и классификацию алмазов осуществляют в восходящем потоке с переменным гидродинамическим режимом при линейной скорости в пределах 15-45 м/ч.
Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов на затравку методами Бриджмена, вертикальной зонной плавки, температурного градиента, а также их модификациями. Тигель состоит из корпуса 1 и хвостовика 2 с затравочной камерой 3, выполненной в виде сквозного отверстия в хвостовике, закрытого пробкой 4, имеющей резьбовое соединение с хвостовиком 2.
Изобретение может быть использовано в фотонике, лазерной технике и оптоэлектронике при изготовлении лазерных фотоприемников, оптически активных слоёв фотолюминесцентных, катодолюминесцентных и электролюминесцентных устройств, амперометрических биосенсоров, хемилюминесцентных сенсоров, золь-гелевых стекол.
Изобретение относится к технологии получения менисков, оболочек и заготовок линз оптических систем современных оптических, оптоэлектронных и лазерных приборов, работающих в ультрафиолетовой, видимой и ИК-областях спектров, и может быть использовано для получения выпукло-вогнутых линз из кристаллов фтористого лития.
Изобретение относится к вариантам электрохимического способа формирования кристаллов оксидных вольфрамовых бронз из нановискеров. Один из вариантов включает электролиз поливольфраматного расплава с использованием платинового анода, в котором электроосаждение ведут при 700°C в импульсном потенциостатическом режиме из расплава, содержащего 25 мол.
Изобретение относится к синтезу монокристаллического CVD алмазного материала, который может быть использован в оптике, ювелирных изделиях, в качестве подложек для дальнейшего CVD роста алмазов, механических применениях, в области квантового зондирования и обработки информации.
Изобретение относится к использованию ударных волн для проведения химических реакций или для модификации кристаллической структуры веществ, в частности к способу формирования пустот в ионных кристаллах KBr.
Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Предлагается кластер установок для выращивания кристаллов из раствора, содержащий несколько кристаллизационных установок 1, которые объединены в отдельные блоки по несколько установок, например по десять, которые образуют кластеры нижнего уровня 11, каждая из кристаллизационных установок 1 каждого блока кластера нижнего уровня 11 подключена к блоку индикации и управления 13 кристаллизационными установками 1 нижнего уровня 11, снабженному одним или более контроллером 14 и одним или более средством индикации функционирования 15 кристаллизационных установок блока, входящих в кластер, и коммутатором 16 нижнего уровня, совокупность кластеров нижнего уровня 11 образует кластер верхнего уровня 12, содержащий, например, десять кластеров нижнего уровня 11, каждый из коммутаторов 16 блока индикации и управления 13 кристаллизационных установок 1 нижнего уровня 11 подключен к коммутатору 17 верхнего уровня, который подключен к центральному серверу 18 и автоматизированным рабочим местам 19, служащим для загрузки и редактирования технологической программы в каждую кристаллизационную установку 1 и контроля за функционированием кластеров нижнего уровня 11, входящих в состав кластера верхнего уровня 12 любой из кристаллизационных установок 1, входящих в кластер 11.
Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов халькогенидов металлов: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, вертикальной зонной плавкой, осуществляемой путем перемещения тигля через неподвижно закрепленный нагреватель.
Изобретение относится к нанотехнологии. При получении пористых люминесцентных структур, содержащих люминофоры, внедренные в фотонный кристалл, сформированный в виде пористых слоев на подложке, сначала формируют одномерный фотонный кристалл с упорядоченным массивом пористых слоев, которые получают химическим или электрохимическим травлением подложки, в качестве которой используют пластину из кремния, SiO2, Si3N4, SiC.
Изобретение относится к области кристаллографии, а более конкретно к беспроводным устройствам для контроля температуры в вакуумных ростовых камерах, а также при отжиге кристаллов, выращенных из расплава.
Изобретение относится к способу получения модифицированных кристаллов магнетита (Fe3O4), содержащих на поверхности смесь липидов, и может быть использовано в фармацевтической промышленности. Предложенный способ получения модифицированных кристаллов магнетита включает смешение 138 мас.ч.
Способ получения тонких алмазных пленок // 2685665
Изобретение относится к способу получения тонких алмазных пленок и может быть использовано в различных областях промышленности и науки для получения тонкопленочных упрочняющих покрытий и активных слоев тонкопленочных наноструктур.
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, а именно к получению пластин монокристалла широкозонного нитрида галлия (GaN) с гексагональной кристаллической решеткой. Способ получения пластины монокристалла нитрида галлия характеризуется поэтапным формированием слоистой структуры: на первом этапе на подложке Si (111) формируют слой SiC методом замещения атомов с образованием углерод-вакансионных структур, на втором этапе на полученном слое SiC формируют слой GaN N-полярности методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота, на третьем этапе на слое GaN N-полярности формируют слой AlN Al-полярности методом хлорид-гидридной эпитаксии, на четвертом этапе на слое AlN Al-полярности формируют слой GaN Ga-полярности методом хлорид-гидридной эпитаксии, после чего полученную слоистую структуру выдерживают в щелочном травильном растворе до отделения от нее верхнего слоя GaN Ga-полярности.
