Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано в устройствах контроля и измерения электрофизических параметров микросхем, микросборок и других устройств радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) и изделий электронной техники (ИЭТ) повышенной группы сложности и высокой плотности компоновки элементов при проведении испытаний и проверок вышеперечисленных устройств и узлов на функционирование, контроле статических и динамических параметров, а также при межоперационном контроле в ходе промышленного изготовления последних.