С использованием нескольких магнитных слоев (G11C11/15)
G Физика(403185)
G11 Накопление информации(18772)
G11C Запоминающие устройства статического типа (накопление информации, основанное на относительном перемещении носителя записи и преобразователя G11B; полупроводниковые приборы для запоминающих устройств H01L, например H01L27/108-H01L27/115; импульсная техника вообще H03K, например электронные переключатели H03K17)
(8290)
G11C11/15 С использованием нескольких магнитных слоев ( G11C11/155 имеет преимущество)(67)
Способ и система чтения состояния ячейки магниторезистивной памяти с переносом спина stt-mram // 2746237
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении вероятности возмущения чтением.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении степени надежности хранения информации в ячейке MRAM.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в предотвращении ошибок считывания и записи.
Устройство памяти и система памяти // 2682843
Изобретение относится к области вычислительной техники. Техническим результатом является повышение надежности хранения данных при сохранении высокого быстродействия системы памяти.
Полупроводниковое запоминающее устройство // 2681344
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении скорости считывания данных.
Магниторезистивное запоминающее устройство // 2653131
Согласно одному варианту осуществления магниторезистивное запоминающее устройство включает в себя подложку, имеющую первую поверхность, которая включает в себя первое направление; и запоминающие элементы, имеющие переключаемое сопротивление.
Полупроводниковое запоминающее устройство // 2642960
Использование: для создания элемента памяти. Сущность изобретения заключается в том, что полупроводниковое запоминающее устройство включает массив ячеек, включающий в себя множество элементов изменения сопротивления, сформированных над полупроводниковой подложкой, множество первых транзисторов ячеек, сформированных на полупроводниковой подложке и обеспеченных в ассоциации с элементами изменения сопротивления, множество первых затворных электродов, включенных в первые транзисторы ячеек и простирающихся в первом направлении, первые разрядные шины, электрически соединенные с элементами изменения сопротивления соответственно и простирающиеся во втором направлении, перпендикулярном к первому направлению, вторые разрядные шины, электрически соединенные с одним концом пути тока первых транзисторов ячеек соответственно и простирающиеся во втором направлении, и множество первых активных областей, в которых сформированы первые транзисторы ячеек и которые простираются в направлении, пересекающем первое направление под первым углом; и контроллер разрядных шин, включающий в себя множество вторых транзисторов ячеек, сформированных на полупроводниковой подложке, и каждый имеет путь тока с одним концом, электрически соединенным с первыми разрядными шинами или вторыми разрядными шинами, множество вторых затворных электродов, включенных во вторые транзисторы ячеек и простирающихся в первом направлении, и множество вторых активных областей, в которых сформированы вторые транзисторы ячеек и которые простираются в направлении, пересекающем первое направление под вторым углом.
Магнитная память и способ управления ею // 2628221
Группа изобретений относится к магнитной памяти и способу управления магнитной памятью. Магнитная память содержит массив ячеек, включающий в себя множество ячеек памяти, расположенных вдоль первого и второго направлений, при этом массив ячеек включает в себя первую область и вторую область вокруг первой области, и каждая ячейка памяти включает в себя элемент с магниторезистивным эффектом в качестве элемента памяти; и схему чтения, чтобы считывать данные из ячейки памяти, выбранной на основе сигнала адреса из числа ячеек памяти, при этом схема чтения выбирает один уровень определения из множества уровней определения на основе области из числа первой и второй областей, в которой расположена выбранная ячейка памяти и использует выбранный уровень определения, чтобы выполнять считывание данных из выбранной ячейки памяти.
Группа изобретений относится к запоминающим устройствам. Технический результат – сокращение времени записи/считывания.
Ячейка магнитной памяти с произвольным доступом с улучшенным рассеиванием переключающего поля // 2599956
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в понижении потребления электроэнергии и улучшении рассеивания переключающего поля.
Изобретение относится к области электроники, а именно к способу записи и считывания более чем двух битов данных для ячейки магнитного оперативного запоминающего устройства (MRAM). Ячейка MRAM содержит магнитный туннельный переход, образованный из магнитного слоя считывания, имеющего намагниченность считывания, и запоминающий слой, содержащий первый запоминающий ферромагнитный слой, имеющий первую намагниченность запоминания, второй запоминающий ферромагнитный слой, имеющий вторую намагниченность запоминания.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в упрощении технологии изготовления магниторезистивной ячейки памяти.
Термический магнитный элемент памяти с произвольным доступом с увеличенной долговечностью // 2565161
Настоящее изобретение предлагает магнитный элемент (1) памяти, пригодный для операции записи с термическим переключением, содержащий линию (4) тока в электрическом сообщении с одним концом магнитного туннельного перехода (2), где магнитный туннельный переход (2) содержит: первый ферромагнитный слой (21), имеющий фиксированную намагниченность; второй ферромагнитный слой (23), имеющий намагниченность, которая может быть свободно выстроена при заданном высоком температурном пороге; и туннельный барьер (22), обеспеченный между первым и вторым ферромагнитными слоями (21, 23); где линия (4) тока приспособлена для пропускания нагревающего тока (31) сквозь магнитный туннельный переход (2) во время операции записи; где упомянутый магнитный туннельный переход (2) дополнительно содержит, по меньшей мере, один нагревающий элемент (25, 26), приспособленный генерировать тепло, когда нагревающий ток (31) проходит сквозь магнитный туннельный переход (2); и термический барьер (30) последовательно с упомянутым, по меньшей мере, одним нагревающим элементом (25, 26), где упомянутый термический барьер (30) приспособлен ограничивать тепло, генерируемое упомянутым, по меньшей мере, одним нагревающим элементом (25, 26) в пределах магнитного туннельного перехода (2).
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении потерь тепла в магнитном туннельном переходе.
Способ записи в запоминающее устройство, основанное на mram, при уменьшенной потребляемой мощности // 2546572
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении потребляемой мощности при записи в запоминающее устройство.
Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, магнитных запоминающих и логических элементах, спиновых транзисторах на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным эффектом.
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано как внешний и внутренний носитель информации со считывающим устройством. .
Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, запоминающих и логических элементах, гальванических развязках и спиновых транзисторах на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным (МР) эффектом.
Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, запоминающих и логических элементах, гальванических развязках и спиновых транзисторах на основе многослойных тонкопленочных наноструктур с анизотропным или гигантским магниторезистивным (МР) эффектом.
Тонкопленочный магнитный инвертор // 2168774
Изобретение относится к элементам автоматики и вычислительной техники, в частности к магнитным тонкопленочным запоминающим и переключаемым элементам. .
Магнитный инвертор // 2120142
Изобретение относится к элементам автоматики и вычислительной техники, в частности к магнитным тонкопленочным запоминающим и переключаемым элементам. .
Переключаемый элемент с памятью // 2093905
Изобретение относится к области элементов автоматики и вычислительной техники, в частности к магнитным тонкопленочным запоминающим и переключаемым элементам. .
Магниторезистивная ячейка памяти // 2081460
Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройствам с произвольной выборкой информации. .
Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к магнитным запоминающим устройствам с произвольной выборкой информации. .
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для считывания цилиндрических магнитных доменов. .
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах /ЦМД/. .
Блок считывания информации для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах // 1531158
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). .
Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к запоминаюпщм устройствам, и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах. .
