Воздействие излучением (H01L21/42)
H Электричество(232322)
H01L21/42 Воздействие излучением(26)
Изобретение относится к области оптоэлектроники и к оптическим лазерным технологиям формирования топологических микроразмерных структур на подложках. Способ формирования периодического рисунка на поверхности аморфных тонких пленок фазопеременных халькогенидных материалов включает лазерное локальное облучение предварительно нанесенной пленки, при этом в результате однократного сканирования лазерным пучком формирование перезаписываемых двухфазных периодических структур происходит в доабляционном энергетическом режиме в процессе периодической локальной кристаллизации пленки фазопеременных халькогенидных материалов в поле импульсного линейно поляризованного лазерного излучения ультракороткой длительности с длиной волны 1030±10 нм, движущегося относительно поверхности пленки со скоростью сканирования от 1 до 200 мкм/с, причем лазерное облучение проводят импульсами с длительностью от 150 фс до 2 пс, частотой следования от 1 до 500 кГц и плотностью потока энергии от 3,0 до 3,6 мДж/см2.
Изобретение относится к способу лазерной обработки неметаллических пластин и может быть использовано для скрайбирования полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. На поверхность пластины воздействуют последовательными тремя лазерными импульсами.
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига или легирования полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Способ лазерной обработки неметаллических материалов согласно изобретению заключается в предварительном подогреве материала до начальной температуры, определяемой из условия термопрочности, связывающего прочностные, теплофизические свойства материала, длительность лазерного импульса и температуру отжига, и воздействии на материал лазерного импульса с плотностью энергии, достаточной для достижения поверхностью материала температуры отжига (плавления).
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерной пробивки сквозных отверстий в пластинах из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Техническим результатом изобретения является снижение энергетических затрат при лазерной пробивке сквозных отверстий в пластинах из неметаллических материалов.
Изобретение относится к способу лазерной обработки неметаллических пластин и может быть использовано для скрайбирования полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Требуемая глубина канавки достигается за счет последовательного воздействия двух лазерных импульсов.
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Техническим результатом изобретения является исключение разрушения пластин термоупругими напряжениями в процессе обработки и повышение выхода годных.
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Cпособ лазерной обработки неметаллических пластин согласно изобретению включает предварительный нагрев пластин до температуры, определяемой из предложенного уравнения, исходя из условия термопрочности пластин, и облучение поверхности пластин непрерывным лазерным излучением с плотностью энергии, достаточной для достижения на поверхности температуры отжига.
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига или легирования полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Способ лазерной обработки неметаллических материалов согласно изобретению заключается в предварительном подогреве материала до начальной температуры, определяемой из условия термопрочности, связывающего прочностные, теплофизические свойства материала, длительность лазерного импульса и температуру отжига, и воздействии на материал лазерного импульса с плотностью энергии, достаточной для достижения поверхностью материала температуры отжига (плавления).
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. В способе лазерной обработки неметаллических пластин, заключающемся в облучении их поверхности импульсом лазерного излучения с плотностью энергии, зависящей от температуры отжига, начальной температуры пластины, удельной теплоемкости и плотности материала пластины, а также показателя поглощения материала пластины на длине волны лазерного излучения, осуществляют предварительный нагрев пластины до определенной температуры.
Изобретение относится к способу лазерной пробивки сквозных отверстий в пластинах из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Осуществляют разделение лазерного пучка на два.
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Предложен способ лазерной обработки неметаллических пластин, заключающийся в облучении их поверхности непрерывным лазерным излучением с плотностью энергии, достаточной для достижения поверхностью пластины температуры отжига.
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Техническим результатом изобретения является исключение разрушения пластин термоупругими напряжениями в процессе обработки и повышение выхода годных.
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Техническим результатом изобретения являются исключение разрушения пластин термоупругими напряжениями в процессе обработки и повышение выхода годных.
Изобретение относится к способу лазерной пробивки сквозного отверстия в неметаллической пластине, например, из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Осуществляют разделение лазерного пучка на два и воздействие на обе стороны пластины пучками с равной плотностью энергии.
Использование: для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Сущность изобретения заключается в том, что способе лазерной обработки неметаллических пластин, заключающемся в облучении их поверхности импульсом лазерного излучения с плотностью энергии, зависящей от температуры отжига, начальной температуры пластины, удельной теплоемкости и плотности материала пластины, а также показателя поглощения материала пластины на длине волны лазерного излучения и возвращении назад в пластину при помощи диэлектрического зеркала излучения, вышедшего через ее тыльную поверхность, предварительно рассчитывают условие термопрочности пластины и, при его невыполнении, перед воздействием лазерного импульса нагревают пластину до температуры, зависящей от толщины пластины, механических, теплофизических и оптических свойств материала пластины.
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Предложен способ лазерной обработки неметаллических пластин, заключающийся в измерении толщины пластины h и показателя поглощения χ материала пластины на длине волны лазерного излучения, расчете безразмерного параметра χh и при условии χh<4 разделении исходного лазерного пучка на два пучка равной энергии и воздействии одновременно на обе поверхности пластины с плотностью энергии, определяемой по уравнению, связывающему температуру отжига пластины, ее начальную температуру, удельную теплоемкость и плотность материала пластины, коэффициент отражения материала пластины, толщину пластины и показатель поглощения материала пластины на длине волны лазерного излучения.
Использование: для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Сущность изобретения заключается в том, что в способе лазерной обработки неметаллических пластин, заключающемся в облучении их поверхности импульсом лазерного излучения с плотностью энергии, зависящей от температуры отжига, начальной температуры пластины, удельной теплоемкости и плотности материала пластины, а также показателя поглощения материала пластины на длине волны лазерного излучения, предварительно рассчитывают критерий термопрочности пластины и при его невыполнении перед воздействием лазерного импульса нагревают пластину до температуры, зависящей от толщины пластины, механических, теплофизических и оптических свойств материала пластины.
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Техническим результатом изобретения является исключение разрушения пластин термоупругими напряжениями в процессе обработки и повышение выхода годных пластин.
Использование: для отжига и легирования пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Сущность изобретения заключается в том, что поверхность обрабатываемого материала облучают импульсом лазерного излучения, при этом материал предварительно нагревают до температуры, рассчитываемой по соотношению где σПР - предел прочности материала на растяжение, Па; с0 - скорость звука в материале, м/с; К - модуль всестороннего сжатия, Па; α - коэффициент линейного расширения материала, К-1.
Использование: для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Сущность изобретения заключается в том, что способ лазерной обработки неметаллических материалов заключается в облучении их поверхности импульсом лазерного излучения, формируют лазерный импульс, плотность энергии которого на облучаемой поверхности пластины определяется по представленному соотношению.
Изобретение может быть использовано для лазерного пробития сквозных отверстий в пластинах из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Способ обработки неметаллических пластин согласно изобретению заключается в облучении их поверхности лазерным импульсом с минимальной расходимостью.
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. В заявленном способе лазерной обработки неметаллических пластин, заключающемся в облучении их поверхности импульсом лазерного излучения, измеряют толщину пластины h и показатель поглощения χ материала пластины на длине волны лазерного излучения, рассчитывают безразмерный параметр χh и при условии χh<4 делят исходный лазерный пучок на два пучка равной энергии и воздействуют одновременно на обе поверхности пластины с плотностью энергии, определяемой по соотношению:
,
где Tƒ - температура отжига; Т0 - начальная температура; с и ρ - удельная теплоемкость и плотность материала пластины соответственно; R - коэффициент отражения материала пластины; χ - показатель поглощения материала пластины на длине волны лазерного излучения; е - основание натурального логарифма.
Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности к получению наноструктур на поверхности полупроводника. Способ модификации полупроводниковой пленки согласно изобретению заключается в том, что воздействуют на полупроводниковую пленку непрерывным лазерным излучением с энергией кванта превосходящей ширину запрещенной зоны в диапазоне мощности от 5 до 10 Вт, при диаметре лазерного пучка на поверхности пленки от 30 до 100 мкм, так чтобы интенсивность воздействия не превышала 106 Вт/см2, при сканировании поверхности пленки со скоростью от 40 до 160 мкм/с.
Способ получения рельефа на поверхности // 2546719
Изобретение относится к микроэлектронике, оптической и оптоэлектронной технике. Cпособ получения рельефа на поверхности светоизлучающих кристаллов полупроводниковых светодиодов локальными эрозионными воздействиями на поверхность, при этом в соответствии с изобретением, эрозия производится оптико-термическим действием импульсного лазерного излучения, проникающего в кристалл, с глубиной поглощения в кристалле, близкой к глубине эрозии, и длительностью лазерных импульсов, меньшей времени распространения тепловой волны нагревания кристалла на глубину эрозии, причем энергия импульса лазерного излучения не менее приводящей к процессу поверхностного испарения кристалла.
Способ изготовления дифракционной решетки // 2544873
Изобретение относится к оптике. Способ изготовления дифракционной решетки заключается в формировании на поверхности исходной подложки элементов заданной структуры дифракционной решетки путем ионной имплантации через поверхностную маску, при этом имплантацию осуществляют ионами металла с энергией 5-1100 кэВ, дозой облучения, обеспечивающей концентрацию вводимых атомов металла в облучаемой подложке 3·1020-6·1022 атомов/см3, плотностью тока ионного пучка 2·1012-1·1014 ион/см2с в оптически прозрачную диэлектрическую или полупроводниковую подложку.
Ферромагнитный полупроводниковый материал // 2515426
Изобретение относится к области материалов полупроводниковой электроники и может быть использовано для создания элементов спинтронных устройств, сочетающих источник и приемник поляризованных спинов носителей заряда в тройной гетероструктуре ферромагнитный полупроводник/немагнитный полупроводник/ферромагнитный полупроводник.
Способ обработки неметаллических материалов // 2486628
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для скрайбирования полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. .
Изобретение относится к области электронной промышленности и может быть использовано в технологии микро- и наноэлектроники для получения атомарно-гладких поверхностей и совершенных эпитаксиальных структур на разориентированных поверхностях образцов.
Изобретение относится к технологии получения ферромагнитных полупроводниковых материалов. .
Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при изготовлении высокотемпературной сверхпроводниковой (ВТСП) толстопленочной схемы. .
Изобретение относится к магнитной микроэлектронике, в частности к методам обработки эпитаксиальных монокристаллических пленок ферритов-гранатов (ЭМПФГ), а также приборов на их основе, и может быть использовано для улучшения эксплуатационных параметров последних.
Изобретение относится к магнитной микроэлектронике, в частности к методам обработки эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок (ЭФГП), и может быть использовано для улучшения их эксплуатационных параметров, а именно: для подавления жестких (твердых) цилиндрических магнитных доменов (ЖЦМД), т.е.
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к производству фотоприемных устройств, линеек, матриц, МДП-фотодиодов, приборов зарядовой связи и инжекции ИК-диапазона. .
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к фотоэлектронике и может быть использовано для создания многоэлементных ИК-фотоприемников на основе n+/n-p- или n+/p-/p- и МДП-фотодиодов, а также приборов зарядовой связи (ПЗС) или инжекции (ПЗИ).
