С подложкой из полупроводника (H01L27/04)
H Электричество(232322)
H01L27/04 С подложкой из полупроводника(61)
Изобретение относится к электронике, в частности к области изготовлений чувствительных элементов микроэлектронных устройств, в которых чувствительные элементы представляют собой активные структуры. Способ формирования активных структур для микроэлектронных устройств на кремниевой подложке согласно изобретению содержит этапы, на которых осуществляют подготовку подложки КМОП (комплементарная структура металл-оксид-полупроводник), формируют медную разводку в межслойном диэлектрике, выполняют углубление в слое оксида кремния методом фотолитографии и плазмохимического травления, причем углубление содержит внутренние стенки и донную поверхность, примыкающую к медной разводке, осуществляют нанесение адгезионного слоя TaN и слоя благородного металла на внешнюю часть подложки вблизи углубления, внутренние стенки и донную поверхность углубления, осуществляют нанесение жертвенного слоя на слой благородного металла, выполняют химико-механическую полировку жертвенного слоя, слоя благородного металла и слоя TaN, осуществляют жидкостное травление жертвенного слоя с сохранением слоя благородного металла на внутренних стенках и донной поверхности углубления.
Полупроводниковый конденсатор // 2705762
Настоящее изобретение содержит полупроводниковую подложку (2A), группу (4) электродов, которая формируется на полупроводниковой подложке (2A), и изоляторы (2B), в которых формируются множество конденсаторов (C1-C3).
Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано при создании твердотельных ограничительных модулей для применения в гибридно-интегральных защитных и стабилизирующих СВЧ-устройствах пассивного типа.
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии получения монолитных интегральных схем (МИС) на основе полупроводниковых соединений AIIIBV. Изобретение обеспечивает получение МИС на основе полупроводниковых соединений AIIIBV с более низкой себестоимостью изготовления за счет использования металлизации, в которой минимизировано содержание драгоценных металлов, по технологии, совместимой с технологией Si микроэлектроники, для формирования современных приборов гетероинтегрированной электроники.
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании логических интегральных схем с элементами нанометровых размеров. В интегральном логическом элементе ИЛИ-НЕ на основе однослойной трехмерной наноструктуры, содержащем первый и второй логические транзисторы, нагрузочный резистор и подложку, логическая структура выполнена наноразмерной со ступенчатым профилем.
Интерпозер и способ его изготовления // 2584575
Изобретение относится к технологии изготовления интегральных микросхем в части формирования интерпозера для объемной сборки нескольких чипов в единую микроэлектронную систему и процесса его изготовления.
Способ уменьшения остаточных термомеханических напряжений на границе подложка-металлическое покрытие // 2569642
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к способу производства полупроводниковых изделий, предусматривающего монтаж кристаллов к корпусам, для осуществления которого используется напыление металлического покрытия на обратную поверхность кристаллов в составе подложки.
Полупроводниковое устройство // 2562934
В полупроводниковом устройстве диодная область и область БТИЗ сформированы на одной и той же полупроводниковой подложке. Диодная область включает в себя множество анодных слоев первого типа проводимости, открытых на поверхности полупроводниковой подложки и отделенных друг от друга.
Многофункциональная свч монолитная интегральная схема на многослойной полупроводниковой структуре // 2560998
Изобретение относится к области микроэлектроники и радиотехники и может быть использовано при создании СВЧ монолитных интегральных схем на арсениде галлия. Технический результат - повышение степени интеграции МИС СВЧ, уменьшение массогабаритных размеров приемо-передающих модулей антенных решеток, снижение потерь, связанных с прохождением сигналов между схемами или функциональными блоками, повышение граничных частот диодов с барьером Шоттки.
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании логических интегральных схем с элементами нанометровых размеров. .
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании логических интегральных схем с элементами нанометровых размеров. .
Полупроводниковая структура // 2302057
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой микроэлектроники. .
Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным логическим элементам СБИС. .
Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно - к интегральным логическим элементам СБИС. .
Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к технике изготовления твердотельных приборов и интегральных схем с использованием СВЧ плазменного стимулирования в условиях электронного циклотронного резонанса (ЭЦР), а также к технологии плазменной обработки в процессе изготовления различных полупроводниковых структур.
Изобретение относится к наноэлектронике. .
Интегральная транзисторная mos структура // 2207662
Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к интегральным транзисторным структурам типа MOS. .
Линия передачи // 2168813
Изобретение относится к электронной технике и микроэлектронике, а именно к линиям передачи. .
Интегральная схема // 2133067
Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа).
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании конструкций логических сверхбольших интегральных схем (СБИС) со сверхмалым потреблением мощности. .
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании конструкций логических комбинированных Би-КМОП сверхбольших интегральных схем (СБИС) со сверхмалым потреблением мощности. .
Комплементарная биполярная схема и-не // 2073935
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к генераторам, управляемым электрическим полем, и может быть использовано в радиоэлектронике, автоматике и информационной технике. .
Аналого-цифровой базовый матричный кристалл // 2045109
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании аналого-цифровых полупроводниковых интегральных микросхем (ИМС) для радиотехнической, телевизионной и измерительной электронной аппаратуры.
Интегральный логический элемент // 2022408
Интегральный логический элемент // 2019893
Изобретение относится к вычислительной технике и интегральной электронике. .
Интегральный выходной мдп-инвертор // 2012100
Интегральный логический элемент // 2006989
Изобретение относится к вычислительной технике и интегральной электронике, а более конкретно - к интегральным логическим элементам БИС. .
Полупроводниковая интегральная схема // 2002342
Катушка индуктивности // 1825433
Интегральная схема // 1806420
Триггер // 1804666
Изобретение относится к цифровым электронным схемам и предназначено для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной логики, Цель изобретения - повышение радиационной стойкости триггера.
Интегральная схема // 1755338
Изобретение относится к цифровым интегральным схемам на основе комплементарных МОП-транзисторов. .
Инжекционный элемент и - не // 1744738
Интегральный логический элемент // 1676395
Изобретение относится к вычислительной технике и интегральной электронике, а более конкретно к интегральным логическим элементам цифровых БИС. .
Логический элемент не // 1384129
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к приборам с переносом заряда. .
Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и может быть использовано в системах обработки оптической информации. .
Интегральная схема // 1037363
Логический элемент "или-не" // 1023973
