Фототермопластический носитель информации

 

Ф.K.Дзесова, Л.И. Бекичева, А. Г. Баратов, А.И,Щэь майсЖ и А.Г.Волкова (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) ФОТОТЕРИОПЛАСТИЧЕСКИЙ НОСИТЕЛЬ

ИНФОРМАЦИИ

Изобретение относится к фототермопластическим носителям информации и может быть использовано для записи оптической информации. в быстродействующих ЗУ с длительйым сроком хранения информации.

Известен фототермопластический ма- териал, состоящий из металлизированной подложки., инжекционного слоя селена и фотопроводящего слоя, включаю- 10 щего полли-й-винилкарбазол (ПВК), теломер стирола с дивинилом (СД},2, 4,7-тринитрофлуоренон"9(ТНФ) и родамин Б (1) .

Недостатками материала являются низкое значение дифракционной эффективности в области высоких пространственных частот и узкая полоса пропускания частот.

Наиболее близким к предложенному изобретению является фототермопластический носитель информации, содер-. жащий стеклянную или полиэтилентере2 фталатную (ПЭТФ) основу с последова" тельно нанесенными на нее электро" проводящим (ЭП)и Фототермопластическим слоем (ФТПС), состоящим из полли-Й".

-эпоксипропилкарбазола(ПЭПК), сенсибилизированного 2,4,7-тринитрофлуореноном-9(ТНФ)1 2 ) .

Недостатками носителя являются низ; кое значение дифракционной эффективности в широкой области пространственных частот, узкая полоса пропускания частот и низкая эксплуатационная надежность, обусловленная слабой адгезией фотопластического слоя к металлизированной полиэтилентерефталатной основе.

Цель изобретения — увеличение дифракционной эффективности, расширение полосы пропускания частот при одновременном повышении эксплуатационной надежности носителя.

Поставленная цель достигается тем, что фототермопластический носитель

Носитель Лифр <ционная эффективность на резо- . нансной частоте

),max,3

Известный - 0,8

0,3 05

Толщина Толщислоя ПВБ на ФТПС мкм d, мкм

Полоса пропуска частот на уровне 0,5 мм

g max

Максимальное разреш. на уровне

2Ф дифрак. эффектив, Di мм

Состояние поверхности после

1000 двойных перегибов

600

Наблюдается отслаивание

ФТПС

11 200

Предлагаемый

19 450

1300 Не наблюдается отслаивание ФТПС формула изобретения

ВНИИПИ Заказ 1890/59 Тираж 471 Подписное

«й

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

3 10049 информации, состоящий из полиэтилен-, терефталатной основы с последователь" но нанесенными на нее электропроводящим и фотот ермопластическим олоем, включающим полли-й-эпоксийропилкарба- > зол и 2,4,7-тринитрофлуоренон-9, дополнительно содержит слой поливинил,бутираля, расположенный между электропроводящим и фотоТермопластическйм слоем. Толщина слоя поливинилбутйра- 1В ля в 1,5-3 раза меньше толщины фото- термопластического слоя.

Пример. Носитель изготовлен в виде лент на полиэтилентерефталатной основе, на которую вакуумтермичес >s ким,напылением:,наносят электропроводящий слой и методом полива наносят слой поливинилбутираля, толщиной

0,3 мм, из смеси растворителей этило вый спирт-и-бутиловый спирт в. соот1. Фототермопластический носитель ин формации, состоящий из полиэтилентерефталатной основы с последовательно 45 нанесенными на нее электропроводящими и фатотермопластическим слоем, включающим полли-й-эпоксипропилкарбазол и 2,4,7-тринит"рофлуоренон-9, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью . so увеличения дифракционной эффективности, расширения полосы пропускания час тот при одновременном повышении эксплуатационной надежности, он дополни52 4 ношении 3:1 соответственно. На слой поливинилбутираля также методом поли ва наносится фототермопластический слой, толщиной 0,5 мкм, представляющий собой толуольной раствор пали-й-эпоксипропилкарбазола сенсибилизированного 2,4,7-тринитрофлуореноном-9 в количестве 7 вес.3.

8 таблице приведены голографические и эксплуатационные характеристики предлагаемого носителя и носителя прототипа. Здесь запись голограмм осуществляют Не-Ne лазером ЛГ-38 с длиной волны.3 =$30 нм. Оценку эксплуатационной надежности производят

ho отслаиванию фототермопластического слоя после 1000 двойных перегибов на радиусе изгиба 2=5 мм, нагрузке 250 r и,скорости перегибов 200 пер/мин. тельно содержит слой поливинилбутираля, расположенный между электропроводящим и фототермопластическим слоями.

2. Носитель по п.1, о т л и ч аю шийся тем, что толщина слоя поливинилбутираля в 1,5-3 раза меньше толщины фототермопластического слоя.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство (CCP

Р 726492, кл. G 03 G 5/04, 1980.

2. Авторское свидетельство СССР по заявке М 2808875, кл. 6 03 G 5/06 (прототип).