Адресный формирователь
АДРЕСНЫЙ ФОРМИРОВАТЕЛЬ, содержащий первый ключевой МДГЪ-транаистор, исток которого сх единен со сто1И )М второго ключевого МДП-транзистора а с истоком третьего ключевого МДПтравзистора , затвор которого соединен с истоке четвертого ключевого МДП-тра эистора , а сток - с затвором пятого клн чевого МДП-транзистора, исток которого 5Шляется управляющим выходом формирователя , а сток - первым управляющим вхояам , затвор первого ключевого МДП-транзистора соединен со стоком четвертого ключевого МДП-транзистора и 5шляется вторым управляющим входом формирователя , затвор второго ключевого МДП- транзистора является адресным входом формирователя, шестой ключевой МДГЬтравзистор , исток которого соединен с истоком второго ключевого МДП-транзистора и является первой иганой пита .ния, сток первого ключевого МД11-транзистора соединен с второй шивой питания, отличающийся тем, что, с целью Повышения помехоустойчивости, он содержит седьмой, восьмой и девятый . ключевые МДП-транзисторы, причем исток седьмого ключевого МДП-травзистора соединен со стоком шестого ключевого МДП-транзистора и 3aTBoix3M третв. его ключевого МДП-транзистора, исток BoctAioro ключевого МДГЬ-транзистора - со стоком девятого кпючевогчэ МД1Ъ-тра&зистора и затвором четвертого ключевого МДП-транзистора, затвор шестохх) ключ&вого МД1Ъ-тра№ЗИСТора соединен с затв1 ром восьмого ключевого МДП-транзисто и является третьим управляющим входом формирователя, затвор седьмого ключевого МДП-транзистора соединен с затззорс девятого ключевого МДП-транзистора и является четвертым управляющим входом формирователя, стоки седьмого, и восьмого ключевых МДП-транзвсторов соединены с второй шиной питания, а исток девятого ключевого МДП-транзистора - с первой СО Оа шиной питания.
„„SU„„1007133 A
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИН (р Ci 11 С 8/00
Г
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21 ) 331 3685/1 8-24 (22) 06.07.81 (46) 23.03.83. Бюл. ¹ 11 (72) А. С. Лушников, А. Б.Однолько, А.Н.Бочков, И.п.лазаренко и В.H.Kèðèченко (53) 681.327. 6 (088.8) (56) 1. Патент Великобритании
% 1402444,кл. С 4 А, опублик. 1872.
2. Заявка Японии ¹ 55-28138, кл. (j 11 С 7/ОО; опублнк. 1980 (прототип). (54.)(57) АДРЕСНЫЙ ФОРМИРОВАТЕЛЬ, содержащий первый ключевой МДП«транзистор, исток которого соединен со стоком второго ключевого МДП-транзистора и с истоком третьего ключевого МДПтранзистора, затвор которого соединен с истоком четвертого ключевого МДП-транзистора, а сток - с затвором пятога ключевого МДП-транзистора, исток которого, является управляющим выходом формирователя, а сток - первым управляющим входом, затвор первого ключевого МДП-транзистора соединен со стоком четвертого ключевого МДП-транзистора и является вторым управляющим входом формирователя, затвор второго ключевого МДПтранзистора является адресным входом формирователя, шестой ключевой МДПтранзистор, исток которого соединен с истоком второго ключевого МДП-транзистора и является первой шиной питания, сток первого ключевого МДП-транзистора соединен. с второй шиной питания, отличающийся тем, что, с целью повышения помехоустойчивости, он содержит седьмой, восьмой и девятый . ключевые МДП-транзисторы, причем ио ток седьмого ключевого МДП-транзисто ра соединен со стоком шестого ключевого МДП-транзистора и затвором третьего ключевого МДП-транзистора, исток восьмого ключевого МДП-транзисторасо стоком девятого ключевого МДП-трав- I зистора и затвором четвертого ключевого
МДП-транзистора, затвор вастото нанти (/) вого МДП-транзистора соединен с затво ром восьмого ключевого МДП-транзистора и является третьим управляюпщм входом формирователя, затвор седьмого ключевого
МДП-транзистора соединен с затвором девятого ключевого МДП-транзистора и фа является четвертым управляющим входом (} формирователя, стоки седьмого, и восьмого ключевых МДП-транзисторов соединены с второй шиной питания, а исток девятого ключевого МДП-транзистора - с первой шиной питания.
1 1007133 2
Изобретение относится к микровлвктро входом формирователя, шестой ключевой, . нике и може быть использовано при по- МДП-транзистор, исток которого совдьстроении интегральных запоминающих уст- нвн с истоком второго ключевого МДПройств на МДП-транзисторах. транзистора и является первой шиной
Известен адресный формирователь, со- Ф питания, сток первого ключевого МДП-тракль держащий четыре МДП-транзистора, кон- зистора соединен с второй шиной питания, денсатор, адресные, входные, выходные и дополнительно содержит седьмой, восьмой. управляющие шины (Ц . и девятый ключевые МДП-гранзисторы,при, Однако известный формирователь об- чвм исток седьмого ключевого МДП-тран падает невысокой надежностью в случае 4 знстора соединен со стоком шестого ключе высокого уровня напряжения на адресной вого МДП-транзистора и за вором третьшине, так как при возникновении отри- его ключевого МДП-транзистора, исток цательной помехи на выходной шине воз- восьмого ключевого МДПтранзистора можно отпирание иетвертого транзистора соединен со стоком девятого ключевого и возникновение утечки с входной шины >> МДП-транзистора и затвором четвертого на выходную, вследствие чего происходит ключевого МДП-траюистора, затвор шеоснижение потенциала на входной шине. того ключевого МДП-транзистора соеди
После окончания действия отрицательной нен с затвором восьмого ключевого МДПпомехи на входной шине из»за утечки транзистора и является третьим управлязаряда с входной шины потенциал выход» 26 ющим входом формирователя, затвор седьной шины окажется выше потенциала зем- мого ключевого МДП-транзистора совди ли. нен с затвором девятого ключевого МДПНаиболее близким по технической суп - транзистора и является четвертым управ» ности к предлагаемому является адресный ляющим входом формирователя, стоки формирователь для МДПзапоминающего седьмого и восьмого ключевых МДПустройства, содержащий шесть трапзисто транзисторов соединены с второй шиной ров, конденсатор, управляющую, адресную, питания, а исток девятого ключевого входную и выходную шины j2). МДП-транзистора - с первой шиной m
Однако недостатком етого формирова- тания. теля является невысокая надежность при 3О На чертеже представлена принципиальвозникновении отрицательных помех HB ная электрическая схема адресного форвыходных шинах, когда возможно откры- мирователя. ванне выходных транзисторов и воэникно- Адресный формирователь содержит вение утечки с входной шины на входную. первый 1, второй 2, третий 3, четверПри атом возможно возникновение поло- Э тый 4, пятый 5, шестой 6, седьмой 7, жительной помехи на входной шине после восьмой 8, девятый 9 ключевые МДПокончания действия отрицательной помехи транзисторы, первый 10, второй 11, на етой шине. третий 12, четвертый 13 управляющие
Белью изобретения является повыше- входы, управляющий выход 14, адреоние надежности работы. адресного форми- 4р ный вход 15, шина 16 питания. рова теля. Адресный формирователь работает
Поставленная цель достигается тем, следующим образом. что адресный формирователь, содержащий В исходном состоянии управляющие первый ключевой МДП-транзистор, исток шины 11 и 13, адресная шина 15, упко орого соединен со стоком второго клю-„ равляющая шина 10 и выходная шина чевого МДП-транзистора и с истоком 14 имеют потенциал. Управляющая шина третьего ключевого МДП-транзистора, 12 имеет высокий потенциал. Затвор затвор которого соединен с истоком чет- транзистора 3 разряжен до низкого, а вертого ключевого МДП-транзистора, а затвор транзистора 4 заряжен до высосток - c затвором пятого ключевого кого потенциала. Затем управляющую
МДП-транзистора, исток которого являе шиву 12 разряжают до низкого логичво ся управляющим выходом формирователя, кого уровня. После етого подают аисо а сток первым управляющим входом кий потенциал на управляющую шину 11, формирователя, затвор первого ключевого затворы транзисторов 3 и 5 заряжаются
МДП-транзистора соединен со стоком до высокого уровня, потенциал затвора .$5 четвертого ключевого МДП-транзистора и транзистора 4 эа счет передачи нащиявляется вторым управляющим входом жения через емкость исток затвор поформирователя, затвор второго ключево вышается до уровня большего, чем лого МДП-транзистора является адресным тенциал источника питания, в результате
3 10071 чего затвор транзистора 3 заряжается до полного логического уровня шины 11.
За ем на управляющую шину 13 подают высокий потенциал, обнуляют затвор транзистора 4, после чего на шину.11 пода- 5 ют низкий потенциал. После етого на адресный вход 15 подают высокий логический уровень, затвор транзистора 5 разряжается до уровня земли и через емкость затвор - канал транзистора 3 на затворе транзистора 5 происходит снижение потенциала, которое компенсируют подзарядом через транзистор 7, в результате чего s этом узле сохраняет. ся потенциал ob -7, где VT — пороговое напряжение транзистора,7о„— напряжение питания. Потом обнуляют . потенциал управляющей шины 13 и адрес ной шины 15.и на шину 12 подают высокий логический уровень. Затвор тран- - 20 зистора 3 разряжается до уровня земли
33 4 и на затворе транзистора 5 вследствие передачи напряжении через емкость затвор - исток транзистора 3 потенциал снижается ниже потенциала земли, т.е. на затворе транзистора 5 возникает отрицательный бросок напряжения, что предотвращает этот транзистор от ложного срабатывания.
Таким абразсм, предлагаемый адреоный формирователь обладает повышенной надежностью работы по сравнению с известным.
Адресный формирователь является в сущности оконечной ступенью napamtem ного дешифратора. Для этого параллель но транзистору 3 подключаются аналогичные адресные транзисторы, выполняющие совместно с имеющимся функцию
И. Количество таких формирователей определяется количеством адресов нако пителя.
Составитель Г. Бородин
Редактор Т. Кугрышева Техред Я. Тепер Корректор Л. Бокшан
Заказ 2145/74 Тираж 592 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, г аушская наб., д. 4/5
Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4
