Способ получения цилиндрических магнитных пленок

 

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК, основанный на электролитическом осаждении на немагнитную проволочную основу кюдного подслоя и ферромагнитного.слоя, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью упрощения получ.ения цилиндрических магнитных пленок, электролитическое осаждение медного подслоя осуществляют при одновременном воздействии на немагнитную проволочную основу постоянного тока и переменного тока промышленной частоты, плотность которого составляет 1,0-1,5 плотности постоянного тока меднения и 4,5-5,5 плотности постоянного тока осаждения ферромагнитного слоя.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

РЕСПУБЛИН

3(511 6 11 С 11 .14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

f,Р

Фиг. 1

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОЬРЕТЕНИй И ОТКРЫТИЙ (21) 3376756/18-24 (22) 08. 01. 82 (46) 07. 05.83. Вюл. Р 17 (72) В. П. Гоги н, E. К. Станина, Т. Н. Шадрина и Л. И. Пыхтина (53) 681. 327. 66 (088. 8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

9 640364, кл. G 11 С 11/14, 1978.

2. Григорян Л.А. Запоминающие устррйства на цилиндрических магнитных пленках. M., "Энергия", 1975, с. 66 (прототип). (54) (57) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК, основанный

„„SU„„1016833 . А на электролитическом осаждении на

;.немагнитную проволочную основу медно го подслоя и ферромагнитного .слоя, отличающийся тем, что, с целью упрощения получения цилиндрических магнитных пленок, электролитическое осаждение медного подслоя осуществляют при одновременном воэдействии на немагнитную проволочную основу постоянного тока и переменного тока промышленной частоты, плотность которого составляет 1,0-1,5 плотности постоянного тока меднения и 4,5-5,5 плотности постоянного тока осаждения ферромагнитного слоя.!,1 1 Г 7отцика Ферронагниткого отю.о, РЖР1

1016833

Изобретение относится к вычислительной технике и мбжет быть исполь« зовано при производстве цилиндрических магнитных пленок (ЦМП) для опЕративных запоминающих устройств.

Известен способ получения цилин- . дрических магнитных пленок, основан- ный на электролитическом осаждении медного подслоя толщиной 1-4 мкм и ферромагнитного слоя толщиной 0,61,4 мкм на немагнитную проволочную

10 основу $1 3.

Недостатком указанного способа является невозможность регулировки амплитуды выходного сигнала с ЦМП без уменьшения ее областй устойчивой 15 работы.

Наиболее близким к предлагаемому является способ получения ЦМП, основанный на электролитическим осаждении слоя меди, электролитическом 20 осаждении структурного слоя меди и электролитическом осаждении магнитного олоя (2 ).

Недостатком известного способа получения ЦМП является его относи- 25 тельная сложность.

Цель изобретения — упрощение получения ЦМП.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу получения цилиндрических магнитных пленок, основанному на электролитическбм осаждении на немагнитную проволочную, основу медного подслоя и ферромагнитного слоя, электролитическое оеаждение медного подслоя осуществля ют при одновременном воздействии на немагнитиую проволочную основу . постоянного тока и переменного тока промышленной частоты, плотность которого составляет 1,0-1,5 нлотнос- 40 ти постоянного тока меднения и 4,55.„5 плотности постоянного тока осаждения ферромагнитного слоя.

На фиг. 1 изображена зависимость амплитуды выходного сигнала ЦМП Us„, 45

Вых от толщины ферромагнитного слоя; йа фиг. 2 - зависимость величины коэрцитивной силы Н© от амплитуты переменного тока меднения Зпе е„„ °

В соответствии .с йредлагаемым 50 способом получения ЦМП для увеличения выходного сигнала с ."1П U> „ не8ЬМ обходимо увеличение толщины ферромагнитного слоя (фиг; 1). Однако при этом величина коэрцитивной силы

ЦМП Н уменьшается. Поэтому, чтобы при увеличении толщины ферромагнитного слоя не уменьшалась величина коэрцитивной силы магнитного сплава й,.- следовательно, область устойчивой работы ЦМП, необходимо увеличить 60 шероховатость медного подслоя. Для .увеличения шероховатости медного подслоя осаждение последнего прово- дят. на постоянном токе с наложением переменного тока промышленной частоты, а для увеличения толщины ферромагнитного слоя увеличивают плот- . ность тока осаждения магнитного сплава.

В том случае, когда плотность переменного тока меньше плотности постоянного тока меднения, создаются условия, благоприятствующие растворению металла и получению плотного мелкокристаллического осадка меди, определяющего низкие значения коэрцитивной силы осажденного магнитного слоя. Поэтому процесс должен проводиться при соотношении ,плотностей переменного и постоянного токов меднения не ниже .1,0.

При дальнейшем увеличении соотношения плотности переменного тока и постоянного тока меднения шероховатость структуры медного подслоя увеличивается и при соотношении, превышающем 1,5, приводит к рыхлым осадкам, что обусловлено как катодным процессом выделения водорода, так и более интенсивным процессом растворения меди с анода.

Ограничения по максимальному значению соотношения плотностей переменного тока и постоянного тока меднения приводят к ограничению степени шероховатости, а следовательно, и максимальной величины коэрцитивной силы ферромагнитного слоя (фиг. 2).

Учитывая, что с увеличением толщины ферромагнитного слоя величина коэрцитивной силы уменьшается практичес" ки линейно, соотношение плотностей переменного тока меднения и постоянного тока осаждения ферромагнитного слоя должно быть 4,5-5,5.

Для получения толщины медного подслоя, необходимой для устранения имеющихся на поверхности проволоки дефектов за более короткий промежуток времени, процесс. осаждения меди проводят при плотностях токов, близких к предельным.

Предлагаемый способ по сравнению с известным позволяет упростить технологический процесс получения ЦМП за счет уменьшения количества ванн меднения и введения регулировки амплитуды выходного сигнала только эа счет изменения токовык режимов осаждения медного и ферромагнитного слоев. ПрактиЧеское использование предлагаемого способа позволяет получить ЦМП с амплитудой выходного сигнала до "8 мБ/1 мм длины стержня с областью устойчивой работы по разрядному току 16,5 мА + 30% и по числовому току 315 мА + 20%.

1016833,7псрж, мМ

/ÐÐ 140 /И 160 200 330 МО

Фиг. Р

Заказ 3393/50 Тираж 594 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Составитель Ю. Розенталь

Редактор М. Рачкулинец Техред Л.Пекарь Корректор И. Шулла

Способ получения цилиндрических магнитных пленок Способ получения цилиндрических магнитных пленок Способ получения цилиндрических магнитных пленок 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх