Усилитель-формирователь импульсов на мдп-транзисторах

 

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК у р H 03 K1/08

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ HOMHTET СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (61) 525247 (21) 3374838/18-21 (22) 04.01.82 .(4б) 15.05.83. Бал. и 18 (72) Д.И. Затикян и А.А. Бадалян (53) 621.374-5(088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

N 525247, кл. Н 03 К 1Я/О&, 17-04 .74. (54)(57) УСИЛИТЕЛЬ-ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИИ.

ПУЛЬСОВ НА ИДП-ТРАНЗИСТОРАХ по авт. св. И 525247, о т л и ч à е щ и и - . с я тем, что, с целью увеличения амплитуды выходных импульсов в него введены п-1 дополнительных инверторов с токостабилизирующиии нагрузками, причем входы инверторов соеди.,ЯО„„! 018252 A иены с входной виной, затворы и стоки затворных транзисторов дополнительных инверторов подклочены к анне питания, сток нагрузочного транзистора первого дополнительного инвертора подключен к затвору нагрузочного транзистора инвертора с токостабмлиэирующей нагрузкой, сток нагрузочного транзистора второго дополнительного инвертора соединен с затворои нагру" зочного транзистора первого дополнительного инвертора, сток -нагрузочного транзистора (й-1}-ro дополнителвного инвертора соединен с затворои нагрузочного транзистора(и"2 )-ro дополнительного инвертора. 1018252

Поставленная цель достигается тем, что в известный усилитель-Формирователь импульсов на ИДП-транзисторах введены n-! дополнительных инверторов с токостабилизирующими нагрузками„ причем входы инверторов соединены с входной шиной, затворы и стоки затворных транзисторов дополнительных инверторов подключены к шине питания, сток нагрузочного транзисто-. ра первого дополнительного инвертора подключен к затвору нагрузочного транзистора инвертора с токостабилизирую" щей нагрузкой, сток нагрузачного транзистора второго дополнительного инвертора соединен с затвором нагрузочного транзистора первого дополнительного инвертора, сток нагрузочного транзистора (p -1)-го дополнительного инвертора соединен с затвором нагрузочного .транзистора (vl-2)-го дополнительного инвертора.

Следовательно, конденсатор 8 заря жается до уровня Е, а конденсатор 15 до уровня E" 0О. На конденсаторах 13.1 — 13.И -1 устанавливаются потен-

30 (циалы, равные Е-ОО.

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в устройствах автоматики и вычислительной техники.

По основному авт.св. М 525247.известен усилитель-Формирователь импульсов на ИДП-транзисторах, содержащий входной и выходной выводы, источник питания, инвертор с токостабилиэирующей нагрузкой, дополнительный транзистор, двухтактный усилительформирователь, первый накопительный конденсатор, зарядный транзистор, второй накопительный конденсатор (1), Недостатком этого устройства является то, что максимальная амплитуда выходного импульса не превышает удвоенного напряжения питания.

Цель изобретения - повышение ампли туды выходных импульсов.

На чертеже приведена схема усилителя-Формирователя импульсов на ИДПтранзисторах. f

Устройство содержит усилительформирователь импульсов 1 с входной клеммой 2, включающий в себя инвертор на транэйсторе 3 с токостабилизирующей нагрузкой, выполненной на транзисторе 4 и дополнительном транзисторе 5, двухтактный усилитель-формирователь на транзисторах 6 и 7, первый накопительный конденсатор 8, зарядный транзистор 9, второй накопительный конденсатор 10. Дополнительные инверторы с токостабилизирующими нагрузками, содержащие нагруэочные транзисторы 11.1-11 И -1, активные транзисторы 1?.1 - 1?-и -1, конденсаторы 13.1 - 13 и -1, затворные транзисторы 14.1 - 14 (1- 1, усили" тель-формирователь содержит конденсатор 15.

Устройство работает с ледующим образом.

В исходном состоянии на вход подается нулевой потенциал. Конденса" тор 10 заряжается через транзистор 9 до напряжения Е- Цо„ где 0о - пороговое напряжение МПП-транзистора. При подаче на вход импульса открываются транзисторы 3„7, 12.1 - 12 И-1.

На выходах устройства и на правой обкладке конденсатора 8 устанавливаются потенциалы, близкие к нулю, а на верхней обкладке конденсатора 10 напряжение возрастает до уровня, равного Ue x+ Е - 13 о где 0 х — амплитуда входного импульса.

По окончании входного импульса транзисторы 3, 7, 12.1 - 12.и-1 закрываются. На выходах устройства потенциалы повышаются. При достижении потенциала, равного U на первом выходе усилителя-формирователя открывается транзистор 6 и начийает повышаться потенциал на левой обкладке конденсатора 8. В установившемся ре- жиме транзистор 5 закрыт, так как на левой обкладке конденсатора 8 потенциал равен 2Е, а на правой обкладке потенциал равен Е, на выходе усилителя-формирователя потенциал равен 2Е. На левой обкладке конденсато.ра 15 потенциал равен 3E-U, следовательно, на втором выходе потенциал равен 3Е-Ц. На левой обкладке конденсатора 13-1 потенциал равен 4Е-20р следовательно, на третьем выходе потенциал равен 4Е-?00. Соответственно на четвертом виходе потенциал равен 5E"3 Оо, а на выходе потенциал равен (И+1) E-Ь-.1) .Таким образом, при работе на активную нагрузку амплитуда импульсов на выходах устройства равна Ugg((8+1) Е +N.-1) )о у где U - номер выхода.

Cg + и-z . Е.

1=1 С

3 1018

При работе на емкостную погрузку амплитуда выходных импульсов равна

252 4 где 4 - — суммарная емкость гЬи-а следовательно включен с ных конденсаторов 8, 1=4 15, 13.1 - 13.И-2;

С вЂ” емкость нагрузки.

Таким образом, без применения дополнительных источников питания можно получить импульсы различной амплитуды, превышающие величину напряжения основного источника питания.

ВНИИПИ . Заказ 3561/54 Гираж 936 Подписное

Филиал Illlfl "Патент", .ir.Óæãîðîä,óë.ÏðîåêòHçÿ,4

Л-И

/вход