Переключатель цилиндрических магнитных доменов

 

CONS СОВЕТСКИХ

ОЗ,ИЧИОИ В

РЕСПУБЛИК

69I 0D

y(soG 1 С 11 14

3rW,„

-"л Д ТЩ„

00ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ н as TOpCNOMY. cвщфтВЪСтвм

4 ил (53) 681 ° 327 66- (088.8) ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

lI0 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТЬЙ (21) 3412194/18-24 (22) 24.03.82 (46) 07.06.83. Бюл. У 21 (72) Г.Е. Аникеев, В.И. Сергеев и А.И. Холопкин ф56) 1. Bell system. Tech. Jonz, V. 52, 1973, N 3, р. 307.

2. lEEE Trans. Мщп. V. NAG — 11, 3,975. N 5., р. 1136 (прототип). (54) (57) ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ

МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ, содержащий магнитоодноосную пленку, на поверхности которой расположены основной и дополнительный каналы продвижения цилиндрических магнитных доменов из ферромагнитных аппликаций, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью расширения области устойчивой работы пере.ключателя, он содержит в основном канале продвижения цилиндрических маг- нитных доменов S -образную ферромагнитную аппликацию, вераина которой .магнитосвязана с основаниями соответствующих ферромагнитных аппликаций дополнительного канала продвижения цилиндрических магнитных доменов.

1022218

Изобретение относится к вычислительной технике и автоматике и может быть использовано при построении запоминающих и обрабатывающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Известен переключатель ЦМД, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположены основной и дополнительный каналы продвижения ЦМД 1О из Т- и 3-образных ферромагнитных аппликаций и Т-образная аппликация, выполняющая роль элемента переключения ЦМД при реверсе управляющего поля (1 ) .

Использование аппликаций Т- 3 -формы предъявляет повышенные требования к выполнению зазоров между аппликациями каналов, а функция переключе-. ния имеет малую область устойчивой 2р работы, так как критична к величине зазора между аппликациями.

Наиболее близким к предлагаемому является переключатель ЦМД, содержащий магнитоодноосную пленку, на по- 25 верхности которой расположены выполненные на ферромагнитных Т-Э - 1 -аппликациях основной и дополнительной каналы продвижения ЦМД и (-образная ферромагнитная аппликация, играющая роль элемента переключения доменов реверсом поля управления (2 ) .

Недостатками данного устройства являются повышенные требования к выполнению зазоров между аппликациями и небольшая область устойчивой работы, 35 при переключении доменов. Кроме того, ЦМД по дополнительному каналу продвигаются толька при реверсивном направлении вращения поля управления, поэтому домены, оставшиеся в основном канале, будут перемещаться в обратном направлении. Это создает неудобства при построении запоминающих устройств и требует введения дополнитель45 ных элементов продвижения.

Цель изобретения - расширение области устойчивой работы переключателя ЦМД.

Поставленная цель достигается тем, что переключатель ЦМД, содержащий магнитоодноосную пленку, на поверхности. которой расположены основной и дополнительный каналы продвижения ЦМД из ферромагнитных аппликаций, содержит в основном канале продвижения ЦМД 5"образную ферромагнитную аппликацию, вершина которой магнито,связана с основаниями соответствующих ферромагнитных аппликаций дополнительного канала продвижения ЦМД.

На фиг. 1 изображена принципиальная схема переключателя ЦМД; фиг. 2 - этапы продвижения домена при переключении.

Переключатель ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой расположены основной канал продвижения

ЦМД из ферромагнитных аппликаций 2 и 3 и 5 -образной ферромагнитной апликации 4 и дополнительный канал продвижения ЦМД иэ ферромагнитных аппликаций 5 - 7.

Вектор управляющего поля Н пр 8 вращается в плоскости пленки в основном .направлении 9 против часовой стрелки, а при переключении ЦМД— в направлении 10 по часовой стрелке, на фиг. 1 показаны вход 11 и выходы

12 и 13.

Буквами А, Б, В и Г обозначены позиции, занимаемые ЦМД во время работы переключателя.

Переключатель ЦМД функционирует следующим образом.

При основном направлении 9 вращения вектора Н по против часовой стрелки ЦМД, поступающие на вход 11 основного канала через аппликации

2, 4, 3, следуя по полюсам А, Б, В, Г„ А..., проходят на выход 12 основ" ного канала.

Если же необходимо переключить

ЦМД из основного в дополнительный канал, то после перехода ЦМД с полюса С аппликации 4 (фиг. 2O) на полюс Б (фиг. 2о) начинается 180 реверс направления вращения Н, „ в направлении 10 по часовой стрелке. При изменении направления вектора Н „ от Б к А домен перемещается по левому краю аппликации 4 на полюс А

1фиг. 2ф), а при повороте Н ðp в направлении Г домен перемещается на полюс Г (фиг. 22.) . После этого восстанавливается основное направление 9 вращения Н против часовой стрелки и домен через полюса А (фиг. 26) и Б переходит в дополнительный канал (фиг. 28). Затем по аппликации 7 домен проходит на выход 13 дополнительного канала °

Следует обратить внимание, что при переключении ЦМД, находившегося на аппликации. 4, другие домены, на аппликациях 2 и 3 основного канала не переходят на соседнии аппликации, 1022218

3 ппр

Нулр

Составитель Ю. Розенталь

Редактор В. Петраш Техред A.À÷ Корректор В. Гирняк

Заказ 4054/44 Тираж 59" Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам. изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 а лишь совершают колебательное перемещение по полюсам Б,А, Г,А, Б.

Таким образом, предлагаемый переключатель Цг1Д позволяет расширить область устойчивой работы переключателя, так как элемент переключения доменов выполнен беззазорным, и переключаемый домен во время реверса поля все время перемещается под пермаллоевой аппликацией. Кроме того, использование в каналах продвижения аппликаций в виде симметричных полудисков снижает требования к выполнению зазоров между аппликациями и повышает выход годных устройств. Вследствие того, что при переключении домена остальные Ц11Д в основном канале

- . не продвигаются, переключатель легко использовать для вывода в дополни.тельный канал непрерывной последовательности Ц1"1Д из основного канала.

Переключатель цилиндрических магнитных доменов Переключатель цилиндрических магнитных доменов Переключатель цилиндрических магнитных доменов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх