Способ защиты полимерной пленки

 

СПОСОБ ЗАЩИТЫ ПОЛИМЕРНОЙ ПЛЕНКИ из термореактивного олигомера нанесением на него защитного покрытия и удалением его после отверждения, отличающийся тем, что, с целью у 1учшения качества пленки, с одной или дву.х сторрн пленки в качестве покрытия наносят полированную пластину из монокристаллов хлористого или бромистого калия или натрия с последующим удалением пластины растворением ее в воде.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИХ д(у В 29 D 7/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3397597/23-05 (22) 16.! 2.81 (46) 15.09.83. Бюл. № 34 (72) Н. Н. Ивлиев, Л. В. Сальникова, Г. Н. Атепкова, Л. А. Наумова, К. Н. Баран-. ский и С. В. Павлов. (53) 678.029.66 (088.8) (56) 1. Заявка Японии 49-5888, кл. 24 Н 02, опублик. 1974.

2. Кузнецова В. М. и др. Радиационное отверждение пластифицированных эпоксидных смол. — «Пластические массы», 1978, Ие 2, с. 44 — 46 (прототип).

ÄÄSUÄÄ 1041308 А (54) (57) СПОСОБ ЗАЩИТЫ ПОЛИМЕРНОЙ ПЛЕНКИ из термореактивного олигомера нанесением на него защитного покрытия и удалением его после отверждения, от ги гающийся тем, что, с целью улучшения качества пленки, с одной или двух сторон пленки в качестве покрытия наносят полированную пластину из монокристаллов хлористого или бромистого калия или натрия с последующим удалением пластины растворением ее в воде.

1041308

35

В качестве пластинок может быть исполь- 40

Изобретение относится к способам для изготовления пленок из олигомеров, полимеризация которых ингибируется кислородом воздуха, и может быть использовано в виде покрытий или в виде пленок, например, в электронной промышленности в высокочастотных акустических и акустооптических устройствах для обеспечения акустического контакта или при испытании пленочных материалов.

Известен способ защиты полимерных веществ от действия кислорода воздуха с помощью воздухонепроницаемого вещества (парафина) в летучем растворителе (уайтспирте) с последук1щим отверждением полимера (1) .

Недостатком указанного способа является то, что применение растворителя усложняет технологический процесс

Наиболее близким к изобретению является способ защиты полимерной пленки из термореактивного (пластифицированного эпоксидного) олигомера с помощью лавсановой пленки (защитного покрыгия), наносимой «а полимерную пленку с последующим отверждением и удалением лавсановой пленки (2) .

Недостатком этого способа является получение пленки с неравномерной толщиной, что ведет к ухудшению ее своиств и то, что нельзя получить пленку с толщиной менее

10 мкм.

Цель изобретения — повышение качества пленки.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу защиты полимернОЙ пленки из термореактивного олигомера нанесением на него защитного покрытия и удалением его после отверждения, с одной или двух сторон пленки в качестве покрытия наносят полированную пластину из мо1,окристаллов х.1ористого или бромистого калия или натрия с последук1щим удалением пластины растворением ее в воде. зован любой беспористый водорастворимый материал, способный давать полированну1о поверхность. Пластины водорастворимых материалов получают из бракованных монокристаллов NaCl, МаВг, КС! КВг, которые не соответствуют техническим требованиям основного производства. С одной стороны поверхность пластинки полируется известным способом, используют пластины следу1О1цих размеров, мм: длина 30 мм; ширина !0 --30 мм; толщина 3- -б мм.

Таким образом, в качестве пластин во.И1растворимых материалов используют отход1, Ог производства изделий из монокр11сталлин. применяемых в высокочастотных акустических устройствах.

Слп11п>сть предлагаемого способа состои !<:1м, что Олигомер наносят на подложку и за1цпщ IIoT его от кислорода воздуха

::, liI!--И1 ой водорастворимого материала. По10

25 еле отверждения олигомера, способствующего окончательному формированию пленки, пластину удаляют путем постепенного вымывания (растворения) водой.

Таким образом, 1п>лучают покрытие из олигомера на подложке. В случае получения пленки в свободном виде олигомер наносят на одну пластину водорастворимого материала и загцищают его от кислорода воздуха другой пластиной водорастворимого материала. После отверждения олигомера пластины удаляют путем постепенного растворения их в воде. Указанным способом получают пленки из олигомера в свободном виде.

Прилер 1. Поверхность ситалловой подложки размером бО Х 48 Х 1 обезжиривают ацетоном, спиртом или другими летучими растворителями. Через 10 15 мин после удаления растворителя на поверхность ситалловой подложки НННосВТ олигомер цианакрилатный клей на основе аллил-<-цианакрилата (из расчета одна капля на 5 — б см поверхности), равномерно распределяя олигомер по поверхности подложки стеклянной палочкой. Затем к клеевому слою плотно прикладывают полированной поверхностью пластину кристалла хлористого калия размером 30 Х 30 Х 3 мм, предварительно обезжиренную изопропиловым спиртом.

После отверждения клея в течение 24 ч

llpH HopMBJlbHhIx условиях, что приводит к окончательному формированию пленки, удаляют пластину кристалла хлористого калия путем постепенного растворения в воде в течение 5 — 12 мин.

После полного растворения кристалла подложку с покрытием из цианакрилатного клея на основе аллил-с цианакрилата вынимают из воды и промака1от фильтрова1bной бумагой, затем сушат на воздухе.

В случае получения пленки в свободном виде полированную поверхность пластины кристалла хлористого калия размером ЗОХ

ХЗО Х 3 мм обезжиривают изопропиловым спиртом. Через 20 — 25 мин после удаления растворителя на поверхность пластинки наносят цианакрилатный клей на Основе аллил

-a.-цианакрилата (из расчета ка11ля на

5 — 6 смз поверхности), равномерно распределяя его по поверхности стеклянной палочкой. Затем к клеевому слою плотно прикладывают полированной поверхностью другую пластину кристалла хлористого калия размером 30 Х 30 Х 3 мм, предварительно обезжиренную изопропиловым спиртом.

После отверждения клея в те ение 24 ч при нормальных условиях обе пластины хлористого калия удаляют путем постепенно го растворения в воде в течение 5--12»HH.

После полного растворения пластин кристалла пленку, полученную из IJHBHBI ðèëàòного клея на основе аллил-а.-цианакрилата, вынимают из воды, промакают фильтрозальной бумагой и сушат на воздухе. Пленку получают с равномерной голщиной 1 -10 мкм.! О<) 3 ОоО«

Толи.и н а, ! а, l. " . г ия

< < <;.) )г

cl »а

: ог()г) р!

) 23-1

Цианакрилатг!ый клей на основе аллил-с(-цианакрилата

3 — 1

89,0

То же, íà ос.нове

ЭтОКСИЭтИЛ-с(-ЦИа)Гав крилата

3 <) — ? — ?

1,—, 17

18!

128

30 — 2

То же, на основе аллил — сс — циан сорбин(гга

Г< 7

16!

23 г«><»<) 1

23 — 1

То же, на основе аллил-с(-циана!(рилата

87,7

)7,0! ) B качестве защитного покрытия испо. : зовалась;гав -аHOI пла:- ка с толщиной 20 мкм.

В качестве 3 ащитнОГО пО к1?ытия испО

КС с т?лщиной 3 мм. ""B качестве защит -ого покрытия исполь-.-:о=-.а)-.ась и.-;а ". (на гп —:;м.: —.О— кристалла )4aCI с толщиной 3 мм.

55

ВНИИПИ Заказ 703!)! 3 Тираж (>11 )о.!»»< с;-,.го

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, Ул. Проектная. 4

При иер 2. Поверхность ситалл()вой! подложки размером 60Х48Х 1 мм обезжиривают ацетоном, спиртом или другими летучими растворителями. Через 10 — !5 мин после удаления растворителя на поверхность ситалловой подложки наносят олигомер — цианакрилатный клей на основе эгоксиэтил-ж-цианакрилата. Далее все делают так, как указано в примере 1.

Лример 3. Поверхность ситалловой подложки размером 60Х 48Х 1 мм обезжиривают ацетоном, спиртом или другими летучими растворителями. Через 10 — 15 мин после удаления растворителя на поверхность ситалловой подложки наносят клей на основе аллил- а-циансорбината.

Далее все делают, как в npuwepe I.

Таким образом, предлагаемый способ поз воляет получить пленку в свободном виде и в виде покрытия с толщиной 1 — 1О ь!!см; значительно улучшить качество пленки за счет ее равномерной толщины, которая достигается тем, что пленка формируется между двумя твердыми плоскопараллельными полированными поверхностями, а также за счет повышения адгезии; повысить точность измерения адгезии, модуля упрутости, коэффициента затухания пленки за счет улучшения ее качества; использовать отходы от производства изделий из монокристаллов.

Лри<г)ер †. 11оверх Ост сит<)лловой

i1O.<,!О:hl(!! р)l.)1!i !)<гг <) 60?, ».С>, 1 М:(1 00(зж!1рива!от Яц«тоно)1, сл!иртом или другими лсТ>, чи ))и растВО))»)т(. .,151)! и. j«j1«3 0 0

5 после уда i«H«51 i)3«Tnopl)т«ля Н3 поверхнОсть с и та;1, 1 О )3 0 и 11 Одл О )к I(l l 1» 3 н О(я T кл е Й

Н3 ОСНОВ(3.1,1 И. 1- Ос--II I! 3 H31(j) l! 1 3Ò3.

Далее Вс«делают так, как уl4333f10 !3

ПРИ;<)ЕР«! 3;! 1)СК,!Ю IC)HI« (f ТОГО, ITO !3 К3чсстве защитного покрытия используется пластина из м0110кристя 1ла х )ористОГО нат рия.

В IH51f life <. 110(0()3 ПО.)<< cf(Hl!H f)51«f)f(f! HH с«НЯ ч«стВО и !) ив(. Г(. Ho В та о, Ill! I(. .!

10 расчет)»ыг .13И)!Ым чкономич««кий

Э(Р(!)«1(Т ОТ В)г(Г, j i i И >) ()10«0() i) .10, ) Ч Hl! 5! H.)(. Hl4!! 13 О, I H! ОМЕП)! HO, i)! ) () I! <г I! i >1 К01 О!101 O

ИНГ!!0lfPV«Т Я )4)!(1!ООО.IOi! 1303,1) ХЯ. Гl(г«1) I, 3

3!)ЯЧИТ(.I HHO! О < )С!! Ь!П 3 3 8 P300 !(»1 И. )0!113ДИ. Т3 К К3 I(H(. ) РСО < «Т(Я I 1)0)103,(КО! О ОООРУ:»ОВЯНИЯ; СОКРЯ)ЦС))ИЕ Ра«ХОДЯ ЭЛ«нтРОэнергии: «i)Np;Il!Ii". Нс затрат тру I;I ИЯ о(к. ужиВ<)нис. ИЯ 50" ;„ 1;ОВ)<гиlения кач((.тва HO, )— чаемой пленки, рЯВ!И)мсрной Но толишнс; НОВЫ!Ц(.НИЯ TO<)НОС ГИ ИЗ