Способ измерения температурного пика @ - @ перехода

 

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРА- , ТУЙЮГО ПИКА P-N ПЕРЕХОДА, при котором пропускают через переход модулированный ток я измеряют изменение напряжения на прямосмещенном переходе, отличающийс я тем, что, с целью повышения чувствительности , ток через переход изменяют скачком,. .и в течение переходаого процесса дся10;1нятель« ,но измеряют напряжение напереходе, одяовре менно импульсно изменяя ток через переход, а теишературный пик М1ределяют по ммкс где ti, tj время начала импульсиого зменения тока относительно его скачка .. 2 f соотвегствуюпше изменения напряжения на переходе; изменение напряжения на переходе при теьгаёратуре калибров в ки То ( /W экш111япеская вепичина, зависящая от измеренного напряжения на переходе и от тока крез переход.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦЕЛИСТИЧИНИХ

РЕСПУБЛИН

SU„„049755

3(59 G 01 К 7 16 G 01 R 31 26!

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

Г1О ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ (и/ ) где tg ts

2 (21) 2840579/ 18-10 (22) 13.11.79 (46) 23.10.83. Бюл. И 39. (72) В. Р. Мяннама и А. Э-И. Ярвальт (71) Таллинский полиФехннческин институт (53) 536.531 (088.8) (56) 1. Bluckburn О. L. An electrical Tech—

nigues of the Measurement of the Peak Func-.

tion Temperature of Ромег Transistors. 13&

Ann. Reliall Phys., Lss Vegas, New — pork, 1975.

2. Авторское свидетельство СССР

1Р 600481, кл. G Î1 R 31/26, 1978 (прототип), (54) (57) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРНОГО ПИКА Р— NПЕРЕХОДА,,цри котором пропускают через переход модулированный ток и измеряют изменение напряжения на прямосмещенном переходе, î r л и ч а ю щ н йс я тем, что, с целью повышения чувствительности, ток через переход изменяют скачком,..н в течение переходного процесса дополнитель, но измеряют напряжение на переходе, одновре менно импульсно изменяя ток через переход, а температурный пик определяют по формуле время начала импульсного изменения:тока относительно его скачка

S соответствующие изменения напряжения на переходе; изменение напряжения на переходе при температуре калиброй I ки Т©, — змпи1яческая величина, зависящая m измеренного напряжения íà nepexowe и от тока через переход.

1049755

I где

О макс У М

0 где

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть" использбвано для испытания мощных транзисторов и тиристоров в условиях шнурования тока и измерения их тепловых характеристик в производственных и лабораторных условиях, например, для определения области безопасной работы мощных транзисторов н их динамического теплового сопротивления.

Известен способ измерения температурного пика полупроводниковой структуры с помощью, инфрараднометра и термочувствительной краски (1).

Недостатком способа является длительность и трудоемкость его операций, а также низкая точность измерения.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является способ измерения температурного пика

„р — n перехода, при котором пропускают через переход модулированный ток и измеряют изменение напряжения на прямосмещенном пе- реходе (2).

Недостатком указанцого способа. является низкая чувствительность при измерениях в импульсном режиме ..

Целью изобретения является повьнйение чувствительности к измеряемой температуре.

Указанная цель достигается тем, что, в способе измерения температурного пика р — и перехода, при котором пропускают через переход модулированный ток и измеряют изменение напряжения на- прямосмещенном переходе, ток через переход изменяют скачком, и в течение переходного процесса дополнительно измеряют напряжение на переходе, одновременно импульсно изменяя ток через переход, а температурныф пик определяют по формуле время начала импульсного изменения тока относительно его скачка, соответствукнцие изменения

I напряжения на переходе; изменение напряжения на переходе, при температуре калибровки То;

)И вЂ” эмпирическая величина, зависящая от измеренного напряжения на переходе и от тока через переход.

На фиг. 1 изображено устройство для осуществления способа; на фиг. 2 — диаграмма напряжения на р — и переходе.

Устройство для осуществления способа содержит источник 1 греющего тока, источник 2

r0 измерительного тока, блок 3 управления,блок 4 выборки и хранения, аналого-цифровой преобразователь 5, микро-ЭВМ 6, исйытуемыйприбор 7.

Способ измерения температурного пика р-и перехода осуществляется следующим образом.

От источников 1 и 2 через р-и переход 7 пропускают электрический ток, который .разогревает р — n переход. В момент времени t =0 сигналом управления от блока 3 греющий ток выключают.и через переход 7 течет измерительный ток 11 „. В результате переходного процесса напряжейие иа переходе изменяется во времени. Через время t = t с помощью блока 4

1 измеряют напряжение на переходе К,. и одновременно, а также в момент времени t = t2 под действием блока 3 управления от источника 2 тока импульсно повышают ток через переход 7 до величины Зг, измеряя при этом блоком 4 соответствующие изменения нанря, жения на переходе сР и <Р (фиг. 2)., Через

,преобразователь 5 накопленная информация поступает в ЭВМ 6, где определяется температурньтй пик р — n перехода по формуле

35 у о;

Маке 14

0

То — температура перехода в процессе калибровки;

40 о" — соответствующее изменение напряжения Hà переходе;

М вЂ” эмпирическая величина, равная .М 0,870 + 003la-+ 0,195а + 0,309а3+ 0,213а, где. Ь "равно

e--exp 6,—

2 Pо "e Р

1 < "1 <" О где 0 .— напряжение на р — n nepexo1О де при токе через переход

3„и температуре калибров кй.

1049755

Составйтель В. Баздырев

Техред Т.Фанта

Корректор A. Повх

Редактор А, Шандор

Подписное

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Заказ 8403/38 Тираж 873

ВНИИПИ Государственйого комитета СССР по делам изобретений.и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35; Раушская наб., д. 4 / 5

Способ измерения температурного пика @ - @ перехода Способ измерения температурного пика @ - @ перехода Способ измерения температурного пика @ - @ перехода 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах
Наверх