Формирователь импульсов на мдп-транзисторах

 

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН ию (/ ии

2563 А

ЗШ С 11 С 7/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OlHPbtTMA.(21) 3522458/18-24 (22) 20. 12.82 (46) 15.05.84. Бюл. 918 (72) Э.P.Êàðàõàíÿí, А.И.Стоянов и B.A.Сухоруков (53) 628.327.6 (088.8) (56) 1. "Электроника"„ 1981, Р 8, с.62 (прототип). (54 () 57) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ НА

ИДП-ТРАНЗИСТОРАХ, содержащий выходные усилительные транзисторы,, сток первого из которых подключен к истоку второго и является выходом устройства, исток первого выходного усили- . тельного транзистора подключен к шине нулевого потенциала. а затвор соединен с затвором второго входного усилительного транзистора и является одним входом устройства, сток второго выходного усилительного транзистора подключен к шине питания, а затвор соединен с затвором первого входного усилительного транзистора, затвором

МДП-конденсатора и истоком отсекающего транзистора, сток второго входного усилительного транзистора соединен с истоком первого входного усилительного транзистора и стоковой областью 1ЩП-конденсатора, затвор отсекающего транзистора подключен к шине питания, а сток является дру-. гим входом устройства, исток второго входного усилительного транзистора подключен к шине нулевого потенциала, отличающийся тем, что, с целью повьппения быстродействия за счет устранения обратного перераспределения заряда на затворе второго. выходного усилительного транзистора, в устройство введен диод, р-область которого подключена к шине питания, а и-область — к стоку первого входного усилительного транзистора.!

0925бЗ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания запоминающих устройств на МДП-транзисторах.

Наиболее близким к предлагаемому является формирователь импульсов на

МДП-транзисторах, содержащий выходные усилительные транзисторы, сток первого из которых является выходом устройства, исток подключен к шине !О нулевого потенциала, затвор — к первой тактовой шине, сток второго выходного усилительного транзистора подключен к шине питающего напряжения, исток — к стоку первого выходно- !5 го усилительного транзистора, затвор подключен к затвору первого входного усилительного транзистора. к затвору

МДП-конденсатора и истоку отсекающего.транзистора сток второго

20 входного усилительного транзистора соединен с истоком первого входного усилительного транзистора и стоковой областью МДП-конденсатора, затвор— с первой тактовой шиной, затвор отсе" 5 кающего транзистора подключен к шине питающего напряжения, сток — ко второй тактовой шине, сток первого входного усилительного транзистора под.ключен к шине питающего напряжения!13.З0

Известный формирователь импульсов обладает высоким быстродействием и на его выходе формируется полный уровень плогической единицы". Однако при работе формирователя возникает обратное перераспределение заряда на затворе второго выходного транзистора по цепи: затвор транзистора—

МДП-конденсатор — первый входной усилительный транзистор — шина питающего 40 напряжения. Это приводит к понижению напряжения на затворе второго выходного усилительного транзистора, а следовательно, к понижению быстродействия такого формирователя. 45

Цель изобретения — повышение быстродействия формирователя импульсов на .ИДП-транзисторах за счет устранения обратного перераспределения заря-, да на затворе второго выходного усилительного транзистора.

Поставленная цель достигается TeM, что в формирователь импульсов на МДП-транзисторах, содержащий выходные усилительные транзисторы, сток первого из которых подключен к истоку второго и является выходом устройства, исток первого выходного усилительного транзистора подключен к шине нулевого потенциала, а затвор соединен с затвором второго входного усилительного транзистора и является одним вхоцом устройства, сток второго выходного усилительного транзистора подключен к шине питания, а затвор соединен с затвором первого входного усилительного транзистора, затвором МДП-конденсатора и истоком отсекающего транзистора, сток второго входного усилительного транзистора соединен с истоком первого вход-. ного усилительного транзистора и стоковой область МДП-конденсатора, затвор отсекающего транзистора подключен :. шине питания, а сток является другим входом устройства, исток второго входного усилительного транзистора подключен к шине нулевого потенциала, введен диод, р-область которого подключена к шине питания, а п-область — к стоку первого входного усилительного транэистора.

Введение диода позволяет устранить протекание обратного тока через пер-. I вый транзистор предварительного каскада к шине питающего напряжения и тем самым исключить обратное перераспределение заряда. Это приводит к повышению напряжения на затворе второго выходного транзистора, что увеличивает быстродействие формирова-. теля.

На фиг:1 представлена принципиальная схема формирователя импульсов на МДП-транзисторах; на фиг.2 — временная диаграмма работы формирователя импульсов.

Формирователь импульсов состоит иэ первого выходного усилительного транзистора 1,выходной шины 2, второго выходного усилительного транзистора 3, шины питания 4, первого входного усилительного транзистора

3, МДП-конденсатора 6, отсекающего транзистора 7, второго входного усилительного транзистора

8, второй входной шины 9, первой входной шины !О, диода !1.

Формирователь импульсов на 1 ДПтранзисторах работает следующим образом.

В исходном состоянии до момента времени t p U Ф > — высокое, à U << низкое. Транзисторы 8 и 1 открыты, а 5 и 3 — закрыты. На выходе - низкий уровень. С момента времени

u<„

8Б/Х р у

@ . 2

Составитель О.Кулаков

Редактор К.Волощу ТехредM.Надь Корректор Г. Решетник

Заказ 3262/36 Тираж 575 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 з 10925 уф, — высокое, осуществляется- заряд узла а, емкость МДП-конденсатора приобретает максимальное значение, открываются транзисторы 5 и 3, так как транзисторы 8 и 1 открыты, то в узле Ь и на выходе формирователя сохраняется низкий уровень.

С момента времени t Пф„ — низкое.

Транзисторы 8 и 1 закрываются, и осуществляется быстрый заряд емкос- 10 ти узла b,à благодаря наличию МДПконденсатора осуществляется подброс напряжения в узле а — на затворах транзисторов 5 и 3. С момента времени t заряд узла b закончен, а на выходе 2 формирователя — продолжается„ так как выходная нагрузочная емкость имеет обычно на порядок большее значение, чем емкость узла Ь. Начинается. перераспределение

63 4 заряда sa счет внутренней емкостной связи затвор — канал транзистора 3.

Введенный в схему формирователя диод устраняет обратное перераспределение заряда на затворе второго выходного усилительного транзистора

3 по цепи: узел а — МДП-конденсаторканал транзистора 5 — шина питающего напряжения. Следовательно, величина напряжения, сформированного на затворе транзистора 3, выше по сравнению с величиной напряжения ь аналогичном узле прототипа, а значит и быстродействие предлагаемого формирователя выше.

Таким образом введение в схему формирователя импульсов на МДП"транзисторах диода позволяет повысить

его быстродействие.