Запоминающий элемент

Авторы патента:

ПЕРЕПЕЧЕНЫХ ВЛАДИМИР ИВАНОВИЧ

БРИКЕНШТЕЙН ХАИМ-МОРДХЕ АРОНОВИЧ

САМОЙЛОВ ВИКТОР СЕРГЕЕВИЧ

СТУКОВА ЛЮДМИЛА ЛЕОНТЬЕВНА

СТУНЖАС МАЙЯ ГАТАУЛОВНА

ТЯН ЛЕОНИД СЕМЕНОВИЧ

ФИАЛКОВ АБРАМ САМУИЛОВИЧ

ЦВЕЛИХОВСКИЙ ГЕНРИХ ИСАЕВИЧ

G11C11/56 - с использованием запоминающих элементов с более чем двумя состояниями устойчивости, определяемыми импульсами, например напряжения, тока или импульсными изменениями фазы или частоты (счетные устройства, содержащие элементы такого типа со многими состояниями устойчивости, H03K 25/00, H03K 29/00)

ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ, содержащий диэлектрическую подложку с нанесенными на нее двумя электродами и графитирующимся активным слоем, расположенным между электродами, отличающийся тем, что, с целью увеличения длительности хранения информации, графитирующийся активный слой выполнен из полимерного полупроводника с отрицательным дифференциальным сопротивлением S-типа. со to со

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК з ц G 11 С 1156

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ймм ФеВ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3564525/18-24 (22) 18.03:83 (46) 15.07.84. Бюл. № 26 (72) В. И. Перепеченых, Х.-М. А. Брикенштейн, В. С. Самойлов, Л. Л. Стукова, М. Г. Стунжас, Л. С. Тян, А. С. Фиалков, и Г. И. Цвелиховский (71) Всесоюзный научно-исследовательский и проектно-технологический институт электроугольных изделий (53) 681.327.66 (088,8) (56) 1. Antonowicz R., Casha Z., Turso 3.

Carson ч. 10, № 1, 1972.

2. Авторское свидетельство СССР № 538421, кл. G 11 С 11/02, 1977 (прототип) .

„„SU„„1103290 A (54) (57) ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ, содержащий диэлектрическую подложку с нанесенными на нее двумя электродами и графитирующимся активным слоем, расположенным между электродами, отличающийся тем, что, с целью увеличения длительности хранения информации, графитирующийся активный слой выполнен из полимерного полупроводника с отрицатель ным дифференциальным сопротивлением

S-типа.

1103290

Составитель Н, Бекин

Редактор М. Петрова Техред И. Верес Корректор А. Зимокосов

Заказ 4825 40 Тираж 575 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений н открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к электронике и может быть использовано в вычислительной технике в качестве элемента репрограммируемого постоянного запоминающего устройства (РПЗУ).

Известен запоминающий элемент, содержащий диэлектрическую подложку с нанесенными на нее двумя электродами, между которыми находится активный слой, являющийся продуктом карбонизации полимеров (1).

Недостатком данного элемента является малое время сохранения низкоомного состояния вЂ” около 72 ч.

Наиболее близким к изобретению является запоминающий элемент, содержащий диэлектрическую подложку с нанесенными на нее двумя электродами и графитирующимся активным слоем, расположенным между ними (2).

Однако известное устройство характери- z0 зуется недостаточной стабильностью его сопротивления во времени, а также расбросом элементов по параметрам, Цель изобретения вЂ” увеличение длитель ности хранения информации.

Поставленная цель достигается тем, что в запоминающем элементе, содержащем диэлектрическую подложку с нанесенными на нее двумя электродами и графитирующимся активным слоем, расположенным между электродами, графитирующийся активный слой выполнен из полимерного полупроводника с отрицательным дифференциальным сопротивлением S-типа.

В качестве представителя полимерного полупроводника взят олигоарилен, являющийся полимером с системой сопряженных связей термообработанный при температуре 390 вЂ” 500 С. При такой температуре полимер проходит стадию образования жидкокристаллической структуры (мезофазы), которая обуславливает стабильность электрических свойств материала.

На чертеже изображен запоминающий элемент. На подложку 1 нанесены электроды 2 с межэлектродным расстоянием 10 мкм, между которыми находится пленка 3 из полимера с S-характеристикой:

В исходном состоянии элемент имеет высокое сопротивление (порядка IO" Ом), при приложении импульса напряжения

20 вЂ” 25 В элемент переходит в состояние с сопротивлением порядка 10 Ом, которое сохраняет неопределенно долгое время.

Возвращение элемента в высокоомное состояние осуществляется подачей импульса напряжения той же амплитуды, но противоположной полярности.

Использование предлагаемого технического решения по сравнению с базовым позволит увеличить выход годной продукции иа 20 /о и кроме того получить элементы памяти со стабильными и идентичными параметрами.

Ожидаемый экономический эффект на одно ПЗУ на основе олигоарилена емкостью

1 кбит составляет 0,19 руб., что при ориентировочной потребности в ПЗУ 100000 шт, в год дает ожидаемый экономический эффект 19997 руб.

Многоустойчивый запоминающий элемент // 684615

Запоминающее устройство // 674100

Перестраиваемый фазо-импульсный многоустойчивый элемент // 546937

Многостабильный триггер // 515161

Многоустойчивое запоминающее устройство // 496599

Элемент памяти с тремя устойчивыми состояниями // 328529

Всесоюзная па:ге11ил-гсл,:^л5ная 6иблиотеиа_№_а____резерв^ // 282422

Способ управления спектротроном // 275515

Бистабильный элемент // 270805

Спектротрон с внутренней обратной связью // 1508282

Изобретение относится к автоматике и радиотехнике и может быть использовано в блоках вычислительных машин и устройств автоматики с целью упрощения

Спектротрон-спусковое устройство с несколькими устойчивыми состояниями // 1508283

Изобретение относится к автоматике и радиотехнике и может быть использовано в блоках вычислительных машин и устройств автоматики

Многоуровневый магнитный элемент // 2573205

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении срока службы магнитного элемента за счет снижения тока нагрева, требуемого для нагрева магнитного элемента. Многоуровневый магнитный элемент содержит первый туннельный барьерный слой между чувствительным слоем, имеющим намагниченность, которая может быть свободно выстроена, и первым запоминающим слоем, имеющим намагниченность, которая фиксируется при первом низком температурном пороге и способна свободно выстраиваться при первом высоком температурном пороге, причем магнитный элемент дополнительно содержит второй туннельный барьерный слой и второй запоминающий слой, имеющий намагниченность, которая фиксируется при первом низком температурном пороге и способна свободно выстраиваться при втором высоком температурном пороге; причем чувствительный слой образован между первым и вторым туннельными барьерными слоями. 3 н. и 9 з.п. ф-лы, 3 ил., 4 табл.