Спектротрон-спусковое устройство с несколькими устойчивыми состояниями

 

Изобретение относится к автоматике и радиотехнике и может быть использовано в блоках вычислительных машин и устройств автоматики. Цель изобретения - упрощение устройства и увеличение его надежности. Устройство состоит из резонансного магнитного или диэлектрического усилителя, замкнутого петлей обратной связи по постоянному току. При питании устройства напряжением с заданным линейчатым спектром можно получать большое количество устойчивых состояний с заданными значениями напряжения и частоты. Изобретение позволяет создавать спектротроны, состоящие только из пассивных элементов, что позволяет упростить устройство и увеличить его надежность. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСИИХ

РЕСПУБЛИН (19) (11) (51) 4 G 11 С 11/56

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

1 (2)) 800479/24-24 (22) 28.10.62 (46) 15.09.89. Бил, N 34 (75) А,П.Вишневский, В.П.Сигорский, Л.С.Ситников и Л.Л.Утяков (53) 68).327.66 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

К- 219872, кл. H 03 К 3/14, 1962.

Авторское свидетельство СССР

Р 219873, кл, Н 03 К 3/14, )962, Авторское свидетельство СССР № 219874, кл, С )1 С 11/00, 1962.

Авторское свидетельство СССР

2)9875, кл. G 11 С ll/56, 1962, (54) CIIFKTP0TPOH — СПУСКОВОЕ УСТРОЙСТВО С НЕСКОЛЬКИМИ УСТОЙЧИВЫМИ СОСТОЯНИЯМИ (57) Изобретение относится к автоИзобретение относится к автоматике и радиотехнике,и может быть использовано в блоках вычислительных машин и устройств автоматики.

Цель изобретения — упрощение устройства и увеличение его надежностии.

На фиг.l представлена принципиальная схема устройства на резонансном магнитном усилителе; на фиг.2 — то же, на диэлектрическом резонансном усилителе.

Устройство состоит из резонансного магнитного усилителя, замкнутого петлей. обратной связи по постоянному току, и содержит: контур CL+C<.

2 матике и радиотехнике и может быть использовано в блоках вычислительных машин и устройств автоматики. Цель изобретения — упрощение устройства и увеличение его надежности. Устройство состоит из резонансного магнитного или диэлектрического усили". теля, замкнутого петлей обратной связи по постоянному току. При питании устройства напряжением с заданным линейчатым спектром можно получать большое количество устойчивых состояний с заданными значениями напряжения и частоты. Изобретение позволяет создавать спектротроны, состоящие только из пассивных элементов, что позволяет упростить устройство и увеличить его надежность..

2 ил.

Устройство работает следующим образом.

Напряжение с заданным линейчатым спектром от источника с малым внутренним сопротивлением поступает на последовательный резонансный контур

С<),т а последовательно с которым включен диодный мостик D< — D4.

Выпрямленный ток L< выходной диагонали мостика подается в обмотки подмагничивания L>L+, управляя резонанс" ной частотой контура C„L,L<.

Величина управляющего тока Т определяется, в свою очередь, точностью настройки контура на ту или иную составляющую спектра напряжения питания. Таким образом, устройство формула и з о б р е т е н и я

Спектротрон — спусковое устройство с несколькими устойчивыми состояниями, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью упрощения устройства и увеличения его надежности, оно состоит из резонансного магнитного или диэлектрического усилителя, выход которого соединен с входом, а выход питания подключен к источнику с заданным линейчатым спектром, Фие.1

Фиг. 2

Составитель В.Струков

Редактор M.ÈHòêèíà Техред А.Кравчук Корректор Т.Колб

Заказ 5546/54 - Тираж 558

Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101

3 150828 оказывается охваченннм петлей обратной связи, благодаря чему при наличии достаточного коэффициента усиления магнитного усилителя устройство может находиться в одном из многих

5 устойчивых состояний, Устройство по фиг,2 состоит иэ резонансного диэлектрического усилителя, замкнутого петлей обратной связи по постоянному току и содержит: емкость С<, контур L„C> > ! повышающую обмотку L, детектирующую цепочку П С, сопротивление В ». устройство работает следующим 15 образом, Напряжение с заданным линейчатым спектром через корректирующую емкость С поступает на колебательный контур 1.,С т, резонансная частота 2р

1 2 которого управляется с помощью нелинейной емкости р-и-переходов диодов

13<, D<, Напряжение с выхода контура через повышающую обмотку связи L< поступает на последовательную детек — 25 тирующую цепочку Л,С и после детектирования управляет емкость р-и-переходов диодов Р 1 Р

Коэффициент усиления определяется амплитудой напряжения питания, пода- 30

3 4 ваемо ro на контур, ко эффициентом трансформации и добротностью контура..

Количество устойчивых состояний в спеткротроне — спусковом устройстве на магнитном или диэлектрическом усилителе, так же как и в спектротроне с активными элементами, определяется видом используемого спектра, добротностью и диапазоном перестройки колебательного контура.

Таким образом, замыкая петлей обратной связи резонансный или диэлектрический усилитель, для питания которого используется напряжение с заданным линейчатым спектром, создано спусковое устройство со многими устойчивыми состояниями.

Спектротрон-спусковое устройство с несколькими устойчивыми состояниями Спектротрон-спусковое устройство с несколькими устойчивыми состояниями 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к автоматике и радиотехнике и может быть использовано в блоках вычислительных машин и устройств автоматики с целью упрощения

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении срока службы магнитного элемента за счет снижения тока нагрева, требуемого для нагрева магнитного элемента. Многоуровневый магнитный элемент содержит первый туннельный барьерный слой между чувствительным слоем, имеющим намагниченность, которая может быть свободно выстроена, и первым запоминающим слоем, имеющим намагниченность, которая фиксируется при первом низком температурном пороге и способна свободно выстраиваться при первом высоком температурном пороге, причем магнитный элемент дополнительно содержит второй туннельный барьерный слой и второй запоминающий слой, имеющий намагниченность, которая фиксируется при первом низком температурном пороге и способна свободно выстраиваться при втором высоком температурном пороге; причем чувствительный слой образован между первым и вторым туннельными барьерными слоями. 3 н. и 9 з.п. ф-лы, 3 ил., 4 табл.
Наверх