Спектротрон с внутренней обратной связью

 

Изобретение относится к автоматике и радиотехнике и может быть использовано в блоках вычислительных машин и устройств автоматики с целью упрощения. Спектротрон содержит параллельный колебательный контур с нелинейной емкостью P - N -перехода, используемой в качестве внутренней обратной связи. Через корректирующий конденсатор C<SB POS="POST">2</SB> на параллельный колебательный контур подается напряжение питания с заданным линейчатым спектром. Изобретение позволяет получать большое число устойчивых состояний с заданными значениями напряжения и частоты, а также создавать спектротроны, состоящие только из пассивных элементов, что упрощает схему спектротрона и увеличивает надежность его функционирования. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ.

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (19) (11) (50 4 G 1 1 C 1 1 / 56

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ДBTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬС ПВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЦТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 800479/24-24 (22) 28,10,62 (46) 15.09,89. Бюл. К 34 (75) A.Ï.Вишневский, В.Л.Сигорский, Л.С.Ситников и Л,Л.Утяков (53) 681,327.66 (088,8) (56) Авторское свидетельство СССР

У 219872, кл, Н 03 К 3/14, 1962, Авторское свидетельство СССР

Р 219873, кл. Н 03 К 3/14, 1962.

Авторское свидетельство СССР

h> 219874, кл. G 11 С 1l/00, 1962.

Авторское свидетельство СССР

219875, кл, С 11 С 11/56, 1962. (54) СЛЕКТРОТРОН С ВНУТРЕННКЙ

ОБРАТНОЙ СВЯЗЬЮ (57) Изобретение относится к автоматике и радиотехнике и может быть

Изобретение относится к автоматике и радиотехнике и может быть использовано в блоках вычислительных машин и устройств автоматики.

Цель изобретения — упрощение устройства, На чертеже представлена принципиальная схема устройства.

Устройство содержит колебательный контур Ь С, Р с нелинейной емкостью р-п-переходов, используемой в ка-.. честве внутренней обратной связи, и корректирующую емкость С

Устройство работает следующим образом, На.параллельный колебательный контур, состоящий из линейной индуктивности 1.<, емкости последовательиспользовано в блоках вычислительных машин и устройств автоматики, С целью упрощения спектротрон содержит параллельный колебательный контур с нелинейной емкостью р-п-перехода, используемой в качестве внутренней обратной связи. Через корректирующий конденсатор С на параллельный колебательный контур подается напряжение питания с заданным линейчатым спектром, Изобретение позволяет получать большое число устойчивых состояний с заданными значениями напряжения и частоты, а также создавать слектротроны, состоящие только из пассивных элементов, что упрощает схему спектротрона и увеличивает надежность его функционирования, 1 ил. ного соединеиия конденсатора С и емкости р-и-перехода кремниевого, стабилитрона П, через корректирующий конденсатор С поступает периодическое напряжение питания большой амплитуды с заданным линейчатым спектром.

Резонансная частота контура при отсутствии постоянного напряжения в . точке 1 такова, что в полосу пропускания контура не попадает ни одна из составляющих Е,, Й,...,Й„ спектра напряжения питания, Тогда амплитуда колебаний на контуре незначительна, детектирование диодом D Hå происходит, следовательно, напряже ние смещения .в точке 1 по-прежнему отсутствует и частота настройки кон3

l50828 тура не изменяется. Это первое устойчивое состояние, характеризуемое отсутствием колебаний на контуре и нулевым напряжением в точке 1, Если теперь внешним воздействием изменить потенциал точки I до величины IJ< таким образом, чтобы в поло-в су пропускания контура попала составляющая спектра t, амплитуда колебаний на контуре резко увеличится и в результате процесса детектирования напряжение в точке I будет поддерживатьая равным П и после прекращения внешнего воздействия, Это второе 15 устойчивое состояние.

Самопроизвольное изменение напряжения II), например его уменьшение, перестраивает собственную частоту контура таким образом, что амплитуда 20 колебаний на контуре увеличивается

И это изменение компенсируется.

Следовательно, в устойчивом состоя1 нии система оказывается охваченной отрицательной обратной связью. 25

Для частот Й, Е, ..., й„работа происходит аналогично. Устойчивые состояния спектротрона различаются частотой колебаний на контуре и напряжением в точке I .

Спектротрон с внутренней обратной связью может быть создан на основе колебательного контура с нелинейной индуктивностью.

Использование внутренней обратной связи позволяет создавать простые, дешевые и малогабаритные спектротроны с достаточно большим числом устойчивых состояний, Формула и з о б р е т е н и я. Спектротрон с внутренней обратной.свяэью, о т л и ч а ю щ.и и с я тем, что, с целью упрощения, он содержит подключенный через емкость к источнику напряжения с линейчатым спектром колебательный контур, выполненный на индуктивности и последовательно соединенных конденсаторе и диоде, емкость р-и-перехода которого зависит от приложенного напряжения.

С ос тави тель В . Струков

Редак тор М. Циткина Техред A. Кравчук Корректор JI.Áåñêèä

Заказ 5546/54 Тираж 558 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r.Óæãîðîä, ул. Гагарина, 101

Спектротрон с внутренней обратной связью Спектротрон с внутренней обратной связью 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к автоматике и радиотехнике и может быть использовано в блоках вычислительных машин и устройств автоматики

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении срока службы магнитного элемента за счет снижения тока нагрева, требуемого для нагрева магнитного элемента. Многоуровневый магнитный элемент содержит первый туннельный барьерный слой между чувствительным слоем, имеющим намагниченность, которая может быть свободно выстроена, и первым запоминающим слоем, имеющим намагниченность, которая фиксируется при первом низком температурном пороге и способна свободно выстраиваться при первом высоком температурном пороге, причем магнитный элемент дополнительно содержит второй туннельный барьерный слой и второй запоминающий слой, имеющий намагниченность, которая фиксируется при первом низком температурном пороге и способна свободно выстраиваться при втором высоком температурном пороге; причем чувствительный слой образован между первым и вторым туннельными барьерными слоями. 3 н. и 9 з.п. ф-лы, 3 ил., 4 табл.
Наверх