Многостабильный триггер

 

ьсесйк энлтн ч лтР1 т .. 1(А11

О П И С А Q "И 3 (i() 515161

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) ЗаявлеиаЭ9,11.72 (21) 1845055/24 (51) М. Кл. С 11С 11/56 с присоединением заявки № (23) Приоритет— (43) Опубликовано 25.05.76.Бюллетень № 19 (53) УДК 628.827 (088.8) (45) Дата опубликования описания 11 08 76

Государственный комитет

Совета Министраа СССР ао делам изобретений н открытий (72) Авторы изобретения

B. И. Горячев и Б. М. Мансуров (71) Заявитель (54) МНОГОСТАБИПЬНЫЙ ТРИГГЕР

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в различных устройствах дискретного действия, в том числе в распределителях сигналов, пересчетных схемах, запоминающих устройствах.

Известны многостабильные триггеры (МТ), содержащие элементы И-НЕ, выход каждого из которых соединен с входом последующего элемента И-HE. 10

Е(ель изобретения — повышение нагрузочной способности триггера, Для этого предлагаемое устройство содержит двухвходовые элементы И, первый вход каждого из которых соединен с уста- 15 новочным входом. соответствующего элемента И-НЕ, второй вход — с выходом элемента И-НЕ, а выход каждого элемента И соединен с входами элементов И-НЕ кроме данного и последующего. 20

На чертеже — схема многостабильного триггера (четыре состояния).

Многостабильный триггер содержит элементы И-НЕ 1, двухвходовые элементы

И 2, установочные входы 3. 25

Устройство работает следующим образом. МТ находится в состоянии 0 11 1, Для переключения его в следующее состояние (код 1011) на его входы необходимо подать сигнал 0111. B этом случае на выходе первого элемента И-HF 1 сформируется уровень "1, а на выходе первого элемента И 2 останется "О", поскольку теперь он будет удерживаться в закрытом состоянии нулевым уровнем с установочного входа 3. На всех входах следующего элемента И-HE будут уровни логических

"1", и он установится в состоянии "0 .

Одновременно уровень О, поступая на вход соответствующего элемента И 2 сформирует на его выходе уровень "О, который, поступая на вход первого элемента

И-HE 1, будет удерживать ег в состоянии "1" и после окончания (итнала на угтановочном входе.

Для установки триггера F гтзетье остояние под 1101 необходи (о поаагь сигнал 1011.

Для построения тригг и по предложенной схеме потребуется эле,(енты И-HE c г Г

Составитель Фролов

Редак ор Е. Гончар ТехРед Т. Курилко КоРРектоР -. ожкова

14зд. М gZ

Подписное

Тираж 723

Заказ 53 О8

ЫНиИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР но делам изобретений и открытий

Москва, 113035, Раушская наб., 4

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 числом входов 1т1, что примерно в два раза меньше по сравнению с известной схемой. Нагрузочная способность по выходам у предложенной схемы не зависит от числа состояний и определяется выраженг ем П < = П вЂ” 2, тогда как в э известном П П вЂ” (N — 1) э

= П вЂ” 5 + 1, т. е. зависит от числа з элементов Ч

Формула изобретения

Многостабильный триггер, содержаший элементы И-НЕ, выход каждого из которых соединен со входом последуюшего алемента И-НЕ, о т л и ч а ю ш и и с я тем, что, с целью повышения нагрузочной способ5 ности триггера, он содержит двухвходовые элементы И, первый вход каждого из котовых соединен с установочным входом соответствуюшего элемента И-НЕ, второй входс выходом элемента И-HE. а выход каждого

10 элемента И соединен с входами всех элеv.åíòDâ И-НЕ, кроме данного и последуюшего.

Многостабильный триггер Многостабильный триггер 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к автоматике и радиотехнике и может быть использовано в блоках вычислительных машин и устройств автоматики с целью упрощения

Изобретение относится к автоматике и радиотехнике и может быть использовано в блоках вычислительных машин и устройств автоматики

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении срока службы магнитного элемента за счет снижения тока нагрева, требуемого для нагрева магнитного элемента. Многоуровневый магнитный элемент содержит первый туннельный барьерный слой между чувствительным слоем, имеющим намагниченность, которая может быть свободно выстроена, и первым запоминающим слоем, имеющим намагниченность, которая фиксируется при первом низком температурном пороге и способна свободно выстраиваться при первом высоком температурном пороге, причем магнитный элемент дополнительно содержит второй туннельный барьерный слой и второй запоминающий слой, имеющий намагниченность, которая фиксируется при первом низком температурном пороге и способна свободно выстраиваться при втором высоком температурном пороге; причем чувствительный слой образован между первым и вторым туннельными барьерными слоями. 3 н. и 9 з.п. ф-лы, 3 ил., 4 табл.
Наверх