Способ получения электропроводного алмаза
Способ получения электропроводного алмаза, включающий облучение его нейтронами и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью получения заданного электросопротивления в диапазоне 1011 - 10-1Ом 
см независимо от природы исходного алмаза, облучение ведут флюенсом нейтронов 3 1019 - 1,5 1021 нейтрон/см2 с энергией более 0,5 МэВ при температуре 70 - 500oC, а отжиг при давлении 10-1 - 1010 Па и температуре 300 - 1400oC.
Похожие патенты:
Способ обработки материалов // 1055784
Способ получения легированного кремния // 1005511
Способ получения кристаллов фотохромного // 400137
Способ кристаллизации углерода // 117544
Изобретение относится к способам синтеза монокристаллов алмаза (МКА) из низкомолекулярных углеродсодержащих соединений при высоких температурах в гетерогенных селикатных средах
Изобретение относится к способам синтеза монокристаллов алмаза (МКА), в том числе с полупроводниковыми свойствами
Способ получения алмазоподобных покрытий // 2111292
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для создания изолирующих, защитных и маскирующих покрытий, а также в других областях техники для создания механически прочных и износостойких покрытий
Изобретение относится к технологическим приемам получения искусственных кристаллов алмаза из углеродсодержащего сырья, при высокой температуре и в атмосфере сжатого газа, относительно низкого давления
Изобретение относится к способам синтеза монокристаллов алмаза (МКА) из низкомолекулярных углеродсодержащих соединений в ходе протекания физико-химических цепных реакций в гетерогенных силикатных средах при высоких температурах
Изобретение относится к изготовлению промышленных алмазов, а точнее к способам изготовления поликристаллических алмазных слоев для электронной промышленности, точной механики, микротехнологии
Способ получения искусственных алмазов // 2122050
Изобретение относится к способам получения алмазов, а более точно к способам прямого превращения графита в алмаз в области термодинамической устойчивости последнего
Изобретение относится к области изготовления сверхтвердых материалов из углеродной массы
Способ получения алмазов // 2124079
Изобретение относится к производству искусственных алмазов с помощью взрыва
Способ получения алмазов // 2124590
Изобретение относится к производству искусственных алмазов способом ударного прессования графитного порошка
Изобретение относится к технологии нейтронно-трансмутационного легирования (НТЛ) кремния при промышленном производстве на энергетических реакторах типа РБМК, широко применяемого в технологии изготовления приборов электронной и электротехнической промышленности
Способ получения резистентного кремния // 2202655
Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии получения полупроводниковых материалов, устойчивых к воздействию радиации и температурных полей
Изобретение относится к области радиационных технологий, преимущественно к нейтронно-трансмутационному легированию (НТЛ) полупроводников, и может быть использовано для определения концентрации легирующей примеси (т.е
