Травитель для полировки монокристаллов висмута

 

ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ ПОЛИРОВКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВИСМУТА, содержащий азотную, уксусную и плавиковую кислоты , отличающийся тем, что, с целью одновременного выявления дислокационной структуры, он содержит компоненты в следующем соотношении, об.ч. : Азотная кислота (плотность 1,36) 2,5-5,0 Уксусная кислота (ледяная)7-9 Плавиковая кислота

СОЮЗ СОНЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН. SU„„1142532 А

4(51) С 30 В 33/00 С 30 В 29/02

ГОСУДАРСТВЕНЙЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ф .4 . ...ГС!."ЮЗН Л К (I

l (.%:Ю Э ),, з

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

7-9 (21) 35843 70/23-26 (22) 28.04.83 (46) 28.02 .85. Бюл. У 8 (72) И.M.Áàãàé (71) Черновицкий ордена Трудового

Красного Знамени государственный университет (53) 621. 315. 592 (088. 8) (56) 1. Love1 f L.Ñ., Wernick J.Н.

Dis focation etch pits bismuth.

5.AppI Phys.",1959, ч. 30, У 2, р. 234-235.

2. Попкова Е.Г., Предводителев А.А. Избирательное травление на дислокациях в металлах. — "Кристаллография",1970, т.15, 0- 1, с.92-97 (прототип). (54)(57) ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ ПОЛИРОВКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВИСМУТА, содержащий азотную, уксусную и плавиковую кислоты, отличающийся тем, что, с целью одновременного выявления дислокационной структуры, он содержит компоненты в следующем соотношении, об.ч.

Азотная кислота (плотность 1,36) 2,5-5,0

Уксусная кислота (ледяная)

Плавиковая кислота (50X-ная) 0,02-0,16

1142532

Изобретение относится к исследованию физико-химических свойств веществ и может быть использовано при подготовке монокристаллов висмута для структурных исследований, а также для придания им товарного вида.

Известен травитель для избирательного травления плоскости (111) монокристаллов висмута, содержащий дымящую азотную кислоту, ледяную 10 уксусную кислоту и воду(1) .

Недостатком данного травителя является то,что его воздействие распространяется только на плоскость (111) висмута. !

Наиболее близким по технической

7,00-9,00 сущности к предлагаемому является травитель для полировки монокристаллов висмута(2), содержащий азотную уксусную и плавиковую кислоты при следующем соотношении„ об.ч.;

Азотная кислота . (плотность 1,36) ° 5

Уксусная кислота (ледяная) 7

Плавиковая кислота (50%-ная) 2

Однако с помощью этого травителя возможно полировать только плоскость (l!I) висмута без выявления дислокацйонной структуры монокристаллов на других плоскостях.

Цель изобретения — одновременное выявление дислокационной структуры. Поставленная цель достигается тем, что травитель для полировки монокристаллов висмута, содержащий азотную, уксусную и плавиковую кислоты, содержит компоненты при следующем соотношении, об.ч.:

Азотная кислота (плотность 1,36) 2,50-5,00

Уксусная кислота (ледяная)

Плавиковая- .кислота (50%-ная) 0,02-0, 16

Пример 1. Монокристалл висмута, имеющий форму цилиндра, плоский торец которого имеет ориентав и цию (1111, а с противоположной стороны ограничен полусферой, в которой сколом обнажена плоскость (Ill), обрабатывают в травителе, содержащем азотную кислоту (плотность 1,36), уксусную кислоту (ледяную) и плагиковую кислоту (50%-ную), взятые в соотношении (об.ч.) соответственно 4,00:8,00:0,04. Обработку ведут при встряхивании слитка и температуре травителя 16-18 С. в

После окончания процесса наблюдается эффект избирательного травления плоскостей (!!1) и (!!1 и по-лирования всех поверхностей монокристалла.

Пример 2. Ведут обработку монокристалла висмута в условиях примера 1, ио вместо ппосвости (t t tj на исходном образце шлифованием обнажают произвольно выбранную плоскость.

После обработки на плоскости (111) и произвольно выбранной плоскости наблюдают дислокационные ямки травления. При этом наблюдают полирование всей остальной поверхности образца.

В таблице приведены результаты обработки монокристаллических образцов висмута в травителе различного о состава при 16-18 С и использовании образца, монокристалла виамута подобного примеру 1.

Таким образом, предлагаемый травитель позволяет наряду с полированием поверхностей образцов монокристаллов висмута одновременно выявлять дислокационную структуру их отдельных плоскостей.

1142 532

Содержание кислоты

Особенности травления пгавиковой (507-ной) уксусной (ледяной) 0,01

Легкое пассивирование поверхности кристаллов

0,02

0,04

0,08

0,12

0,16

0,18

0,04

2,5

0,04 (111) и 1,1Г1

То же

5 5

0,04

0,04

0,04

6,5

0,04 (!!!) и {I!1!

То же

0,04

9,0

Легкое пассивирование поверхности кристалла

0,04

9,5 азотной (плотность

1, 36) Полирование всех поверхностей крисгаллов и травление плоскостей (111) и (111!

То же

Легкое пассивирование поверхности кристалла

Некоторые участки к1исталла темнеют

Полирование всех поверхности кристалла и травление плоскостей

Некоторые участки кристалла темнеют

Легкое пассивирование поверхности кристалла

Полирование всей поверхности кристалла и травление плоскостей

Полирование плоскости (!fl)

Пассивирование всех остальных плоскостей

ВНИКПК Заказ 663/27, Тираж 357 hogqmcaoe

Фзцш л ИПП "П таат", Г,Уагород, ул.Проектиак,. 4