Способ перезаписи информации в мноп-транзисторе (его варианты)

 

1. Способ перезаписи информации в МНОП-транзисторе, заключаюпщйся в подаче на МНОП-транзистор импульсов напряжения, о т л и ч а ю-1€ СС5103 Я 5 :,:,-;й щ и и с я тем, что с целью повышения надежности перезаписи информации , одновременно амплитуду и длительность импульсов напряжения периодиче .ски изменяют, причем амплитуду импульсов изменяют с 15-20% меньше номинального значения до номинального , а длительйость с 50% меньше номинального значения до номинального . 2. Способ перезаписи информации в мной-транзисторе, заключающийся в подаче на МНОП-транзистор импульсов напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности перезаписи информации, амплиту- S ;ду импульсов напряжвния периодиче (Л ски изменяют с 15-20% меньше номинального значения до номинального, а после каждого изменения амплитуды длительность импульса изменяют с 50% меньше номинального значения до номинального .

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИ .ЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

41я1 G 11 С 11/40

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3519004/24-24 (22) 06.12.82 (46) 30.04.85. Бюл, У 16 (72} Г.А.Бородин (71) Московский ордена Ленина и ордена Октябрьской Революции энергетический институт (53} 621.327.6(088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

В 658599, кл. G 11 С 11/40, 1977.

2. Полупроводниковые микросхемы памяти. МИЗ-64-ОЗУ статического типа.519РЕ1-ПЗУ с электрической сменой информацией емкостью 128 бит.

М., ЦНИИИ "Электроника", 1975, с.23 (прототип). (54) СПОСОБ ПЕРЕЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ

В МНОП-ТРАНЗИСТОРЕ (ЕГО ВАРИАНТЫ). (57) 1. Способ перезаписи информации в МНОП вЂ транзисто, заключающийся в подаче на МНОП-трайзистор импульсов напряжения, о т л и ч а юÄÄSUÄÄ 15 58 шийся тем, что с целью повышения надежности перезаписи информации,одновременно амплитуду и длительность импульсов напряжения периодически изменяют, причем амплитуду импульсов изменяют с 15-20Х меньше номинального значения до номинального, а длительность с 50Х меньше номинапьного значения до номинапьного.

2. Способ перезаписи информации в ,NH0fl-транзисторе, заключающийся в подаче на МНОП-транзистор импульсов напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности перезаписи информации, амплиту;ду импульсов напряжения периодически изменяют с 15-20Х меньше номинального значения до номинального, а после каждого изменения амплитуды длительность импульса изменяют с 50Хменьше номинального значения до номинального, 1153358

Указанная цель в первом варианте достигается тем,. что .согласно способу перезаписи информации, заключающемуся в подаче на ИНОПтранзистор импульсов напряжения, одновременно амплитуду и длительность импульсов напряжения периодически изменяют, причем амплитуду импульcos изменяют с 15-20Х MeHbme номинального значения до номиналь ного, а длительность с 50% меньше

1I

Изобретение относится к вычислительной технике и микроэл ктронике, а именно к запоминающим устройствам на ИНОП-транзисторах, и может быть использовано при перезаписи информации в запоминающих устройствах.

Известен способ перезаписи информации в ИНОП-транзисторе, заключающийся в подаче импульса на диэлектрик, предварительно подогретого 10 элемента .

Недостаток, этого способа — ограниченный срок службы ИНОП-транзистора при перезаписи информации в нем импульсами с фиксированными пара метрами амплитуды и длительности,что снижает долговечность работы ИНОПтранзистора, а также необходимость нагрева элемента, что увеличивает общее время занесения информации, Наиболее близким к предлагаемому является способ перезаписи информации, заключающийся в подаче на затвор ИНОП-транзистора,импульсов перезаписи с фиксированными параметрами амплитуды и длительности, что обеспечивает время хранения информации не менее 2000 ч при количестве циклов перезаписи не менее

10000 12).

Недостаток известного способа— сильное разрушение МНОП-структуры при перезаписи информации импульсами номинальной амплитуды и дли. тельности, которые доходят обычно до 90Х от пробивного значения. Это . 35 снижает надежность хранения информации при большом количестве циклов перезаписи и не позволяет обеспечить надежную запись при большом количестве циклов перезапи- 40 си.

Цель изобретения — повышение надежности перезаписи информации за счет обеспечения требуемого времени хранения при большом количест- 45 ве циклов перезаписи информации.

k номинального значения до номинального.

Согласно второму варианту способа перезаписи информации,заключающеФоа в подаче на МНОП-транзистор импульсов напряжения, амплитуду импульсов напряжения периодически изменяют с 15-20Х меньше номинального значения до номинального, а после каждого изменения амплитуды длительность импульса изменяют с 50Х меньше номинального значения до номинального.

Примером применения первого варианта данного способа может быть способ перезаписи информации в ИНОПтранзисторе. микросхемы типа 519РЕ1.

Номинальное напряжение импульсов перезаписи 48 В, номинальная дли— тельность импульсов перезаписи 5 мс.

Для обеспечения надежного хранения информации необходимо перезапись информации в предлагаемом ИНОП-транзисторе производить импульсами с амплитудой 38 В и длительностью 2 5 мс.

Затеи периодически, например через

500 циклов перезаписи необходимо амплитуду увеличить на несколько вольт,. Одновременно увеличивают и длительность импульсов до "тех пор, пока не будет обеспечено требуемое время хранения информации. Таким образом, увеличивают амплитуду и длительность импульсов перезаписи до номинальных значений амплитуды и длительности импульсов перезаписи.

Это позволит на 50-70Х увеличить минимальное количество импульсов перезаписи, обеспечивающих при этом номинальное время хранения.

Согласно второму варианту предлагаемого способа после каждого увеличения амплитуды импульсов перезаписи на несколько вольт периодически увеличивают длительность импульсов перезаписи от 2,5 мс до 5 мс. После этого вновь увеличивают амплитуду импульсов перезаписи и изменяют длительность импульсов перезаписи, При использовании ИНОП-транзисторов, имеющих иные номинальные значения амплитуды и длительности импульсов перезаписи, соответственно изменяют пределы изменения амплитуды и длительности импульсов перезаписи.

Если необходимо обеспечить время хранения информации в ИНОП-транзисторе отличное; от номинального, 3 1153358 4 то перезапись информации начинают си информации заключается в повышес других начальных значений амппиту- нии надежности, хранения информады и длительности. ции IIpH увеличении количества цикТехнико-экономическое преимуще- лов перезаписи информации в МНОПство предлагаемого способа перезапи- транзисторе.

Составитель Л.Амупьева

Редактор И.Ковальчук Техред JI,Коцюбняк Корректор О. Билак

Заказ 2511/42 . Тираж 584 . Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал IIIIII "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Способ перезаписи информации в мноп-транзисторе (его варианты) Способ перезаписи информации в мноп-транзисторе (его варианты) Способ перезаписи информации в мноп-транзисторе (его варианты) 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания постоянных (ПЗУ) и репрограммируемых (РПЗУ) запоминающих устройств повышенной информационной емкости на основе МДП-структур

Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству и, в частности, к цепи усиления напряжения (употребляемый здесь термин "цепь усиления напряжения" имеет тот же смысл, что и "усилительная схема", "цепь выработки усиленного напряжения", "однокаскадная усилительная схема с компенсационной обратной связью" и т.д.) для усиления подаваемого от системы питающего напряжения до желательного уровня усиления напряжения

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Изобретение относится к способу регенерации ячеек памяти в динамическом запоминающем устройстве с произвольным доступом и, в частности, к способу, который уменьшает помехи регенерации на напряжении стока динамического запоминающего устройства с произвольным доступом, имеющего КМОП-структуру

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к запоминающей ячейке статического ЗУПВ

Изобретение относится к схемному устройству с некоторым числом электронных схемных компонентов, состояние которых может переводится в исходное состояние
Наверх