Травитель для халькогенидных стекол (его варианты)

 

1. Травитель для халькогенидных стекол, отличающийся тем, что, сцелью повьшения селективности травления,, он содержит метилат или этилат натрия, тиомочевину и метиловый или этиловы спирт при . следующих соотношениях компонентов, мас.%:, Метипат или эти0 ,5-25,0 лат натрия 0,7-7,0 Тиомочевщса Метиловый: или Остальное этиловый спирт 2. Травитель для халькогенидных стекол, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью повышения селективности травления, он содерхют мет тилат шш этилат натрия, сероуглерод и метиловый или этиловый спирт при следующих соотношениях компонентов , мас.% Метилат или эти0 ,5-25,0 i лат натрия 0, Сероуглерод Метиловый шш Остальное S этиловый спирт

СОЮЗ СОВЕТСКИХ НН Д

РЕСПУБЛИК

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPCKOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Метилат или этилат натрия

Тиомочевщ а

Метиловый или этиловый спирт

0 5-25,0

0,7-7,0

Остальное

Метилат или этилат натрия

Сероуглерод

Метиловый или этиловый спирт

О@5 2510

0,2-20 .0

Остальное

;ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3664510/23-26 (22) 18. 11. 83 (46) 07. 06. 85. Бюп. Ф 21 (72) О.А. Яковук, С.Б. Мамедов, M.Ä., Михайлов и А.С. Днепровский (53) 666.113.32 (088.8) (56) Борисова 3.У. Химия стеклообраэ.ных полупроводников, Л., ЛГУ, 1973, с. 206.

Гуревич С.Б. и др. Структура и

Ф свойства некристаллических полупроIt ° t .водников. Сборник. Л., Наука, 1976, с. 451. (54) ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ

СТККОЛ (КГО ВАРИАНТЫ). (57) 1. .Травитель для халькогенндных стекол, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности травления, он содержит метилат или этилат натрия, тиомочевину и метиловый или этиловый спирт при

„„SU„„1 1604 S3 A

4(g)) С 30 В 28/46; Н 01 ? 21/302 следующих соотношениях компонентов, мас.Х:

2. Травитель для халькогенидных стекол, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности травления, он содершит ме тилат или этилат натрия, сероуглерод н метиловый или этиловый спирт при следующих соотношениях компонентов, мас.Х

1160483

Составитель Н. Ярмолюк

Редактор Н. Бобкова Техред JI.Êîöþáíÿê

Корректор И. Самборская

Заказ 3834/50 Тираж 679 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская. наб., д.4/5 ул. Проектная, 4

1 Изобретение относится к оптикоэлектронному приборостроению и используется при изготовлении фоторезистов на основе пленок халькоге-е3 нндных стекол путем формования на них рельефа травлением.

Цель изобретения — повышение се" лективности травления.

Пример 1. Свеженапыпенную пленку состава .АЗОВО Бебе тОлщинОй

0,2 мкм облучают через фотошаблон светом гелий-неонового лазера. Доза облучения 10 Дж/см . Для формирования рельефа используют травитель, содержащий, 7.: тиомочевина 0,7, метилат натрия 25 и метиловый спирт

74,3. Время:растворения облученных участков пленки 2 мин. Через 2 мин подложку с пленкой вынимают из травителя, ополаскивают спиртовым раствором уксусной кислоты и высушивают.

Измеряют высоту рельефа (толщину необлученных участков пленки) по сдвигу интерференционных полос в микроскопе ИИИ-4. Толщина оставшейся пленки — (0,18+0,01) мкм — близка к начальной. Опыт с экспонированной пленкой повторяют, измеряя время растворения незасвеченных участков, 30 которое равно 10 мнн. Таким образом, отношение скоростей облученного .и необлученного участков пленки, т.е. селективность травителя, составляет 5: 1.

Пример 2. Аналогично предыдущему примеру подготавливают пленку состава Аз Зе, толщиной

0,28 мкм. Для формирования рельефа используют травитель, содержащий, Х: тиомочевина 7, метилат натрия 0,5 и метиловый спирт 92,5. Высота рельефа после травления

0,2610,02 мкм. Время растворения Об.лученных участков пленки 3 мин, необлученных 22 мин. Селективность

7,3:1. филиал ППП "Патент", г. Ужгород. г

Пример 3. Опыт проводят аналогично предыдущим, но используя пленку cocTaaa As, Se< толщиной

0,2 мкм. Используют травитель, содержащий, Х: тиомочевина 1,5, метилат натрия 12, метиловый спирт

86,5. Время растворения облученного участка 0,5 мин. Высота рельефа после травления 0,18+0,01 мкм. Время растворения необлученного участка

6 мин. Селективность 12:1.

Пример 4. Опыт проводят аналогично предыдущему, но используют пленку Се Se » облученную через фотошаблон светом аргонового лазера, толщиной 0,3 мкм. Используют травитель, содержащий, Х! тиомочевина 0,9, этилат натрия 4, этиловый спирт 95,1. Время растворения засвеченных участков 12 мин, незасвеченных 2 мин. Селективиость 1:6.

Пример 5. Аналогично предыдущим опытам подготавливают пленку состава Аз, Seq толщиной 0,2 мкм.

Для формирования рельефа используют травитель, содержащий, 7.: метилат натрия 25, сероуглерод 0,2 и метиловый спирт 74,8. Время растворения облученного участка пленки 0,8 мин, необлученного 12 мин. Селективность

15:1.

Пример 6. Аналогично примеру 1 ГОтОвят пленку As so Se 5о тол щиной 0,2 мкм. Для формирования рельефа используют травитель, содержащий, 7: сероуглерод 20, метнлат натрия 5, метиловый спирт 75. Время растворения необлученного участка

3,6 мин, облученного 32 мин. Селективность травителя 9:1.

Пример 7. Аналогично примеру 1 готовят лленку состава Astro Seeo

Для формирования рельефа используют травитель, содержащий, Ж: этилат натрия 2, сероуглерод 10.и этиловый спирт 88. Время растворения необлученного участка 1,2 мин, облученного 7 мин. Селективность 6:1.

Травитель для халькогенидных стекол (его варианты) Травитель для халькогенидных стекол (его варианты) 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения термоэлектрического материала для твердотельных холодильников и генераторов

Изобретение относится к области изыскания материалов, которые могут найти применение как ферримагнитные полупроводники при создании элементов памяти, а также в многофункциональных приборах и интегральных схемах

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и приборов
Изобретение относится к области технологии получения и легирования неорганических веществ и может быть использовано в микроэлектронике, полупроводниковом приборостроении

Изобретение относится к области получения кристаллических полупроводниковых материалов с заданными электрофизическими свойствами

Изобретение относится к области получения кристаллических полупроводниковых материалов, используемых в электронном, ядерном приборостроении, детекторах ионизирующих излучений
Наверх