Способ изготовления многослойных полупроводниковых структур силовых тиристоров n+-p-n-p-типа
1. Способ изготовления многослойных полупроводниковых структур силовых тиристоров n+-p-n-p-типа, включающий химическую обработку, осаждение из растворов на основе тетраэтоксисилана на обе поверхности кремниевых пластин n-типа проводимости легированных окисных пленок - источников диффузии алюминия и бора, термическую обработку в окислительной среде при температуре 1200 - 1300oC для формирования высоковольтных p-n переходов, создание маскирующей пленки по всей площади пластины, локальное травление маскирующей пленки и формирование n+-областей диффузией фосфора, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения параметров тиристоров, для создания маскирующей пленки непосредственно на легированные окисные пленки после их термообработки осаждают пленку алюмосиликатного стекла толщиной 0,3 - 0,5 мкм и с содержанием в нем окисла алюминия 43 - 76 мас.%.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что маскирующую пленку осаждают из раствора, содержащего компоненты в следующем количественном соотношении, мас.%: Спирт этиловый 96o - 63 - 75 Алюминий азотнокислый, гидрат - 15 - 32 Тетраэтоксисилан - 5 - 10 с последующей термообработкой при температуре 600 - 1100oC в течение 5 - 60 мин.
