Способ изготовления геттера в монокристаллических пластинах кремния

Авторы патента:

H01L21/314 - из неорганических веществ (H01L 21/3105, H01L 21/32 имеют преимущество)

Способ изготовления геттера в монокристаллических пластинах кремния, включающий термообработку пластин для формирования бездефектной приповерхностной области пластин, отличающийся тем, что, с целью устранения эррозии поверхности пластин и уменьшения плотности структурных дефектов, перед термообработкой пластин на их поверхности формируют слой термической двуокиси кремния толщиной 0,045 - 0,05 мкм, после чего осаждают слой поликремния толщиной 0,1 - 0,5 мкм.

Способ изготовления мноп-структур // 1160891

Способ защиты полупроводниковых приборов // 1132732

Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии полупроводниковых приборов, при изготовлении которых неизбежен или необходим нагрев на завершающей стадии производства, например, при высокотемпературной герметизации (заварке) стеклом, напайке и др

Состав для получения защитного покрытия поверхности кремния // 1115631

Способ получения структуры диэлектрик—кремний // 428484

Способ получения защитного диэлектрического покрытия на поверхности германия // 384162

Способ обработки поверхности полупроводников // 221176